权利要求
1.一种氮化硅基陶瓷材料，其特征在于，其原料包括氮化硅和烧结助剂;所述烧结助剂包括氧化铝、氮化铝和氧化镱;
所述原料包括按重量份数计的如下组分：氮化硅80～92份，氧化铝2～4份，氮化铝3～8份，氧化镱3～8份。
2.根据权利要求1所述的氮化硅基陶瓷材料，其特征在于，所述烧结助剂的用量为所述原料总量的8～20wt%。
3.根据权利要求2所述的氮化硅基陶瓷材料，其特征在于，所述氮化硅、氧化铝、氮化铝和氧化镱的粒径为0.2～0.8μm。
4.根据权利要求2所述的氮化硅基陶瓷材料，其特征在于，所述氮化硅基陶瓷材料通过以下制备方法制备而成：
将氮化硅、烧结助剂与去离子水混合，并加入成型剂混合均匀后获得固含量为50～55%的水基浆料，之后进行球磨混合，在球磨过程中加入消泡剂和分散剂，球磨完成后采用喷雾干燥制得氮化硅基陶瓷材料。
5.根据权利要求4所述的氮化硅基陶瓷材料，其特征在于，所述成型剂的添加量为所述原料总含量的1～2wt%，所述消泡剂的添加量为所述原料总含量的0.1～0.5wt%，所述分散剂的添加量为所述原料总含量的1～2wt%。
6.根据权利要求5所述的氮化硅基陶瓷材料，其特征在于，所述成型剂选用聚乙二醇或聚乙烯醇;所述消泡剂选用正辛醇;所述分散剂选用聚丙烯酸。
7.根据权利要求1～6任一项所述的氮化硅基陶瓷材料，其特征在于，所述氮化硅基陶瓷材料的粒径为40～80μm，松装密度>0.8g/cm3。
8.一种陶瓷轴瓦的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，冷等静压，将如权利要求1-7任一项所述的氮化硅基陶瓷材料进行冷等静压得到圆柱形的陶瓷生坯;
S2，脱蜡和预烧，将所述陶瓷生坯在氮气保护气氛下负压载气脱蜡获得预烧陶瓷坯;
S3，气压烧结，将所述预烧陶瓷坯进行粗加工，之后送入烧结炉中，在含氮气体下进行气压烧结获得陶瓷轴瓦半成品;
S4，磨加工，将陶瓷轴瓦半成品进行磨加工，获得陶瓷轴瓦。
9.根据权利要求8所述的陶瓷轴瓦的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述冷等静压过程中，压力为250～280MPa，压制时间为8～10min。
声明：
“氮化硅基陶瓷材料及陶瓷轴瓦的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：宝山钢铁股份有限公司
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2025年09月25日 ~ 27日 
