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中空结构的碳包覆硅负极材料的制备方法

767   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:09:18
本发明公开一种中空结构的碳包覆硅负极材料的制备方法,包括:对铜粉进行清洗,得到预处理铜粉;将硅烷偶联剂、有机溶剂按照质量比1:1加入去离子水中溶解形成硅烷化处理液;将预处理铜粉加入硅烷化处理液中,在水浴加热条件下充分搅拌,静置、干燥得硅烷化铜粉;将硅烷化铜粉、有机碳源和溶剂混合均匀,干燥得到前驱物;初步烧结得硅/碳/氧化铜复合材料;经酸洗溶液去除其中的金属离子,得到中空结构的硅/碳复合材料;二次烧结处理即可得到中空结构的碳包覆硅负极材料。本发明制备的负极材料中的硅能够均匀分布在碳包覆层的内层,中空的结构能够有效抑制硅充放电过程中的硅体积效应,有效提高材料的循环稳定性。
声明:
“中空结构的碳包覆硅负极材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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