权利要求
1.一种高纯氮化镓粉体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将镓源与含氮介质在等离子体反应体系中氮化反应得到氮化镓粉体,所述的含氮介质为氮气与水蒸气的混合气体。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的镓源为氧化镓或氯化镓。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的混合气体中氮气与水蒸气的体积比为9~19:1。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:将高纯的氧化镓或氯化镓粉末加入石墨舟中,安置到有介质阻挡放电的等离子体发生器的真空管式炉中,抽真空至5*10-3Pa后,充入纯度高于99.9999%的氮气,并通入高纯5%水蒸气,控制氮气-水蒸气气压为100kPa,将管式炉加热至850℃~950℃进行氮化,同时开启等离子发生器,在管式炉中,将氧化镓或氯化镓粉末在等离子体中间断式氮化10~30h,研磨至2~3μm,得到所述的氮化镓粉体。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述的等离子发生器的参数是:放电电压10~50kV,放电电流1~2mA/cm2,放电处理时间55~65min,氮等离子体密度1×109~1×1010cm-3,注入剂量3×1017~4×1017ions/cm2;研磨的条件是:行星球磨机,使用不锈钢珠,球料比为15:1,转速为200rpm,研磨时间为5h。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,将管式炉加热至900℃进行氮化,氧化镓或氯化镓粉末在等离子体中间断式氮化20h。
7.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:先将射频等离子体体系中抽真空至5*10-3Pa后,充入纯度高于99.9999%的氮气,并通入高纯5%水蒸气,控制氮气-水蒸气气压为100kPa,将高纯氧化镓或氯化镓粉末均匀的喷入射频等离子体体系中,同时开启等离子发生器,将反应炉加热至850℃~950℃氮化10~30h,研磨至2~3μm,得到所述的氮化镓粉体。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,等离子发生器的参数是:放电电压1.0~1.5kV,功率100~200W,放电处理时间8~12min,氮等离子体密度1×1010~1×1011cm-3,注入剂量1×1
声明:
“高纯氮化镓粉体的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)