本发明公开了一种制备暴露(0,2,0)晶面的Cu2ZnSnS4薄膜锂离子电池电极的制备方法及其在薄膜锂电中的应用;利用磁控溅射,溅射一层同种金属的硫化物预制层,而后在含有H2S的气氛中利用三种金属靶共溅射直接反应溅射活性物质一步成膜。所述薄膜置于保护性气氛中,高温退火,即得到相应的薄膜电极。这种利用反应溅射合成的薄膜具有特定的结构特征,提高了锂离子的传输效率,提高了材料的能量密度发挥,在锂离子电池中能有效降低电极极化,提高放电性能和循环稳定性。
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