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抗侵蚀钼合金电极及其制造方法

842   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:01:02
本发明公开了一种抗侵蚀钼合金电极及其制造方法,通过固‑液掺杂和多元素球磨掺杂制成,再结晶温度高于1300℃,其微观组织为均匀的尺寸为20~70μm的晶粒,并由如下重量百分比的组分组成:ZrO23~5wt%、Si 0.8~1.2wt%、B 0.1~0.5wt%、GeO20.001~3wt%、SnO20.001~3wt%、Bi2O30.001~3wt%、W 0~5wt%和Al2O30~4wt%,余量为Mo及不可剔除的杂质。本发明通过合理的控制氧化锆的含量及Mo‑Si‑B合金的硅含量和硼含量的配比,能够很好的保证合金具有良好的抗侵蚀能力,高的再结晶温度和高温性能,同时又有很好的加工性能。此外,本发明钼合金电极中还掺入其他针对性微量元素,以提高其对于不同玻璃液的抗侵蚀性能。
声明:
“抗侵蚀钼合金电极及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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