1.本发明涉及半导体技术领域，具体是陶瓷覆铝衬板的制备方法。
背景技术：
2.陶瓷覆铝衬板作为一种绝缘封装衬板应用于电子电路而取得长足进展，尽管它的特性在很多方面相似于陶瓷覆铜基板。对于陶瓷覆铜衬板，例如，铜和氧化铝覆接的温度较高(大于1000℃)，界面会形成比较硬的产物cualo2，所以覆接铜的氧化铝基板的内应力较大，抗热震动性能相对较差，在使用中常常因疲劳而损坏。
3.铝和铜相比，具有较低的熔点，低廉的价格和良好的塑性，纯铝的熔点只有660℃，金属铝和氧化铝陶瓷基板的覆接是物理湿润，在界面上没有化学反应，而且纯铝所具有的优良的塑性能够有效缓解界面因热膨胀系数不同引起的热应力，研究也证实al/al2o3陶瓷基板具有非常优良的抗热震性能。
4.陶瓷覆铝衬板的制备难点在于：1.铝与大多数陶瓷基板的润湿性很差，当温度低于700℃时，铝与陶瓷的润湿角大于90
°
基本不会对瓷片进行润湿，即无法有效键合；温度升高至900℃以上时，其浸润性明显增强，但此时温度高于铝的熔点，基板成型困难；2.电力电子应用中采用陶瓷覆铝衬板作为绝缘封装材料，其对热导率、电导率要求高，这需要覆铝基板采用的铝箔纯度为3n99及以上，同时在制备过程中也需要避免过多的引入其他杂质元素。
5.目前主要公开的制备陶瓷覆铝衬板的技术，即dba技术，其实际上是采用高温铝液进行浇铸或压铸成型。这种方法，对模具要求高及对熔体处理工艺要求高，而且成本高，量产难。第二种方法是，采用溅射等工艺对陶瓷进行表面预处理，这种方法的溅射设备成本高，不宜量产。第三种是采用热浸镀铝的方法，该方法无法形成均匀的铝膜，需要后续加工，并且熔体洁净度难以控制，气孔、氧化、夹杂等缺陷，直接影响基板的电导率等重要特征。
6.目前公开相关技术专利如下；
7.us6183875 b1中提出采用一种特殊工装模具，将熔融的铝熔体倒入模具中，然后将瓷片浸入熔体，再进行冷却。其熔体温度较高，形成有效键合；同时提出引入ti活性金属进行直接钎焊对比，结果表明直接在焊料中引入ti活性金属样品剥离强度低。
8.cn102756515b中提出采用物理气相沉积的方法蒸镀铝膜再进行钎焊制备陶瓷覆铝衬板，设备投入大，且蒸镀层较薄，键合性能难以控制，成本高，效率低，难以形成量产；
9.cn103508745b中提出采用低熔点轧制金属复合板的工艺制备陶瓷
声明：
“陶瓷覆铝衬板的制备方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：上海富乐华半导体科技有限公司
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2025年06月20日 ~ 22日 
