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V3S4@V2C复合材料及其制备方法与应用

1111   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 15:46:03
本发明公开一种V3S4@V2C复合材料及其制备方法与应用,所述复合材料包括具有MXene结构的V2C以及原位生成在该V2C表面的V3S4。所述V3S4具有三维NiAs晶体结构,所述V2C为二维材料,且V3S4原位生成在V2C上使两者构建成二维和三维异质晶体结构。本发明提供的V3S4@V2C复合材料中,V3S4具有三维NiAs晶体结构,而具有MXene结构的V2C是一种结构特殊的二维材料,并通过原位转化将三维的V3S4和二维的V2C构建异质晶体,具有良好导电性的V2C与具有催化固硫效果的V3S4相互协同能够有效地促进多硫化物在电极表面的扩散与转化,显著地提高硫电池的电化学性能。
声明:
“V3S4@V2C复合材料及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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