权利要求
1.一种钙钛矿光活性层的制备方法,其特征在于,包括以下操作:
提供自组装单分子材料和钙钛矿前驱体材料;其中,所述钙钛矿前驱体材料包括有机卤化物和无机卤化物;
将所述自组装单分子材料和所述无机卤化物进行第一成膜操作,以便形成含有所述自组装单分子材料的无机盐膜;
将所述有机卤化物在所述无机盐膜上进行第二成膜操作,以形成有机盐膜;
进行退火,以便形成层叠的SAM层和钙钛矿光活性层。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿光活性层的制备方法,其特征在于,所述第一成膜操作包括:
将所述自组装单分子材料和所述无机卤化物进行共同蒸镀;
所述无机卤化物的蒸镀速率为所述自组装单分子材料的蒸镀速率的12倍~155倍。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿光活性层的制备方法,其特征在于,所述无机卤化物包括卤化铅和卤化铯;
所述卤化铅的蒸镀速率为所述自组装单分子材料的蒸镀速率的10倍~150倍;
所述卤化铯的蒸镀速率为所述自组装单分子材料的蒸镀速率的2倍~5倍;
所述自组装单分子材料的蒸镀速率在0.2埃/秒以下。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿光活性层的制备方法,其特征在于,所述第二成膜操作为湿法制膜;
所述湿法制膜包括旋涂、刮涂、狭缝挤出涂布、喷墨印刷、喷涂中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿光活性层的制备方法,其特征在于,所述退火条件包括:温度为120℃~160℃;和/或
时间为10min~30min。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿光活性层的制备方法,其特征在于,所述第一成膜操作在基底上进行,其中:
所述基底包括透明导电氧化物层;或
所述基底包括透明导电氧化物层,所述透明导电氧化物层上层叠有空穴传输层;或
所述基底包括透明导电氧化物层,所述透明导电氧化物层远离所述钙钛矿光活性层的一侧设有晶硅太阳能子电池、CIGS薄膜太阳能子电池、碲化镉薄膜太阳能子电池、III-V薄膜太阳能子电池或钙钛矿太阳能子电池。
7.根据权利要求1所述的钙钛矿光活性层的制备方法,其特征在于,所述自组装单分子材料包括
声明:
“钙钛矿光活性层及其制备方法、光伏电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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