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集成电路器件的导热复合材料层及电子器件导热结构封装方法

878   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 16:35:02
本发明公开了一种集成电路器件的导热复合材料层及电子器件导热结构封装方法,采用化学气相沉积或溶剂剥离方法制备单层、双层、少层的氮化硼烯和石墨烯,通过相应的转移技术,先后转移到功率芯片的局部热点上。以氮化硼烯作为电路的绝缘保护层,同时发挥其与石墨烯良好的热传导性能,可以在高热流密度的大功率电子器件中满足散热需求。
声明:
“集成电路器件的导热复合材料层及电子器件导热结构封装方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
         
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