本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种用于太阳能电池片镀膜和光注入的集成设备和工艺。
背景技术：
光伏发电已经成为一种可替代化石能源的技术，这依赖于近年不断降低的生产成本和光电转换效率的提升。按照光伏电池片的材质，太阳能电池大致可以分为两类：一类是晶体硅太阳能电池，包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池；另一类是薄膜太阳能电池，主要包括非晶硅太阳能电池、碲化镉太阳能电池及铜铟镓硒太阳能电池等。目前，以高纯度硅材作为主要原材料的晶体硅太阳能电池是主流产品，所占的比例在80％以上。
在晶体硅太阳能发电系统中，实现光电转换的最核心步骤之一是将晶体硅加工成实现光电转换的电池片的工序，因而电池片的光电转换效率也成为了体现晶体硅太阳能发电系统技术水平的关键指标。
提升电池效率，建立钝化接触是关键。由于光生载流子在硅片内部快速运动，一旦接触表面就会导致复合而无法收集成电流发电。如果在表面镀一层特别的保护膜，像氧化硅、氮化硅、氧化铝、非晶硅等由于表面晶硅表面化学键的饱和以及薄膜和晶硅之间形成的电荷场，它们能有效阻止少子在表面的复合。
为了进一步提升效率，新的电池理论模拟要求钝化层全覆盖，载流子通过隧道穿透效应到达覆盖在钝化层上的导电层。hit电池就是基于这个理念设计的新电池，其具有发电量高、度电成本低的优势。
hit电池也叫做异质结电池，其全称为晶体硅异质结太阳能电池。hit电池最早由日本三洋公司研发，其后日本的kaneka、美国的solarcity等相关企业相继进行跟进。相较于传统的太阳能电池而言，hit电池创新性的采用了单晶硅衬底和非晶硅薄膜异质结的结构，其在晶体硅上沉积非晶硅薄膜的做法，让hit电池兼具了晶体硅电池与薄膜电池的优势。hit电池具有结构简单、稳定性高、电池成本低、工艺温度低、光电转换效率高、温度特性好、双面发电等众多的特点，hit电池组件为电池行业从业者公认的未来电池技术终极解决方案，也被誉为光伏电池产业的下一个风口。
hit电池作为一种高效太阳能电池，它的常规制备流程是：1、清洗制绒；2.非晶硅镀膜；3、tco镀膜；4、印刷银线。然而，最新研究发现，在太阳能电池制造完成后，在高于200℃的温度下，对太阳能电池表面进行一段时间的强光照射，电池的光电转换效率可以进一步提升0.2-1.0％。因此，为进一步提升hit电池转换效率，在印刷银线工序后，增
声明：
“用于太阳能电池片镀膜和光注入的集成设备和工艺的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：常州比太科技有限公司
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2025年05月08日 ~ 10日 
