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铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法

1054   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 21:05:43
本发明提供一种铌酸单晶薄膜芯片及其制作方法。制作方法包括在支撑晶圆上依次制备介质层和铌酸锂薄层;对介质层与铌酸锂薄层之间的键合界面进行缺陷检测;分析并记录二维尺寸大于预先设定值的缺陷的位置;在缺陷的周围设置隔离槽,隔离槽在周向上包围缺陷,隔离槽的深度大于或等于铌酸锂薄层的厚度。通过该制作方法制作的铌酸锂单晶薄膜芯片不仅能够有效地防止缺陷的扩大和扩散,而且能够有效地释放大片铌酸锂薄层在晶圆上的应力积累。
声明:
“铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
         
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