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单晶石墨及其制备方法

165 编辑：中冶有色网来源：深圳清力技术有限公司

2025-11-10 16:48:52

权利要求 1.一种单晶石墨的制备方法，其特征在于，包括：将单晶金属衬底置于石墨基材的表面，并将所述单晶金属衬底和所述石墨基材置于加热设备的腔体中;其中，所述石墨基材作为单晶石墨生长的碳源; 当所述腔体内为非氧化性气氛，对所述单晶金属衬底和所述石墨基材加热，以在所述单晶金属衬底背离所述石墨基材的表面生长单晶石墨，并去除所述单晶金属衬底和所述石墨基材，得到单晶石墨。 2.如权利要求1所述的单晶石墨的制备方法，其特征在于，所述单晶金属衬底的材料为单晶镍、单晶铁、单晶钴、单晶铂、单晶钯、单晶镍基合金、单晶铁基合金、单晶钴基合金中的任一种。 3.如权利要求1所述的单晶石墨的制备方法，其特征在于，当所述石墨基材的厚度与所述单晶金属衬底的厚度之比为Q，Q≥5时，对所述单晶金属衬底和所述石墨基材加热，以在所述单晶金属衬底背离所述石墨基材的表面生长单晶石墨，并去除所述单晶金属衬底和所述石墨基材包括：所述加热设备升温至第一温度并恒温，对所述单晶金属衬底和所述石墨基材加热，以在所述单晶金属衬底背离所述石墨基材的表面生长单晶石墨; 所述加热设备继续升温至第二温度并恒温，将所述单晶金属衬底中的镍从所述石墨基材中渗透出来以消耗去除;所述第一温度小于所述第二温度; 去除所述石墨基材。 4.如权利要求1所述的单晶石墨的制备方法，其特征在于，当所述石墨基材的厚度与所述单晶金属衬底的厚度之比为Q，Q≥5时，对所述单晶金属衬底和所述石墨基材加热，以在所述单晶金属衬底背离所述石墨基材的表面生长单晶石墨，并去除所述单晶金属衬底和所述石墨基材包括：所述加热设备升温至第二温度并恒温，对所述单晶金属衬底和所述石墨基材加热，以在所述单晶金属衬底背离所述石墨基材的表面生长单晶石墨，并将所述单晶金属衬底中的单晶金属渗透进所述石墨基材中以消耗去除; 去除所述石墨基材。 5.如权利要求1所述的单晶石墨的制备方法，其特征在于，当所述石墨基材的厚度与所述单晶金属衬底的厚度之比为Q，0.5≤Q<5时，对所述单晶金属衬底和所述石墨基材加热，以在所述单晶金属衬底背离所述石墨基材的表面生长单晶石墨，并去除所述单晶金属衬底和所述石墨基材包括：所

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