一种石墨烯/氮化硼层状复合材料及其制备方法,该复合材料呈膜状,石墨烯与氮化硼层层交替,比表面积为200~800m2/g,半导体带隙为0.5~5.0eV。本发明还包括石墨烯/氮化硼层状复合材料的制备方法。本发明之石墨烯/氮化硼层状复合材料厚度均匀,比表面积高,呈半导体特性且带隙可调,特别适用于超级电容器、光催化、吸附、隐身等领域。
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