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有机薄膜晶体管及其制备方法

961   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 15:11:01
本发明公开了一种有机薄膜晶体管，包括Si基板，其特征在于：所述Si基板的背面设置栅电极，所述Si基板的正面设置有单层或者多层有机栅绝缘膜，所述有机栅绝缘膜的上端蒸镀有漏电极和源电极，所述漏电极、源电极和有机栅绝缘膜的表面覆盖有有机半导体膜。该晶体管引入了有机绝缘层，代替传统的SiO2绝缘层，降低了工艺温度，简化了制作过程，可在常温下制备，并且适合大面积器件的制作。
声明：
“有机薄膜晶体管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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