本发明涉及一种基于GaN/CsPbBrxI3‑x异质结的光响应型LED及其制备方法和应用。本发明的光响应型LED由蓝宝石氮化镓基片、全无机钙钛矿CsPbBrxI3‑x薄膜、铟电极、碳电极组成,是一种In/GaN/CsPbBrxI3‑x/C结构,其中:CsPbBrxI3‑x薄膜中0
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