半导体级石英环的生产工艺的制作方法

1.本发明涉及半导体高纯石英加工环领域，具体涉及一种半导体级石英环的生产工艺。

背景技术：

2.石英玻璃是玻璃的一种，其他玻璃有各种各样的成分，而石英玻璃的主要成分是sio2，石英玻璃的纯度非常高、耐热性、透光性、电气绝缘性和化学稳定性等均非常优良，故半导体产业中正好需要这样优良的性能，氧和硅在自然中组合形成氧化硅，包括氧化硅砂和无色水晶，被开采和熔炼成石英，然后被制造成最终石英制品，由于石英材料具有硬度高、易碎的特点，所以石英加工一直是业内的难点；

3.目前行业加工的石英制品尺寸精度低，表面状态比较粗糙，半导体级石英制品要求的材料的纯度很高，加工精度要求0.01mm以上，很难满足半导体行业的需求；

4.针对上述的技术缺陷，现提出一种解决方案。

技术实现要素：

5.为了克服上述的技术问题，本发明的目的在于提供了一种半导体级石英环的生产工艺：通过将高纯石英母材晶锭经过切割、水切割、平面研磨、mc加工、脱脂洗净、化学洗净、包装，最终得到半导体级石英环，解决了现有的石英制品尺寸精度低，表面状态比较粗糙，半导体级石英制品要求的材料的纯度很高，很难满足半导体行业的需求的问题。

6.本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

7.一种半导体级石英环的生产工艺，包括以下步骤：

8.步骤一：将石英锭一端放置于晶锭切割设备的输送辊上，通过限位座夹持，将石英锭另一端放入夹持机构的内腔中，通过夹持机构夹持，通过移动电机和输送电机带动石英锭向落刀槽的顶部移动，通过金刚石切割刀将石英锭进行切割，形成石英圆片；

9.步骤二：将石英圆片放置于水切割机的平台上面进行内外径加工，形成石英圆环粗品，内外径余量为5mm,用于后续mc加工；

10.步骤三：将石英圆环粗品进行平面研削加工，保证平面度以及平行度要求达0.02mm以内，平面研削之后进行mc加工，通过mc将其余所有特征尺寸加工出来，得到石英圆环半成品；

11.步骤四：将石英圆环半成品进行脱脂洗净，洗净时间为0.5小时，主要用于去除产品表面的有机物；

12.步骤五：脱脂洗净之后进行纯水超声波清洗，洗净时间控制0.5小时，目的是去除石英产品表面残留的有机物、无机物和浮于产品表面的微粒；

13.步骤六：纯水超声波清洗后用质量分数为2

?

10％的聚天冬氨酸水溶液洗净，进行脱金属处理，目的是于去除产品表面的金属元素；

14.步骤七：之后进行最终检查，检查项目包含尺寸要求，表面粗糙度要求，产品平面

度，垂直度、表面轮廓度；

15.步骤八：再次进行脱脂洗净，洗净时间控制0.5小时，洗净温度控制在100℃，脱脂洗净后去除有机物、金属离子和颗粒；

16.步骤九：最后进行烘干，烘干温度为100℃，烘干时间为0.5小时以上，烘干之后进行包装，得到半导体级石英环。

17.作为本发明进一步的方案：所述晶锭切割设备包括安装架、输送机、支撑架、切割电机、压料气缸、滑道、夹持机构，所述安装架的一端设置有输送机，所述安装架靠近输送机的一端顶部安装有支撑架，所述安装架的顶部远离支撑架的一端两侧均安装有滑道，所述滑道上滑动连接有夹持机构。

18.作为本发明进一步的方案：所述夹持机构包括滑动底座、移动电机、安装杆、安装板、夹持板、拉伸气缸、固定板、固定杆、连接板、翻转板、连接臂、夹持气缸、传动杆、齿轮柱、齿形板，所述滑动底座的顶部两端均嵌入安装有安装杆，所述安装杆的顶部两端均安装有安装板，两个所述安装板顶部相互靠近的一侧均竖直安装有夹持板，两个所述安装板顶部相互远离的一侧均竖直安装有两个拉伸气缸，两个所述安装杆的中部之间安装有连接板，所述连接板的顶部轴心处转动安装有翻转板，所述翻转板的两端顶部均转动安装有连接臂，两个所述连接臂的一端分别转动连接至两个安装板上，其中一个所述安装板的底部通过连接块连接至夹持气缸的活动杆上，所述夹持气缸嵌入安装在滑动底座的顶部。

19.作为本发明进一步的方案：两个所述安装板的正上方均设置有固定板，所述固定板安装在拉伸气缸的活动杆上，其中一个安装板的一侧上等距螺纹连接有若干个固定杆，若干个所述固定杆的一端活动贯穿另一个安装板。

20.作为本发明进一步的方案：所述滑动底座的一侧安装有移动电机，所述滑动底座的底部中间设置有齿形板，所述齿形板安装在安装架的顶部，所述滑动底座的内腔中转动安装有传动杆，所述传动杆的一端连接至移动电机的输出轴上，所述传动杆的中部套设有齿轮柱，所述齿轮柱与齿形板啮合连接。

21.作为本发明进一步的方案：所述支撑架包括支撑横板、支撑立板，所述支撑横板的两端底部均安装有支撑立板，两个所述支撑立板分别安装在安装架的顶部两侧，所述支撑横板的两侧下方分别设置有限位座、金刚石切割刀，所述限位座的顶部两端分别连接至两个压料气缸的活动杆上，所述限位座的底部呈弧形槽状，且弧形槽内壁上等弧度安装有若干个滚轮，所述金刚石切割刀的两端均安装有螺纹座，所述螺纹座位于支撑立板的内腔中，所述支撑立板的内壁上安装有滑轨，所述螺纹座与滑轨滑动连接，所述支撑立板的内腔中转动安装有螺纹杆，所述螺纹杆贯穿螺纹座并与螺纹座螺纹连接，两个所述螺纹杆的顶端贯穿支撑横板的两端并连接至两个切割电机的输出轴上。

22.作为本发明进一步的方案：两个所述支撑立板的底部之间安装有落刀槽和输送辊，所述落刀槽位于金刚石切割刀的正下方，所述输送辊位于限位座的正下方，其中一个所述支撑立板的一侧底部安装有输送电机，所述输送电机的输出轴连接至输送辊的一端上。

23.作为本发明进一步的方案：所述晶锭切割设备的工作过程如下：

24.步骤一：将石英锭一端放置于输送辊上，启动压料气缸，压料气缸的活动杆延伸带动限位座下降将石英锭夹持，将石英锭另一端放入夹持机构的内腔中，石英锭位于安装杆的顶部，将固定杆贯穿一个固定板后螺纹连接在另一个固定板上；

25.步骤二：启动夹持气缸和拉伸气缸，夹持气缸的活动杆收缩，拉动其中一个安装板向连接板靠近，通过翻转板、连接臂带动另一个安装板也向连接板靠近，两个安装板相互靠近的过程中将石英锭的两侧夹持，拉伸气缸的活动杆收缩带动固定板下降，从而带动固定杆下降将石英锭的上侧夹持；

26.步骤三：启动移动电机，移动电机运转带动传动杆以及齿轮柱转动，由于齿轮柱、齿形板啮合连接，从而带动滑动底座在滑道滑动，启动输送电机，输送电机运转带动输送辊转动，带动石英锭向落刀槽的顶部移动；

27.步骤四：启动切割电机，切割电机运转带动螺纹杆转动，由于螺纹杆、螺纹座之间螺纹连接，从而带动螺纹座在滑轨上移动，进而带动金刚石切割刀下降将石英锭进行切割，形成石英圆片；

28.步骤五：石英圆片落至输送机上输送至下一工序。

29.本发明的有益效果：

30.本发明的生产工艺中使用的石英材料是高纯石英母材(管、棒、砣)，通过晶锭切割、水切割、平面研磨、mc加工、脱脂洗净、化学洗净、包装，最终得到半导体级石英环，该生产工艺的优点是工艺路线简单，石英加工制品尺寸精度高，表面洗净洁净度高，可批量制造，能够满足目前半导体行业需求；

31.该生产工艺中通过使用晶锭切割设备对石英锭进行晶锭切割，通过将石英锭一端放置于输送辊上，启动压料气缸，压料气缸的活动杆延伸带动限位座下降将石英锭夹持，将石英锭另一端放入夹持机构的内腔中，石英锭位于安装杆的顶部，将固定杆贯穿一个固定板后螺纹连接在另一个固定板上，启动夹持气缸和拉伸气缸，夹持气缸的活动杆收缩，拉动其中一个安装板向连接板靠近，通过翻转板、连接臂带动另一个安装板也向连接板靠近，两个安装板相互靠近的过程中将石英锭的两侧夹持，拉伸气缸的活动杆收缩带动固定板下降，从而带动固定杆下降将石英锭的上侧夹持，启动移动电机，移动电机运转带动传动杆以及齿轮柱转动，由于齿轮柱、齿形板啮合连接，从而带动滑动底座在滑道滑动，启动输送电机，输送电机运转带动输送辊转动，带动石英锭向落刀槽的顶部移动，启动切割电机，切割电机运转带动螺纹杆转动，由于螺纹杆、螺纹座之间螺纹连接，从而带动螺纹座在滑轨上移动，进而带动金刚石切割刀下降将石英锭进行切割，形成石英圆片，石英圆片落至输送机上输送至下一工序；该晶锭切割设备通过限位座将石英锭一端夹持，夹持机构将石英锭另一端夹持，夹持稳定性高，避免了石英锭在切割时晃动导致切割不够平整，保证了晶锭切割的精确度，也降低了石英锭原料的损耗，通过移动电机和输送电机带动石英锭向落刀槽的顶部移动，在移动过程中夹持机构仍将石英锭进行夹持，而限位座通过若干个滚轮也能在不影响夹持效果时能够将石英锭移动，从而保持了石英锭前后切割的状态相同，避免成批石英环的误差大，也避免了重新夹持导致晶锭切割效率降低，自动化程度高，使用便捷。

附图说明

32.下面结合附图对本发明作进一步的说明；

33.图1是本发明中晶锭切割设备的结构示意图；

34.图2是本发明中夹持机构的结构示意图；

35.图3是本发明中夹持机构的内部俯视图；

36.图4是本发明中固定板、固定杆的连接视图；

37.图5是本发明中滑动底座的内部结构示意图；

38.图6是本发明中支撑架的内部结构示意图；

39.图7是本发明中限位座、滚轮的连接视图；

40.图8是本发明中支撑架的内部俯视图；

41.图中：101、安装架；102、输送机；103、支撑架；104、切割电机；105、压料气缸；106、滑道；107、夹持机构；701、滑动底座；702、移动电机；703、安装杆；704、安装板；705、夹持板；706、拉伸气缸；707、固定板；708、固定杆；709、连接板；710、翻转板；711、连接臂；712、夹持气缸；713、传动杆；714、齿轮柱；715、齿形板；301、支撑横板；302、支撑立板；303、限位座；304、金刚石切割刀；305、螺纹座；306、滑轨；307、螺纹杆；308、落刀槽；309、滚轮；310、输送辊；311、输送电机。

具体实施方式

42.下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

43.实施例1：

44.本实施例为一种半导体级石英环的生产工艺，包括以下步骤：

45.步骤一：将石英锭一端放置于晶锭切割设备的输送辊310上，通过限位座303夹持，将石英锭另一端放入夹持机构107的内腔中，通过夹持机构107夹持，通过移动电机702和输送电机311带动石英锭向落刀槽308的顶部移动，通过金刚石切割刀304将石英锭进行切割，形成石英圆片；

46.步骤二：将石英圆片放置于水切割机的平台上面进行内外径加工，形成石英圆环粗品，内外径余量为5mm,用于后续mc加工；

47.步骤三：将石英圆环粗品进行平面研削加工，保证平面度以及平行度要求达0.02mm以内，平面研削之后进行mc加工，通过mc将其余所有特征尺寸加工出来，得到石英圆环半成品；

48.步骤四：将石英圆环半成品进行脱脂洗净，洗净时间为0.5小时，主要用于去除产品表面的有机物；

49.步骤五：脱脂洗净之后进行纯水超声波清洗，洗净时间控制0.5小时，目的是去除石英产品表面残留的有机物、无机物和浮于产品表面的微粒；

50.步骤六：纯水超声波清洗后用质量分数为2

?

10％的聚天冬氨酸水溶液洗净，进行脱金属处理，通过聚天冬氨酸中的多羧基结构能够与金属离子形成高分子金属络合物，从而有效去除产品表面的金属元素；

51.步骤七：之后进行最终检查，检查项目包含尺寸要求，表面粗糙度要求，产品平面度，垂直度、表面轮廓度；

52.步骤八：再次进行脱脂洗净，洗净时间控制0.5小时，洗净温度控制在100℃，脱脂洗净后去除有机物、金属离子和颗粒；

53.步骤九：最后进行烘干，烘干温度为100℃，烘干时间为0.5小时以上，烘干之后进行包装，得到半导体级石英环。

54.实施例2：

55.请参阅图1

?

8所示，本实施例为晶锭切割设备，包括安装架101、输送机102、支撑架103、切割电机104、压料气缸105、滑道106、夹持机构107，安装架101的一端设置有输送机102，安装架101靠近输送机102的一端顶部安装有支撑架103，安装架101的顶部远离支撑架103的一端两侧均安装有滑道106，滑道106上滑动连接有夹持机构107；

56.夹持机构107包括滑动底座701、移动电机702、安装杆703、安装板704、夹持板705、拉伸气缸706、固定板707、固定杆708、连接板709、翻转板710、连接臂711、夹持气缸712、传动杆713、齿轮柱714、齿形板715，滑动底座701的顶部两端均嵌入安装有安装杆703，安装杆703的顶部两端均安装有安装板704，两个安装板704顶部相互靠近的一侧均竖直安装有夹持板705，两个安装板704顶部相互远离的一侧均竖直安装有两个拉伸气缸706，两个安装杆703的中部之间安装有连接板709，连接板709的顶部轴心处转动安装有翻转板710，翻转板710的两端顶部均转动安装有连接臂711，两个连接臂711的一端分别转动连接至两个安装板704上，其中一个安装板704的底部通过连接块连接至夹持气缸712的活动杆上，夹持气缸712嵌入安装在滑动底座701的顶部；

57.两个安装板704的正上方均设置有固定板707，固定板707安装在拉伸气缸706的活动杆上，其中一个安装板704的一侧上等距螺纹连接有若干个固定杆708，若干个固定杆708的一端活动贯穿另一个安装板704；

58.滑动底座701的一侧安装有移动电机702，滑动底座701的底部中间设置有齿形板715，齿形板715安装在安装架101的顶部，滑动底座701的内腔中转动安装有传动杆713，传动杆713的一端连接至移动电机702的输出轴上，传动杆713的中部套设有齿轮柱714，齿轮柱714与齿形板715啮合连接；

59.支撑架103包括支撑横板301、支撑立板302，支撑横板301的两端底部均安装有支撑立板302，两个支撑立板302分别安装在安装架101的顶部两侧，支撑横板301的两侧下方分别设置有限位座303、金刚石切割刀304，限位座303的顶部两端分别连接至两个压料气缸105的活动杆上，限位座303的底部呈弧形槽状，且弧形槽内壁上等弧度安装有若干个滚轮309，金刚石切割刀304的两端均安装有螺纹座305，螺纹座305位于支撑立板302的内腔中，支撑立板302的内壁上安装有滑轨306，螺纹座305与滑轨306滑动连接，支撑立板302的内腔中转动安装有螺纹杆307，螺纹杆307贯穿螺纹座305并与螺纹座305螺纹连接，两个螺纹杆307的顶端贯穿支撑横板301的两端并连接至两个切割电机104的输出轴上；

60.两个支撑立板302的底部之间安装有落刀槽308和输送辊310，落刀槽308位于金刚石切割刀304的正下方，输送辊310位于限位座303的正下方，其中一个支撑立板302的一侧底部安装有输送电机311，输送电机311的输出轴连接至输送辊310的一端上。

61.请参阅图1

?

8所示，实施例中的晶锭切割设备的工作过程如下：

62.步骤一：将石英锭一端放置于输送辊310上，启动压料气缸105，压料气缸105的活动杆延伸带动限位座303下降将石英锭夹持，将石英锭另一端放入夹持机构107的内腔中，石英锭位于安装杆703的顶部，将固定杆708贯穿一个固定板707后螺纹连接在另一个固定板707上；

63.步骤二：启动夹持气缸712和拉伸气缸706，夹持气缸712的活动杆收缩，拉动其中一个安装板704向连接板709靠近，通过翻转板710、连接臂711带动另一个安装板704也向连接板709靠近，两个安装板704相互靠近的过程中将石英锭的两侧夹持，拉伸气缸706的活动杆收缩带动固定板707下降，从而带动固定杆708下降将石英锭的上侧夹持；

64.步骤三：启动移动电机702，移动电机702运转带动传动杆713以及齿轮柱714转动，由于齿轮柱714、齿形板715啮合连接，从而带动滑动底座701在滑道106滑动，启动输送电机311，输送电机311运转带动输送辊310转动，带动石英锭向落刀槽308的顶部移动；

65.步骤四：启动切割电机104，切割电机104运转带动螺纹杆307转动，由于螺纹杆307、螺纹座305之间螺纹连接，从而带动螺纹座305在滑轨306上移动，进而带动金刚石切割刀304下降将石英锭进行切割，形成石英圆片；

66.步骤五：石英圆片落至输送机102上输送至下一工序。

67.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

68.以上内容仅仅是对本发明所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。技术特征：

1.一种半导体级石英环的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将石英锭一端放置于晶锭切割设备的输送辊(310)上，通过限位座(303)夹持，将石英锭另一端放入夹持机构(107)的内腔中，通过夹持机构(107)夹持，通过移动电机(702)和输送电机(311)带动石英锭向落刀槽(308)的顶部移动，通过金刚石切割刀(304)将石英锭进行切割，形成石英圆片；步骤二：将石英圆片放置于水切割机的平台上面进行内外径加工，形成石英圆环粗品；步骤三：将石英圆环粗品进行平面研削加工，平面研削之后进行mc加工，得到石英圆环半成品；步骤四：将石英圆环半成品进行脱脂洗净，洗净时间为0.5小时；步骤五：脱脂洗净之后进行纯水超声波清洗，洗净时间控制0.5小时；步骤六：纯水超声波清洗后进行脱金属处理；步骤七：之后进行最终检查，检查项目包含尺寸要求，表面粗糙度要求，产品平面度，垂直度、表面轮廓度；步骤八：再次进行脱脂洗净，洗净时间控制0.5小时，洗净温度控制在100℃；步骤九：最后进行烘干，烘干温度为100℃，烘干时间为0.5小时以上，烘干之后进行包装，得到半导体级石英环。2.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的生产工艺，其特征在于，所述晶锭切割设备包括安装架(101)、输送机(102)、支撑架(103)、切割电机(104)、压料气缸(105)、滑道(106)、夹持机构(107)，所述安装架(101)的一端设置有输送机(102)，所述安装架(101)靠近输送机(102)的一端顶部安装有支撑架(103)，所述安装架(101)的顶部远离支撑架(103)的一端两侧均安装有滑道(106)，所述滑道(106)上滑动连接有夹持机构(107)。3.根据权利要求2所述的一种半导体级石英环的生产工艺，其特征在于，所述夹持机构(107)包括滑动底座(701)、移动电机(702)、安装杆(703)、安装板(704)、夹持板(705)、拉伸气缸(706)、固定板(707)、固定杆(708)、连接板(709)、翻转板(710)、连接臂(711)、夹持气缸(712)、传动杆(713)、齿轮柱(714)、齿形板(715)，所述滑动底座(701)的顶部两端均嵌入安装有安装杆(703)，所述安装杆(703)的顶部两端均安装有安装板(704)，两个所述安装板(704)顶部相互靠近的一侧均竖直安装有夹持板(705)，两个所述安装板(704)顶部相互远离的一侧均竖直安装有两个拉伸气缸(706)，两个所述安装杆(703)的中部之间安装有连接板(709)，所述连接板(709)的顶部轴心处转动安装有翻转板(710)，所述翻转板(710)的两端顶部均转动安装有连接臂(711)，两个所述连接臂(711)的一端分别转动连接至两个安装板(704)上，其中一个所述安装板(704)的底部通过连接块连接至夹持气缸(712)的活动杆上，所述夹持气缸(712)嵌入安装在滑动底座(701)的顶部。4.根据权利要求3所述的一种半导体级石英环的生产工艺，其特征在于，两个所述安装板(704)的正上方均设置有固定板(707)，所述固定板(707)安装在拉伸气缸(706)的活动杆上，其中一个安装板(704)的一侧上等距螺纹连接有若干个固定杆(708)，若干个所述固定杆(708)的一端活动贯穿另一个安装板(704)。5.根据权利要求3所述的一种半导体级石英环的生产工艺，其特征在于，所述滑动底座(701)的一侧安装有移动电机(702)，所述滑动底座(701)的底部中间设置有齿形板(715)，所述齿形板(715)安装在安装架(101)的顶部，所述滑动底座(701)的内腔中转动安装有传

动杆(713)，所述传动杆(713)的一端连接至移动电机(702)的输出轴上，所述传动杆(713)的中部套设有齿轮柱(714)，所述齿轮柱(714)与齿形板(715)啮合连接。6.根据权利要求2所述的一种半导体级石英环的生产工艺，其特征在于，所述支撑架(103)包括支撑横板(301)、支撑立板(302)，所述支撑横板(301)的两端底部均安装有支撑立板(302)，两个所述支撑立板(302)分别安装在安装架(101)的顶部两侧，所述支撑横板(301)的两侧下方分别设置有限位座(303)、金刚石切割刀(304)，所述限位座(303)的顶部两端分别连接至两个压料气缸(105)的活动杆上，所述限位座(303)的底部呈弧形槽状，且弧形槽内壁上等弧度安装有若干个滚轮(309)，所述金刚石切割刀(304)的两端均安装有螺纹座(305)，所述螺纹座(305)位于支撑立板(302)的内腔中，所述支撑立板(302)的内壁上安装有滑轨(306)，所述螺纹座(305)与滑轨(306)滑动连接，所述支撑立板(302)的内腔中转动安装有螺纹杆(307)，所述螺纹杆(307)贯穿螺纹座(305)并与螺纹座(305)螺纹连接，两个所述螺纹杆(307)的顶端贯穿支撑横板(301)的两端并连接至两个切割电机(104)的输出轴上。7.根据权利要求6所述的一种半导体级石英环的生产工艺，其特征在于，两个所述支撑立板(302)的底部之间安装有落刀槽(308)和输送辊(310)，所述落刀槽(308)位于金刚石切割刀(304)的正下方，所述输送辊(310)位于限位座(303)的正下方，其中一个所述支撑立板(302)的一侧底部安装有输送电机(311)，所述输送电机(311)的输出轴连接至输送辊(310)的一端上。8.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的生产工艺，其特征在于，所述晶锭切割设备的工作过程如下：步骤一：将石英锭一端放置于输送辊(310)上，启动压料气缸(105)，压料气缸(105)的活动杆延伸带动限位座(303)下降将石英锭夹持，将石英锭另一端放入夹持机构(107)的内腔中，石英锭位于安装杆(703)的顶部，将固定杆(708)贯穿一个固定板(707)后螺纹连接在另一个固定板(707)上；步骤二：启动夹持气缸(712)和拉伸气缸(706)，夹持气缸(712)的活动杆收缩，拉动其中一个安装板(704)向连接板(709)靠近，通过翻转板(710)、连接臂(711)带动另一个安装板(704)也向连接板(709)靠近，两个安装板(704)相互靠近的过程中将石英锭的两侧夹持，拉伸气缸(706)的活动杆收缩带动固定板(707)下降，从而带动固定杆(708)下降将石英锭的上侧夹持；步骤三：启动移动电机(702)，移动电机(702)运转带动传动杆(713)以及齿轮柱(714)转动，由于齿轮柱(714)、齿形板(715)啮合连接，从而带动滑动底座(701)在滑道(106)滑动，启动输送电机(311)，输送电机(311)运转带动输送辊(310)转动，带动石英锭向落刀槽(308)的顶部移动；步骤四：启动切割电机(104)，切割电机(104)运转带动螺纹杆(307)转动，由于螺纹杆(307)、螺纹座(305)之间螺纹连接，从而带动螺纹座(305)在滑轨(306)上移动，进而带动金刚石切割刀(304)下降将石英锭进行切割，形成石英圆片；步骤五：石英圆片落至输送机(102)上输送至下一工序。

技术总结

本发明公开了一种半导体级石英环的生产工艺，涉及半导体高纯石英加工环领域，该生产工艺中使用的石英材料是高纯石英母材，通过晶锭切割、水切割、平面研磨、MC加工、脱脂洗净、化学洗净、包装，最终得到半导体级石英环，该生产工艺的优点是工艺路线简单，石英加工制品尺寸精度高，表面洗净洁净度高，可批量制造，能够满足目前半导体行业需求；该生产工艺中通过使用晶锭切割设备对石英锭进行晶锭切割，该晶锭切割设备通过限位座、夹持机构将石英锭夹持，夹持稳定性高，避免了石英锭在切割时晃动导致切割不够平整，保证了晶锭切割的精确度，也降低了石英锭原料的损耗，自动化程度高，使用便捷。使用便捷。使用便捷。

技术研发人员：杨军 房玉林 邹琴

受保护的技术使用者：江苏富乐德石英科技有限公司

技术研发日：2021.05.24

技术公布日：2021/9/9