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高功率半导体激光温控器是一款功能强大的温度控制设备，具备便捷的高对比度VFD显示屏，可同时显示电流、电压、温度等信息，配备USB或RS232标准计算机接口，支持远程操作。它提供多种功率选择（24W至960W），满足不同实验需求，且价格合理。其内置AutoTune自动PID计算功能，可快速优化温控参数，同时支持手动调整，确保精准控制。此外，该设备支持RTD、LM335和AD590等多种温度传感器接入，适用范围广泛，是高功率半导体激光器温控的理想选择。
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这是一款科学级开尔文探针，用于精确测量半导体和导电材料的功函数，分辨率达到0.1 meV。它采用非接触式振荡电容测量方法，参考金的功函数（5.1 eV），适用于研究腐蚀、吸附/解吸、表面充电、催化活性等表面特性。系统配备激光笔、数码显微镜和电动垂直定位系统，精度为10微米，还可选装X-Y定位功能。结合宽带光导和高压氙弧灯，可实现表面光电压光谱测量，光电压分辨率优于5 mV（长集成时间为0.1 mV），适用于研究光催化剂、太阳能电池等光活性材料。
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扫描开尔文探针是一种高精度的表面电学特性测量仪器，能够测量样品表面的接触电位差（CPD）、功函数、费米能级位置、表面电位、表面吸附对功函数的影响等参数。它配备光源和激光屏障系统，可实现高精度的距离检测和样品表面照明，适用于多种材料（包括半导体、电介质）的表面分析。仪器包括控制器单元、探针尖端、法拉第笼、电动XY工作台等组件，探针尖端采用2.5mm直径的Au网设计，提供高信噪比。法拉第笼可保护仪器免受环境干扰，还可选择气密版本以适应敏感测量需求。
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半球型电子能量分析谱是一款高性能的电子能谱分析设备，具备120mm半径的大型高透射半球形分析器和全程180度反转角度，采用Jost电极进行边缘校正，配备全磁屏蔽和金属衬里真空外壳，确保高精度和稳定性。设备支持电脑控制电源、多个光学透镜和6个可选入口狭缝，提供单通道或多通道检测器选择，多通道检测器还可配备高分辨出口狭缝。搭配SPECTRA V8软件，用于高效的数据采集和处理，广泛应用于材料表面电子结构和化学状态的分析。
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磁控溅射靶源是一种专为超高真空系统（1e-11 Torr）设计的商业用溅射源，能够在不配置弹性垫圈的结构中烘烤至250℃，实现超高纯度的溅射沉积。它适用于金属、电介质和复合物的沉积。设备提供多种靶材尺寸（如1英寸、2英寸、3英寸等），靶材厚度最低可达4mm，有效节约靶材。溅射源法兰带有气体管道，提升溅射操作时的真空度。支持手动或马达驱动挡板，可原位倾斜（±30°），配备气体流量控制，支持全自动化进程，冷却水流量低（仅0.5L/min），占用空间小，适合高真空环境使用。
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合金纳米颗粒UHV沉积源是纳米颗粒沉积源，可在超高真空中将纯纳米颗粒和合金纳米颗粒沉积到样品上，从而形成功能性涂层。此外，我们可以通过精确控制纳米颗粒的大小、组成和结构来定制纳米颗粒涂层的性能。此外，还提供以下源：单个 1英寸源（NL-D1）、一个 2 英寸源 （NL-D2） 或三个 1 英寸源（NL-D3）。最后，我们可以将这些源集成到您现有的 PVD 系统中，或将它们集成到我们定制的 真空系统中。
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多高度探针用于测量各种材料和样品尺寸。由25厘米宽、29厘米深、0.8厘米厚的硬质阳极氧化铝底座组成。一根直径为19mm、高度为20cm的不锈钢柱（用螺丝固定在底座上）支撑探头的升降机构，包括垂直滑动、操作杆轴和微型开关。垂直滑动带着探头，由夹紧螺钉固定。探针头的位置应确保在探针接触之前，微动开关不会通过电流。丢失动作确保在探头升起之前切断电流。探针臂可以很容易地定位在垂直轴上的不同高度，以允许对扁平材料或大或厚材料进行探测。
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俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统是一种用于薄膜及合金表面深度分析的设备，结合了俄歇电子能谱（AES）、低能电子衍射（LEED）和氩离子溅射深度分析技术。它能够实现对薄膜和合金的元素组成、原子结构和深度分布的“亚纳米级”精度分析，适用于大范围样品的半自动化操作。系统配备延迟型区域分析器、双静电透镜电子枪、磁场内电子冲击离子源、线型磁动样品传输臂和超高真空腔体等组件，支持样品预抽真空室（load-lock腔室），具备高精度和高真空度的特点，可用于多种材料的表面分析。
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单点开尔文探针是一种高精度、非接触、非破坏性的振动电容装置，专门用于测量导电材料的功函或半导体材料表面的表面电势和表面功函。这种技术对材料表面最顶部的1-3层原子或分子非常敏感，因此是一种极其灵敏的表面分析方法。KP Technology公司提供的单点开尔文探针系统具有业界最高的分辨率，功函分辨率小于3meV，支持手动高度调节。它广泛应用于有机和非有机半导体、金属、薄膜、太阳能电池、有机光伏材料以及腐蚀研究等领域。
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球磨测厚仪是一种用于快速测量硬涂层（镀层）厚度的仪器，适用于PVD、CVD、磁控溅射、离子镀、蒸发、阳极氧化、电镀和化学涂层等多种涂层类型。其控制单元配备可编程微处理器，可调节速度、时间、球型和X、Y直径，支持自动厚度校准。显微镜放大倍数为100倍，配备LED光源和0.02mm刻度的目镜。球磨速度可控，范围为200-1000转/分钟，球型直径有10-30mm可选，工作时间范围为1-30分钟。测量精度受表面粗糙度、涂层对比度和显微镜性能影响，测试范围内精度为5%，镀层厚度低于1微米时精度为10%。
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Q-One型纳米级离子注入系统是一种先进的半导体制造设备，专为量子器件和先进材料工程设计。它能够以纳米级精度实现单离子的精确定位和注入，具备20纳米的聚焦离子束和1纳米的光学编码器压电驱动级，确保极高的离子放置精度。Q-One支持多种元素的注入，包括液态金属离子源和双等离子体源，可实现氧和氮的掺杂。其高分辨率电子柱提供4nm的详细成像，用于现场验证和过程控制。该系统不仅速度快、可扩展性强，还能在短时间内生成数百万个精确定位的原子阵列，广泛应用于单离子注入、量子器件制造、纳米材料工程、光子系统和存储设备等领域。
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无支架导轨模块的轮廓仪是专为高精度磨损速率测量而设计的半导体测试设备。它通过精确测量涂层或基底材料的磨耗情况，为选择最佳材料提供可靠数据。与传统带支架的轮廓仪相比，无支架导轨模块能够避免因摩擦表面测量不准确而导致的误差（传统设备测量结果可能高达实际值的3倍），从而确保测试结果的高精度和可靠性。该设备具备高分辨率（Z方向7.55nm），能够在磨损不充分时继续在同一轨道测试，无需移动样品，显著提升了测试效率和准确性，是半导体材料磨损测试的理想选择。
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真空摩擦学系统是一种用于研究超高真空或大气环境下两个表面之间摩擦性质的设备。它适用于1到10N的负载范围，能够测量0.001到2的摩擦系数，并具备负载的闭环控制功能。系统配备2轴操纵器（带加热）用于摩擦球夹具，以及1轴操纵器（带加热和冷却）用于平面样品夹具。其压力范围从10⁻⁹ mbar到1bar，可在氧气、氢气、水蒸气和简单碳氢化合物等气氛中使用。该系统采用模块化设计，可连接多种沉积模块（如MBE、PLD、溅射）和分析模块（如XPS、UPS、ARPES、IR等），并拥有专利号FR 15 55388，专利名称为“用于测量摩擦力的高精度装置”。
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检查装置配备有红外光源和准直器光学器件，该准直器光学器件用具有均匀强度的光束照射晶片。红外感应摄像头通过USB接口在您的计算机上显示被检查基板的图像。相机的视野和放大倍数可以手动调整。
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红外光晶片检测显微镜 硅对红外光是透明的。我们的红外光晶片检测显微镜从背面照亮硅基板，并捕获渗透到基板中的光。因此，可以检查硅基板内部的现象，这些现象在传统显微镜下是不可见的。 显微镜配备了一个长工作距离物镜。三步变焦允许用户选择正确的视野和放大倍数。红外感应摄像头通过USB在您的计算机上显示被检查设备的图像。5倍物镜的分辨率优于3µm。 此外，还提供顶部照明。这允许在传统模式下使用显微镜并检查晶片的顶面。 红外显微镜配备了一个xy工作台，可容纳8英寸或更小的晶片。该工作台由电机驱动，可以用操纵杆控制。
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薄膜电阻及厚度测试仪采用涡流检测技术，可按照需求配置单个或多个针对不同样品的高敏感探头进行测量，并通过显示模块输出。检测最终输出结果可显示为薄膜电阻（Ohms/sq），薄膜电导(Mhos/sq），厚度(单位：um）等。
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深能级瞬态谱（Deep Level Transient Spectroscopy）是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有极高检测灵敏度(检测灵敏度通常为半导体材料中掺杂济浓度的万分之一)的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。
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Elcometer266给高压直流测试涂层孔隙带来革命性的变化，检测比以往任何时候都更加安全、更加方便，更加可靠。易高266电火花检漏仪可以用来测试达7.5mm(300mils)厚的涂层孔隙,是理想管道上涂层和其他保护涂层的检测.这个检漏仪具有一个内置电压计算器,确定和设置基于所述测试标准和被测试涂层的厚度正确的测试电压。
2025年06月20日 ~ 22日 
2025年07月09日 ~ 11日 
2025年07月11日 ~ 13日 
2025年07月16日 ~ 18日 
2025年07月16日 ~ 18日 
