改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法与流程

1.本发明涉及表面处理领域，具体是一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法。

背景技术：

2.随着电子技术的快速发展，电子器件向集成化、多功能化方向发展；印刷电路板是一种不可或缺的电子部件，因良好的导热性、气密性，陶瓷基板被广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子、等诸多领域中.现有市场最常见的陶瓷基板是以氧化铝为基材，其具有与半导体硅相匹配的高热稳定性、化学稳定性、低介电常数、热膨胀系数且成本低.想要利用氧化铝陶瓷基板，首先应对其表面进行金属化，目前陶瓷基板金属化的方法主要有：高温烧结被银法、真空蒸发镀膜法、磁控溅射法、化学气相沉积法、化学镀等.

3.化学镀是工业生产中常用的一种方法，具有设备简单、价格便宜、便于批量生产等优点；陶瓷基板表面进行自催化和氧化还原反应的过程被称为化学镀铜；然而现有市场中陶瓷基板表面进行化学镀铜时，存在以下常见缺陷：镀层厚度不均匀达标、陶瓷基板与铜镀层之间的结合力不佳、甚至是镀后经过高温烘烤，镀层因结合力差引起脱皮等不良问题。

技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，以解决现有技术中的问题。

5.本发明提供一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，控制镀层厚度及均匀性，提供陶瓷基板化学镀铜与电镀铜相结合的生产工艺，先在陶瓷基板表面化学镀铜，该镀层作为种子(导电)层，再电镀铜层来增加铜的总厚度，以满足产品特殊要求。

6.为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

7.一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，包括以下步骤：

8.s1：以水为溶剂，其中加入氢氧化钠占比为34-36％，磷酸盐占比为16-18％，碳酸盐占比为2-3％制备蚀刻液，将陶瓷基板放入蚀刻液中，在65-70℃下蚀刻1h；

9.s2：以水为溶剂，其中二亚乙基三胺占比为19-20％，乙二醇衍生物占比为19-20％，表面活性剂占比为0.1-0.15％制备脱脂液，将陶瓷基板放入脱脂液中，在55-60℃下脱脂3-5min；

10.s3：以水为溶剂，其中硫酸氢钠占比为14-16％，氯化物占比为84-86％制备浸渍液，水洗后在浸渍液中浸渍0.5-1min；

11.s4：以水为溶剂，其中氯化亚锡占比为32-33％，盐酸占比为10-12％，钯化合物占比为0.6％制备预活化剂；以水为溶剂，其中硫酸氢钠占比为14-16％，预活化剂占比为84-86％制备活化剂，将陶瓷基板放入活化剂中，在33-37℃下用活化剂活化3-5min；

12.s5：以水为溶剂，其中氟硼酸占比为19-20％，硼酸占比为0.9-1％制备解胶液，用纯水冲洗后，在解胶液中浸渍1-2min；

13.s6：在35-36℃下在化学镀铜液中进行化学镀铜10-15min；

四甲基-4,4'-联吡啶；金属钠在反应前以极细颗粒分散在thf中，否则随着中间产物在金属表面的沉积而迅速减缓甚至停止偶联；投料过程中，限定金属钠与2,6-二甲基吡啶的投料比，有利于提高偶联速度，减少剩余的2,6-二甲基吡啶对产物结晶的影响；2,6-二甲基吡啶的反应浓度为0.4-0.5mol/l，当反应浓度增大时，中间产物的沉积迅速增加而阻止反应进行；反应过程严格除氧并避光。

33.在氧化阶段中用空气氧化中间产物前需要将多余金属钠过滤，避免过量的钠被空气氧化而发生危险；2,6-二甲基吡啶的反应停止后除去大部分钠盐，蒸除四氢呋喃，残余固体用二氯甲烷溶解，充分去除各种可能的盐，后续重结晶过程中避免盐的残留；可一次性制备收率高、纯度好的2,2',6,6'-四甲基-4,4'-联吡啶，直接进行羧基化反应。

34.将2,2',6,6'-四甲基-4,4'-联吡啶加入到三氧化铬、95％浓硫酸中进行羧基化，限定操作顺序，确保羧基化过程温和充分，避免部分碳化；反应温度控制在18-25℃，避免联吡啶单元的氧化；用冰块和乙醇(v:v＝1:1)加入到反应液中，并将混合物冷冻至-12℃静置过夜，充分析出，减少分离步骤和结晶过程的损失；经过氧化，得到甲基充分氧化的2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶。

35.本发明的有益效果：

36.本发明提供一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，将aln陶瓷基板通过化学镀与电镀法相结合，使陶瓷表面金属化来替代磁控溅射薄膜法，使制备的陶瓷基板获得厚度均匀、性能良好的铜层，大幅提高陶瓷基板表面电镀铜结合力，延长陶瓷基板的使用寿命。

37.通过镀前蚀刻粗化陶瓷表面，优化相关工艺参数，解决了陶瓷基板与铜镀层之间的结合力，并且在高温300-350℃烘烤5-10min镀层无起泡脱皮；先将陶瓷基板化学镀铜，获得厚度为0.5-1μm的均匀铜层，再次与电镀铜工艺相结合，镀层厚度可达20μm-30μm，得到优良镀层；

38.采用简便、环保的方法制备2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶，并限定其作为化学镀铜的络合剂加入化学镀液中，来大幅提高陶瓷基板与铜层之间的高温结合力；优化2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶的合成，克服了现有合成中步骤多、耗时长、污染大的缺点；

39.通过限定络合剂加入化学镀铜液的成分及含量，得到高效的化学镀铜液，有效提高种子层的导电能力，提高化学镀铜层的镀层厚度及均匀性，大幅提高电解镀铜的效率与速度，提升陶瓷基板与铜层的结合能力。

具体实施方式

40.下面将结合本发明的实施例，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

41.需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示诸如上、下、左、右、前、后

……

，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态如各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的

结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

42.以下结合具体实施例对本发明的技术方案做进一步详细说明，应当理解，以下实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

43.实施例1

44.一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，包括以下步骤：

45.s1：以水为溶剂，其中加入氢氧化钠占比为34％，磷酸盐占比为16％，碳酸盐占比为2％制备蚀刻液，将陶瓷基板放入蚀刻液中，在65℃下蚀刻1h；

46.s2：以水为溶剂，其中二亚乙基三胺占比为19％，乙二醇衍生物占比为19％，表面活性剂占比为0.1％制备脱脂液，将陶瓷基板放入脱脂液中，在55℃下脱脂3min；

47.s3：以水为溶剂，其中硫酸氢钠占比为14％，氯化物占比为84％制备浸渍液，水洗后在浸渍液中浸渍0.5min；

48.s4：以水为溶剂，其中60ml/l氯化亚锡占比为32％，盐酸占比为10％，钯化合物占比为0.6％制备预活化剂；以水为溶剂，其中270g/l硫酸氢钠占比为14％，预活化剂占比为84％制备活化剂，将陶瓷基板放入活化剂中，在33℃下用活化剂活化3min；

49.s5：以水为溶剂，其中氟硼酸占比为19％，硼酸占比为0.9％制备解胶液，用纯水冲洗后，在解胶液中浸渍1min；

50.s6：在35℃下在化学镀铜液中进行化学镀铜10min；

51.化学镀铜液的组成为，以水为溶剂，络合剂为100ml/l，铜为50g/l，添加剂为14ml/l，30％氢氧钠为15ml/l，稳定剂为50ml/l，37％hcho为5ml/l；

52.添加剂为酒石酸钾钠；稳定剂为硫酸；

53.络合剂为2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶，制备包括以下步骤：

54.(1)氮气保护下，将0.22g钠加入100ml烧瓶中，加入20ml无水四氢呋喃、10mmol2,6-二甲基吡啶，黑暗条件下在18-25℃下搅拌12-16h；

55.(2)减压条件下蒸除无水四氢呋喃，加去离子水10ml，加热至45℃鼓入空气5min，抽滤，用二氯甲烷、石油醚重结晶，得2,2',6,6'-四甲基-4,4'-联吡啶，过量的原料2,6-二甲基吡啶随水层滤出，对水层进行分液处理可以回收该原料；

56.(3)28mmol三氧化铬溶入10ml98％的浓硫酸中，将1g2，2'-6，6'-四甲基-4，4'-联吡啶分作6次加入搅拌10h，升温至45℃保持0.5-1h；停止加热后加入4g冰块和4ml的乙醇，冷却至-12℃，析出沉淀，静置，离心，抽滤，并用冷水洗涤，得2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶；

57.s7：用纯水冲洗后，在50℃下在电解液中进行镀铜170-180min；

58.电解液的组成为，以水为溶剂，焦磷酸铜为60g/l，焦磷酸钾为330g/l，氢氧化铵为0.1ml/l，氨水为1ml/l；电解的电流密度为0.5asd；

59.s8：纯水冲洗后，在145℃下烘烤30min，得到镀铜后陶瓷基板。

60.实施例2

61.一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，包括以下步骤：

62.s1：以水为溶剂，其中加入氢氧化钠占比为35％，磷酸盐占比为17％，碳酸盐占比为3％制备蚀刻液，将陶瓷基板放入蚀刻液中，在68℃下蚀刻1h；

63.s2：以水为溶剂，其中二亚乙基三胺占比为19.8％，乙二醇衍生物占比为19.8％，表面活性剂占比为0.1％制备脱脂液，将陶瓷基板放入脱脂液中，在58℃下脱脂4min；

64.s3：以水为溶剂，其中硫酸氢钠占比为15％，氯化物占比为85％制备浸渍液，水洗后在浸渍液中浸渍0.8min；

65.s4：以水为溶剂，其中60ml/l氯化亚锡占比为32.8％，盐酸占比为11％，钯化合物占比为0.6％制备预活化剂；以水为溶剂，其中270g/l硫酸氢钠占比为15％，预活化剂占比为85％制备活化剂，将陶瓷基板放入活化剂中，在35℃下用活化剂活化4min；

66.s5：以水为溶剂，其中氟硼酸占比为19.3％，硼酸占比为0.9％制备解胶液，用纯水冲洗后，在解胶液中浸渍1.5min；

67.s6：在35.5℃下在化学镀铜液中进行化学镀铜12min；

68.化学镀铜液的组成为，以水为溶剂，络合剂为100ml/l，铜为50g/l，添加剂为14ml/l，30％氢氧钠为15ml/l，稳定剂为50ml/l，37％hcho为5ml/l；

69.添加剂为乙二胺四乙酸二钠；稳定剂为硫酸；

70.络合剂为2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶，制备包括以下步骤：

71.(1)氮气保护下，将0.25g钠加入100ml烧瓶中，加入20ml无水四氢呋喃、10mmol2,6-二甲基吡啶，黑暗条件下在20℃下搅拌14h；

72.(2)减压条件下蒸除无水四氢呋喃，加去离子水10ml，加热至46℃鼓入空气5-8min，抽滤，用二氯甲烷、石油醚重结晶，得2,2',6,6'-四甲基-4,4'-联吡啶，过量的原料2,6-二甲基吡啶随水层滤出，对水层进行分液处理可以回收该原料；

73.(3)28mmol三氧化铬溶入10ml98％的浓硫酸中，将1g2，2'-6，6'-四甲基-4，4'-联吡啶分作7次加入搅拌10h，升温至46℃保持0.8h；停止加热后加入4g冰块和4ml的乙醇，冷却至-12℃，析出沉淀，静置，离心，抽滤，并用冷水洗涤，得2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶；

74.s7：用纯水冲洗后，在52℃下在电解液中进行镀铜170-180min；

75.电解液的组成为，以水为溶剂，焦磷酸铜为60g/l，焦磷酸钾为330g/l，氢氧化铵为0.2ml/l，氨水为2ml/l；电解的电流密度为0.5asd；

76.s8：纯水冲洗后，在148℃下烘烤30min，得到镀铜后陶瓷基板。

77.实施例3

78.一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，包括以下步骤：

79.s1：以水为溶剂，其中加入氢氧化钠占比为36％，磷酸盐占比为18％，碳酸盐占比为3％制备蚀刻液，将陶瓷基板放入蚀刻液中，在70℃下蚀刻1h；

80.s2：以水为溶剂，其中二亚乙基三胺占比为20％，乙二醇衍生物占比为20％，表面活性剂占比为0.15％制备脱脂液，将陶瓷基板放入脱脂液中，在60℃下脱脂5min；

81.s3：以水为溶剂，其中硫酸氢钠占比为16％，氯化物占比为86％制备浸渍液，水洗后在浸渍液中浸渍1min；

82.s4：以水为溶剂，其中60ml/l氯化亚锡占比为33％，盐酸占比为12％，钯化合物占比为0.6％制备预活化剂；以水为溶剂，其中270g/l硫酸氢钠占比为16％，预活化剂占比为86％制备活化剂，将陶瓷基板放入活化剂中，在37℃下用活化剂活化5min；

83.s5：以水为溶剂，其中氟硼酸占比为20％，硼酸占比为1％制备解胶液，用纯水冲洗

后，在解胶液中浸渍2min；

84.s6：在36℃下在化学镀铜液中进行化学镀铜15min；

85.化学镀铜液的组成为，以水为溶剂，络合剂为100ml/l，铜为50g/l，添加剂为14ml/l，30％氢氧钠为15ml/l，稳定剂为50ml/l，37％hcho为5ml/l；

86.添加剂为酒石酸钾钠；稳定剂为硫酸；

87.络合剂为2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶，制备包括以下步骤：

88.(1)氮气保护下，将0.26g钠加入100ml烧瓶中，加入20ml无水四氢呋喃、10mmol2,6-二甲基吡啶，黑暗条件下在25℃下搅拌16h；

89.(2)减压条件下蒸除无水四氢呋喃，加去离子水10ml，加热至48℃鼓入空气8min，抽滤，用二氯甲烷、石油醚重结晶，得2,2',6,6'-四甲基-4,4'-联吡啶，过量的原料2,6-二甲基吡啶随水层滤出，对水层进行分液处理可以回收该原料；

90.(3)28mmol三氧化铬溶入10ml98％的浓硫酸中，将1g2，2'-6，6'-四甲基-4，4'-联吡啶分作8次加入搅拌10h，升温至48℃保持1h；停止加热后加入4g冰块和4ml的乙醇，冷却至-12℃，析出沉淀，静置，离心，抽滤，并用冷水洗涤，得2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶；

91.s7：用纯水冲洗后，在55℃下在电解液中进行镀铜180min；

92.电解液的组成为，以水为溶剂，焦磷酸铜为60g/l，焦磷酸钾为330g/l，氢氧化铵为0.3ml/l，氨水为3ml/l；电解的电流密度为0.5asd；

93.s8：纯水冲洗后，在150℃下烘烤30min，得到镀铜后陶瓷基板。

94.对比例1

95.以实施例2为对照组，没有进行化学镀铜，其他工序正常。

96.对比例2

97.以实施例2为对照组，用2,2-联吡啶替换2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶，其他工序正常。

98.对比例3

99.以实施例2为对照组，钠、2,6-二甲基吡啶的质量摩尔比为0.2g:10mmol，其他工序正常。

100.对比例4

101.以实施例2为对照组，钠、2,6-二甲基吡啶的质量摩尔比为0.28g:10mmol，其他工序正常，其他工序正常。

102.性能测试：对实施例1-3、对比例1-4所制得的陶瓷基板进行性能测试；将所得陶瓷基板在高温350℃烘烤10min，观察镀层情况；参考gb4722-2017对陶瓷基板的介电常数和介质损耗进行测试；参考gb/t36476-2018对陶瓷基板的热导率进行测试，结果如表1；

[0103][0104]

表1

[0105]

实施例1-3为按照本发明改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，实施例1-3将aln陶瓷基板通过化学镀与电镀法相结合，使陶瓷表面金属化来替代磁控溅射薄膜法，使制备的陶瓷基板获得厚度均匀、性能良好的铜层，大幅提高陶瓷基板表面电镀铜结合力，延长陶瓷基板的使用寿命。

[0106]

将实施例1与对比例1进行对比可知，通过镀前蚀刻粗化陶瓷表面，优化相关工艺参数，解决了陶瓷基板与铜镀层之间的结合力，并且在高温300-350℃烘烤5-10min镀层无起泡脱皮；先将陶瓷基板化学镀铜，获得厚度为0.5-1μm的均匀铜层，再次与电镀铜工艺相结合，镀层厚度可达20μm-30μm，得到优良镀层。

[0107]

将实施例1与对比例2、对比例3进行对比可知，用2,6-二甲基吡啶作原料，用金属钠、空气作为偶联剂和氧化剂合成2,2',6,6'-四甲基-4,4'-联吡啶；投料过程中，限定金属钠与2,6-二甲基吡啶的投料比，有利于提高偶联速度，减少剩余的2,6-二甲基吡啶对产物结晶的影响，得到高效的化学镀铜液，有效提高种子层的导电能力，提高化学镀铜层的镀层厚度及均匀性，大幅提高电解镀铜的效率与速度，提升陶瓷基板与铜层的结合能力；

[0108]

将实施例1与对比例4进行对比可知，采用简便、环保的方法制备2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶，2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶中不仅含有2个吡啶n配位点，还含有4个羧基，既能借助n与陶瓷基板、铜层之间形成强的络合，也可借助羧基在分子间形成强的非共价键合力，多羧基与吡啶n配位点的协同作用确保了陶瓷基板与铜层的结合强度，多羧基的非共价键能确结合层的强度，而n配体的络合则确保在陶瓷基板表面稳定的沉积而不致脱落。

[0109]

综上，通过限定添加的组分及工艺设计，使制备的陶瓷基板铜层表面厚度均匀，在提高力学强度的同时大幅提升覆铜陶瓷基板的导热率，延长陶瓷基板的使用寿命，具有良好的应用前景。

[0110]

以上所述仅为本发明的为实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发

明的发明构思下，利用本发明说明书所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。技术特征：

1.一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，其特征在于，包括以下步骤：s1：以水为溶剂，其中加入氢氧化钠占比为34-36％，磷酸盐占比为16-18％，碳酸盐占比为2-3％制备蚀刻液，将陶瓷基板放入蚀刻液中，在65-70℃下蚀刻1h；s2：以水为溶剂，其中二亚乙基三胺占比为19-20％，乙二醇衍生物占比为19-20％，表面活性剂占比为0.1-0.15％制备脱脂液，将陶瓷基板放入脱脂液中，在55-60℃下脱脂3-5min；s3：以水为溶剂，其中硫酸氢钠占比为14-16％，氯化物占比为84-86％制备浸渍液，水洗后在浸渍液中浸渍0.5-1min；s4：以水为溶剂，其中氯化亚锡占比为32-33％，盐酸占比为10-12％，钯化合物占比为0.6％制备预活化剂；以水为溶剂，其中硫酸氢钠占比为14-16％，预活化剂占比为84-86％制备活化剂，将陶瓷基板放入活化剂中，在33-37℃下用活化剂活化3-5min；s5：以水为溶剂，其中氟硼酸占比为19-20％，硼酸占比为0.9-1％制备解胶液，用纯水冲洗后，在解胶液中浸渍1-2min；s6：在35-36℃下在化学镀铜液中进行化学镀铜10-15min；s7：用纯水冲洗后，在50-55℃下在电解液中进行镀铜170-180min；s8：纯水冲洗后，在145-150℃下烘烤30min，得到镀铜后陶瓷基板。2.根据权利要求1所述的一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，其特征在于，电解液的组成为，以水为溶剂，焦磷酸铜为60g/l，焦磷酸钾为330g/l，氢氧化铵为0.1-0.3ml/l，氨水为1-3ml/l。3.根据权利要求1所述的一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，其特征在于，化学镀铜液的组成为，以水为溶剂，络合剂为100ml/l，铜为50g/l，添加剂为14ml/l，30％氢氧钠为15ml/l，稳定剂为50ml/l，37％hcho为5ml/l。4.根据权利要求1所述的一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，其特征在于，电解的电流密度为0.5asd。5.根据权利要求1所述的一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，其特征在于，添加剂为酒石酸钾钠、乙二胺四乙酸二钠中一种。6.根据权利要求1所述的一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，其特征在于，稳定剂为硫酸、盐酸中一种。7.根据权利要求1所述的一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，其特征在于，所述络合剂为2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶，制备包括以下步骤：(1)氮气保护下，将钠、无水四氢呋喃、2,6-二甲基吡啶，黑暗条件下在18-25℃下搅拌12-16h；(2)减压条件下蒸除无水四氢呋喃，加去离子水，加热至45-48℃鼓入空气5-8min，抽滤，用二氯甲烷、石油醚重结晶，得2,2',6,6'-四甲基-4,4'-联吡啶；(3)三氧化铬溶入浓硫酸中，将2，2'-6，6'-四甲基-4，4'-联吡啶分作6-8次加入搅拌10h，升温至45-48℃保持0.5-1h；停止加热后加入冰块和乙醇，冷却至-12℃，析出沉淀，静置，离心，抽滤，并用冷水洗涤，得2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶。8.根据权利要求7所述的一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，其特征在于，所述钠、2,6-二甲基吡啶的质量摩尔比为(0.22-0.26)g:10mmol；钠、无水四氢呋喃的质量体

积比为0.25g:20ml。9.根据权利要求7所述的一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，其特征在于，所述2，2'-6，6'-四甲基-4，4'-联吡啶、三氧化铬的质量摩尔比为1g:28mmol。10.根据权利要求7所述的一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，其特征在于，所述冰块和乙醇的质量体积比为4g:4ml。

技术总结

本发明提供一种改善陶瓷基板表面电镀铜结合力的方法，将ALN陶瓷基板通过化学镀与电镀法相结合，使陶瓷表面金属化来替代磁控溅射薄膜法，使制备的陶瓷基板获得厚度均匀、性能良好的铜层，大幅提高陶瓷基板表面电镀铜结合力，延长陶瓷基板的使用寿命；通过镀前蚀刻粗化陶瓷表面，优化相关工艺参数，解决了陶瓷基板与铜镀层之间的结合力，在高温300-350℃烘烤5-10min镀层无起泡脱皮；采用简便、环保的方法制备2,2',6,6'-四羧基-4,4'-联吡啶，通过限定络合剂加入化学镀铜液的成分及含量，得到高效的化学镀铜液，有效提高种子层的导电能力，提高化学镀铜层的镀层厚度及均匀性，大幅提高电解镀铜的效率与速度，提升陶瓷基板与铜层的结合能力。结合能力。

技术研发人员：李辛未 贺贤汉 李炎 马敬伟 张恩荣

受保护的技术使用者：江苏富乐华半导体科技股份有限公司

技术研发日：2022.04.13

技术公布日：2022/9/2