权利要求
1.一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片，包括芯片衬底(3)以及位于芯片衬底(3)顶部的多个发光单元(4);多个所述发光单元(4)沿芯片衬底(3)长度或宽度方向均匀布设，相互平行设置，且相邻两个发光单元(4)之间设置有间隔;所述芯片衬底(3)的下表面设置有焊料层(2)，焊料层(2)的下表面设置有热沉(1)，所述芯片衬底(3)通过焊料层(2)固定在热沉(1)的上表面，其特征在于：
所述芯片衬底(3)上设置有多个刻蚀槽，所述刻蚀槽的深度方向沿芯片衬底(3)厚度方向设置，多个刻蚀槽分别位于多个发光单元(4)下侧，并与发光单元(4)的位置相对应;
多个所述刻蚀槽内分别设置有与其形状相适配的沉积金属层(5)，所述沉积金属层(5)的底端面与芯片衬底(3)的下表面平齐且与焊料层(2)的上表面接触;
所述刻蚀槽的深度与芯片衬底(3)的厚度相同，其顶部宽度为发光单元(4)宽度的10%-150%，发光单元(4)的底部对应与芯片衬底(3)、沉积金属层(5)均相接;
或者，所述刻蚀槽的深度不小于芯片衬底(3)厚度的50%，其顶部宽度为发光单元(4)宽度的10%-150%，且开口朝下设置，发光单元(4)的底部与芯片衬底(3)的顶部相接。
2.根据权利要求1所述的一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片，其特征在于：
所述刻蚀槽在垂直于发光单元(4)长度方向的竖直平面内的投影形状为矩形、等腰梯形或阶梯形。
3.根据权利要求2所述的一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片，其特征在于：
所述刻蚀槽的深度与芯片衬底(3)的厚度相同，刻蚀槽的顶部宽度大于等于发光单元(4)宽度的10%，小于等于发光单元(4)宽度的50%，一个发光单元(4)的底面设置有多个刻蚀槽，多个刻蚀槽的布设方向与发光单元(4)布设方向相同且多个刻蚀槽相互平行设置，相邻两个刻蚀槽的距离为刻蚀槽顶部宽度的50%-100%;
或者，所述刻蚀槽的深度与芯片衬底(3)的厚度相同，刻蚀槽的顶部宽度大于发光单元(4)宽度的50%，小于等于发光单元(4)宽度的150%，一个发光单元(4)的底面设置有一个刻蚀槽。
4.根据权利要求2所述的一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片，其特征在
声明：
“采用图形化金属衬底的半导体激光芯片及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
240
编辑：中冶有色网
来源：中国科学院西安光学精密机械研究所
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年06月20日 ~ 22日 
