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ZnS纳米晶半导体前驱薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法

856   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 00:17:45
本发明涉及ZnS纳米晶半导体前驱体薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法,电解液含有摩尔比为(15-20):(15-25):(0.2-0.8):(0.3+0.1)的Zn2+,S2O32-,表面活性剂、SO32-,并含有氯化,电解液的pH值介于2.5-4.5之间;然后利用恒电流法或恒电位法,实现Zn、S二元素的共析结晶,生成纯净的六方相或立方相结构的ZnS前驱体薄膜。而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于250-500℃下恒温一段时间,均得到纯净的高取向性的结晶性更好的立方相ZnS纳米晶半导体薄膜。本发明所提供的方法可控性强,重复性好,所制备的ZnS纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池的窗口层材料。
声明:
“ZnS纳米晶半导体前驱薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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