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低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法

926   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 23:08:10
本发明公开了一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化薄膜的制备方法,该方法选择掺杂的氧化铜作为脉冲激光沉积的靶材,通过选择合适的锂掺杂浓度,即可得到低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜,其中金属锂的掺杂量为2wt%时,得到的p型氧化铜薄膜的电阻率为7.56Ω·cm、载流子浓度为7.39×1019cm?3。本发明操作简单,适用于低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的工业化制备。
声明:
“低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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