本发明公开了一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构,该结构主要包括InP基光电探测器外延层、耦合层、薄膜铌酸锂光波导、缓冲层和衬底;InP基光电探测器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方,缓冲层和衬底依次分布于薄膜铌酸锂光波导下方;沿薄膜铌酸锂光波导传输至InP基光电探测器的光信号通过倏逝波耦合机制,从薄膜铌酸锂光波导透过耦合层先耦合进入其正上方的InP基锥形过渡区,再进入InP基光电探测器外延层,实现薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器外延层片上异质集成,满足薄膜铌酸锂光芯片和InP基光电探测器芯片的低损耗异质集成需求。
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