[0001]
本发明涉及三氯化硼的制造方法。
背景技术:
[0002]
作为三氯化硼(bcl3)的制造方法之一,已知使碳化硼(b4c)和氯气(cl2)反应的方法。该反应能够用以下的反应式表示。
[0003]
b4c+6cl2→
4bcl3+c
[0004]
例如在专利文献1中公开了下述方法:将平均粒径为1~4mm的碳化硼装入到反应容器中,加热至600~1200℃后导入氯气,来合成三氯化硼。
[0005]
在先技术文献
[0006]
专利文献
[0007]
专利文献1:日本国专利公开公报2009年第227517号
技术实现要素:
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然而,在专利文献1所公开的制造方法中,有与氯气反应的碳化硼的温度局部地达到超过1200℃的高温的情况,但由于碳化硼被固定于反应容器内的固定的位置,不会在反应中移动,因此在反应容器中容易发生蓄热。其结果,根据反应容器的材质而有可能产生损伤。
[0009]
本发明的课题是提供反应容器难以产生损伤的三氯化硼的制造方法。
[0010]
为了解决上述课题,本发明的技术方案如以下的[1]~[7]所示。
[0011]
[1]一种三氯化硼的制造方法,具有下述工序:在粉粒体状的碳化硼在含有氯气的气体中流动的状态下,进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。
[0012]
[2]根据[1]所述的三氯化硼的制造方法,一边向反应容器内连续地供给所述含有氯气的气体和所述碳化硼、并且从所述反应容器连续地排出其反应生成物,一边连续地进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。
[0013]
[3]根据[1]或[2]所述的三氯化硼的制造方法,所述碳化硼的体积基准的平均粒径d50小于500μm。
[0014]
[4]根据[1]~[3]的任一项所述的三氯化硼的制造方法,在600℃以上的温度下进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。
[0015]
[5]根据[1]~[4]的任一项所述的三氯化硼的制造方法,在-0.050mpag以上且0.500mpag以下的压力下进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。
[0016]
[6]根据[1]~[5]的任一项所述的三氯化硼的制造方法,所述含有氯气的气体由50体积%以上且100体积%以下的氯气和余量的惰性气体构成。
[0017
声明:
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我是此专利(论文)的发明人(作者)