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制备硅太阳能电池的方法和太阳能电池

172   编辑：中冶有色网   来源：比亚迪股份有限公司  
2025-10-17 16:08:15
权利要求 1.一种制备硅太阳能电池的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 提供硅基底，所述硅基底包括受光面和背面; 将所述硅基底置于刻蚀液中，在所述硅基底的受光面侧上方设置具有窗口的第一掩膜，对所述硅基底进行第一光诱导刻蚀，在所述硅基底的受光面上形成第一织构化表面; 在所述第一织构化表面的上方设置第二掩膜，对所述硅基底进行第二光诱导刻蚀，在所述硅基底的受光面侧形成第二织构化表面，得到制绒后的硅基底; 所述第二织构化表面与所述第一织构化表面相邻且交替排布; 所述第一织构化表面包括第一倒金字塔结构，所述第二织构化表面包括第二倒金字塔结构，所述第一倒金字塔结构的深宽比小于所述第二倒金字塔结构的深宽比。 2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一倒金字塔结构的深宽比为0.45-0.5;和/或， 所述第二倒金字塔结构的深宽比为0.55-0.6。 3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一倒金字塔结构的深宽比与所述第二倒金字塔结构的深宽比之比为1：(0.75-0.9)。 4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一倒金字塔结构的平均深度为0.8-1.2μm;和/或， 所述第二倒金字塔结构的平均深度为1.0-1.5μm。 5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一光诱导刻蚀的条件包括：光源的光照强度为20000-45000lx;光源距硅片的距离为10-20cm;光照时间为10-25min;和/或， 所述第二光诱导刻蚀的条件包括：光源的光照强度为50000-80000lx，光源距硅片的距离为10-20cm，光照时间为5-20min; 所述光源选自氙光和白光中的一种或几种; 所述刻蚀液的温度为30-60℃。 6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀液包括酸性试剂、金属离子和刻蚀剂; 所述刻蚀液中金属离子的浓度为0.5-3mol/L，酸性试剂的浓度为1-10mol/L，刻蚀剂的浓度为2-10mol/L; 所述金属离子为银离子和/或铜离子; 所述酸性试剂选自盐酸、硫酸、硝酸、乙酸和柠檬酸中的一种或多种
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硅太阳能电池 太阳能电池
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