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相变材料的制备方法

1055   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:04:14
一种相变材料的制备方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层,其中0.1≤x≤0.9;在所述Si-SbxTe1-x复合材料的结晶温度之上,对所述Si-SbxTe1-x执行第一次退火工艺,使得其中的非晶Si和SbxTe1-x晶体形成分相;将退火后分相的非晶Si与SbxTe1-x的复合材料置于氢气氛中执行第二次退火工艺,使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料;对所述微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料执行加热退火脱氢工艺。相较于现有技术,本发明制备的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料,微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右,缺陷比非晶态Si少,能有效抑制氧化,阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散,具有更稳定的特性。
声明:
“相变材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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