权利要求
1.一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S1、将硝酸镧、去离子水、柠檬酸搅匀，形成溶胶后，将溶胶缓慢滴入镁粉悬浮液中，同时滴加氨水调节pH至9~10，持续搅拌，离心分离，洗涤，真空干燥后，置于管式炉中，通入氩气，升温，保温，冷却得到Mg-La2O3核壳颗粒;
S2、将碳酸镁粉末与硅藻土混合均匀后，压制成块，烘烤制得覆盖剂;
S3、将阴极铜板烘烤，高温熔化，投入Mg-La2O3核壳颗粒和硼掺杂石墨烯-硅材料搅拌，并将覆盖剂轻置于熔体表面，冷却，牵引得到铜镁合金铸杆后，均匀切断，预热，挤压，拉制，得到高强度铜镁合金接触线。
2.根据权利要求1所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺，其特征在于，所述镁粉悬浮液由预处理的镁粉分散在无水乙醇中，高速搅拌30min得到。
3.根据权利要求2所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺，其特征在于，所述预处理的镁粉由镁粉浸泡在质量浓度为5%的稀盐酸中10min，用去离子水洗涤至中性，随后用无水乙醇清洗3次，在60℃下真空干燥12h得到。
4.根据权利要求1所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺，其特征在于，所述步骤S1中持续搅拌的时间为6~10h，洗涤所用洗涤剂为乙醇、洗涤次数为3~5次，真空干燥温度为60~80℃、时间为5~7h，升温速率为10℃/min、升温至400~600℃，保温时间为2h。
5.根据权利要求1所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺，其特征在于，所述步骤S1中，在冷却后装入流化床CVD反应器，通入氢气，升温至800℃，保温30min，调节温度至950℃，通入甲烷，生长30min，关闭甲烷，在氢气氛围中冷却至200℃后切换为氩气，冷却至室温，最终制得Mg-La2O3核壳颗粒。
6.根据权利要求1所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺，其特征在于，所述步骤S2中，烘烤温度为100℃~150℃、时间为3~5h。
7.根据权利要求1所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺，其特征在于，所述硼掺杂石墨烯-硅材料由硼酸、氧化石墨烯和硅混合后，球磨30~60min，在氩气和氢气气氛中在900℃下烧结3~5h得到。
8.根据权利要
声明：
“高强度铜镁合金接触线及其制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：江阴电工合金股份有限公司
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2025年06月13日 ~ 15日 
