随着通信技术的发展，电磁污染逐渐加重
电磁污染不仅威胁电子设备的工作，且危害人类的身体健康
因此，开发微波吸收能力强、工作频段宽、低密度和低成本的吸波材料迫在眉睫
典型的二维材料MoS2禁带宽度大，电导率低，较小的复介电常数实部有利于提高材料的阻抗匹配特性，可用作吸波材料的载体[1~4]
但是MoS2没有磁损耗性能，为提高其电磁损耗性能可将其与磁损耗材料复合[5~7]
Luo等[8]用水热法制备了一种多孔ZnO微球负载MoS2的复合材料，其厚度为2.5 mm时在11.84 GHz处的反射损耗最小可达-35.8 dB
He 等[9]用刻蚀法合成Ti3C2 MXene二维介电材料，并使用溶剂热法制备出CoFe2O4纳米粒子修饰的Ti3C2 MXene复合材料
这种材料在匹配厚度为1.5 mm时，最小反射损耗可达-30.9 dB
尽管磁性金属具有高饱和磁化强度，但是Snoek极限使其磁导率在高频迅速下降，导致二元介电-磁损耗复合材料在高频段电磁的损耗能力基地
一些研究人员试图引入更大各向异性的磁损耗材料突破Snoek极限[10]，但是制备高各向异性的磁性纳米颗粒的水雾法[11]、高能球磨法[12]的复杂工艺限制了这类材料的应用
通过热处理将CoFe2O4还原为CoFe并将其应用于催化[13, 14]和吸波[15, 16]领域，已有文献报道
Li等[15]在富碳环境下用热处理工艺制备C@CoFe纳米颗粒并将其与石墨烯混合制备出C@CoFe/rGO吸波泡沫，这种材料具有良好的抗压性能和阻燃性且其最大反射损耗可达-46.2 dB
这表明，在富碳环境下使用CoFe2O4为前驱体可制备具有优异的电磁损耗性能的CoFe/C复合材料
本文先用一锅法水热合成花状MoS2/CoFe2O4纳米复合材料，然后使用葡萄糖作为碳源和还原剂在氮气气氛下合成花状MoS2/CoFe/C纳米复合吸波材料，研究复杂富碳体系下碳源浓度对MoS2/CoFe/C复合材料吸波性能的影响
1 实验方法1.1 样品的制备
(1)将2.0 g CS(NH2)2、1 mL HCl和1.0 g Na2MoO4·2H2O均匀分散在140 mL去离子水中，超声处理5 min后装入200 mL的水热釜中，在200℃反应20 h后自然冷却至室温，然后离心分离出沉淀物并充分清洗，置于真空干燥箱干燥后得到MoS2粉体
(2)
声明：
“MoS2/CoFe/C复合材料的制备和吸波性能” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：张远,冀志江,解帅,王静,司甜甜
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2025年06月06日 ~ 08日 
