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基于半导体材料NiO的X型腔脉冲激光器

919   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 18:00:53
本实用新型公开了基于半导体材料NiO的X型腔脉冲激光器,带尾纤输出的半导体激光器产生940nm连续光依次经过耦合透镜和凹面输入镜入射到Yb:YAG/Cr4+:YAG/YAG晶体,经过Yb:YAG/Cr4+:YAG/YAG晶体的增益激光由凹面全反镜反射到达平面全反镜,然后被反射并原路返回,到达凹面输入镜后反射,经过NiO复合材料可饱和吸收体后到达输出镜输出1030nm波段的脉冲激光。本实用新型利用NiO所具有的可饱和吸收特性,可获得高能量的锁膜脉冲激光,实现纳秒级的脉冲输出。此外,基于NiO纳米片在近红外波段的带内电子跃迁所产生的饱和吸收特性,优选NiO纳米片薄膜厚度进而实现NiO可饱和吸收体在不同激光波段的运转。
声明:
“基于半导体材料NiO的X型腔脉冲激光器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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