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p-BN/i-Ga2O3/n-Ga2O3的日盲型紫外探测器

1185   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-02-28 01:00:10
本实用新型公开了一种p‑BN/i‑Ga2O3/n‑Ga2O3的日盲型紫外探测器,包括:衬底、n型Ga2O3层、i型Ga2O3层、p型BN层、n型欧姆电极和p型欧姆电极;n型Ga2O3层位于衬底上;i型Ga2O3层和n型欧姆电极均位于n型Ga2O3层上,i型Ga2O3层和n型欧姆电极之间间隔设置;p型BN层位于i型Ga2O3层上;p型欧姆电极位于p型BN层上;其中,p型BN层采用纤矿型氮化硼材料,且p型BN层厚度为50‑100nm。本实用新型通过采用纤锌矿型氮化硼作为p型层,使得p型掺杂激活能只有31meV,可以使得p型BN层较易实现1×1018cm‑3以上的空穴浓度,使得P型氮化硼材料的电阻率可以降到12Ω.cm以下,由于p型BN层能够有效地提供空穴并与金属电极形成良好的欧姆接触,使得探测器的响应时间缩短、量子效率以及光谱响应度提升。
声明:
“p-BN/i-Ga2O3/n-Ga2O3的日盲型紫外探测器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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