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多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿忆阻器

999   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-01 00:40:06
本发明所述的一种多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿忆阻器,该结构由顶电极层,金属卤化物钙钛矿层、底电极层以及衬底层构成。顶电极层为金或银纳米线,纳米线直径70nm,长度为20μm;阻变层为多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿层,厚度为100‑200nm;底电极层主要为铂,厚度为30~70nm;衬底层,厚度为520~530μm。本发明具有如下优点:制备了一种多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿,该结构可有效控制阻变过程粒子的迁移路径,降低导电通道形成的随机性,为忆阻器性能的提升优化提供了方法。本发明采用选旋涂法,制备方法简单,成本较低,在非易失性存储器、存算一体器件、神经突触模拟等领域应用广泛,有利于探索性能优异的阻变器件。
声明:
“多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿忆阻器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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