1.本发明属于硫酸加工领域，具体涉及一种高效制备超净高纯硫酸的方法。
背景技术：
2.随着半导体材料的迅速发展，对超净高纯试剂的品质和需求也不断上升，在集成电路的生产过程中，超纯试剂可以清洗和刻蚀芯片及硅圆片的表面，并且挥发后不会残留金属、水、有机及机械杂质，超纯硫酸已经被广泛地应用到半导体材料、集成电路的生产工艺中，其加工尺寸逐渐进入亚微米、深亚微米时代，对半导体材料的成品率、电性能及可靠性具有十分重大的影响，各项指标要求达到国际半导体设备和材料组织制定的semi c12标准，即主体含量大于99.80％，水含量低于50ppm，阳离子含量低于0.1ppb，阴离子含量低于50ppm。
3.超纯硫酸又称高纯硫酸、电子级硫酸，属于超净高纯试剂，是半导体行业常用的八大超纯化学材料之一，也是微电子技术发展过程中不可缺少的关键基础化学试剂之一。超纯硫酸的消耗量位居ic行业第一，广泛应用于半导体、超大规模集成电路的装配和加工过程，主要用于硅晶片的扩散、腐蚀、清洗等工艺，可有效除去晶片上的杂质颗粒、无机残留物和碳沉积物。电子级硫酸的纯度和洁净度对电子元件的成品率、电性能及可靠性有着重要的影响。随着ic的加工尺寸迈入纳米时代，从28nm到目前正在攻克的14nm工艺，对与之配套的超净高纯硫酸提出了非常高的要求，要求颗粒和杂质含量降低1～3个数量级，达到国际半导体设备和材料组织制定的semi c12标准，其中金属阳离子含量小0.1ppb，颗粒大小控制在0.5μm以下。
4.目前，超高纯硫酸通常以工业级硫酸作为原料精馏过滤精制而成。由于硫酸沸点高(338℃)存在着能耗高、反应器材质要求高等问题。但用于微电子行业的超高纯硫酸对其中金属杂质含量、阴离子含量的要求已达ppb限量，甚至已达ppt限量，对产品中尘埃颗粒的限量也有明确的要求，现有的生产工艺已经无法满足要求。组合膜法制备超高纯硫酸的方法，通过微孔膜吸收、两级微孔膜滤芯过滤、超滤膜过滤器精滤的组合处理，去除制备的硫酸溶液中的有色物质、悬浮颗粒、金属离子、阴离子等杂质，获得了符合smeic12标准的超高纯硫酸产品。
5.现有技术中，超纯硫酸的制备方法主要由精馏法和气体吸收法。其中，精馏法能耗大，成本高，有些杂质难以除去，产生的废气、酸雾对人体有害，不利于环境保护，只适合于小规模生产。而气体吸收法是提纯三氧化硫气体，然后再用超纯水或
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“高效制备超净高纯硫酸的方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：中冶有色网
来源：季华实验室
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2025年05月08日 ~ 10日 
