贵州有色金属冶金技术理论与应用

铝电解废内衬及铝灰处置装置和方法与流程 1303     

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本发明属于铝电解技术领域，涉及一种铝电解废内衬及铝灰处置装置和方法。背景技术1.电解槽大修渣与废内衬现在运行的电解槽寿命平均为2000~2600天,其后，电解槽需进行大修后才能重新开始电解生产。由于在铝电解生产过程中需加入氟化盐，吨铝电解生产约需加入氟化盐20~35kg，一部分氟化物以气态形式进入大气，另一部分残留于电解槽内衬中，含氟物占废内衬的36%左右，其中，每吨大修渣中的可溶性氟达到16.4~56kg。因此，电解槽大修渣经水浸出后氟化物的浓度非常高，且呈高碱性，这种废渣对环境有很大的危害，

铝电解残极电解质清理系统的制作方法 397     

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.本实用新型涉及一种铝电解残极电解质清理系统，属于铝电解技术领域。背景技术.铝电解组装车间残极清理流程中需要先对残极上附带的电解质进行清理，再将残极从阳极钢爪上压脱掉。清理的电解质经过一定工艺处理后可以回收再利用，残极可以直接销售。.现阶段，铝电解组装车间残极电解质清理流程主要有大块电解质清理、甩链清理和抛丸清理三个清理站。残极上大块的电解质在大块电解质清理站被振松后脱落，附着在表面的电解质在甩链清理站进行清理，还有渗透在残极底面和上表面颗粒孔隙中的电解质必须经过抛丸清理站才能清理干净。实

氢氧化镍及其制备方法与流程 957     

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.本申请涉及湿法冶金技术领域，尤其涉及一种氢氧化镍及其制备方法。背景技术.随着硫化镍矿资源日趋枯竭，高效开发占全球镍资源％的红土镍矿日益迫切。红土镍矿的湿法冶炼普遍采用硫酸浸出，将ni、co、mn、al、mg等金属提取至溶液中，再经过一系列除杂工艺得到初步净化的硫酸镍溶液；目前针对硫酸镍溶液中镍回收普遍采用氢氧化钠进行沉淀，但氢氧化钠碱度过高，在实际生产中容易造成沉淀槽中过碱现象，大部分杂质一并沉淀带入产品中，降低氢氧化镍中镍的主含量，同时存在沉淀物粒径小、过滤困难的缺点。.现有技术中

镁电解多极槽技术在海绵钛生产中的应用与分析 1359     

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本文以几种镁电解槽技术在海绵钛生产企业的实际应用情况为依据，结合每种槽型技术的设计指标进行了详细的对比和分析，着重阐述了多极槽技术原理及其先进性，总结归纳了多极槽取得良好经济技术指标的主要影响因素，为我国今后镁电解技术的选择明确了方向。

圆形封装形式的固体继电器 682     

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本实用新型公开了一种圆形封装形式的固体继电器，包括继电器部分和罩壳，所述继电器部分包括底座，底座上设置有厚输出功率组件厚膜基板，输出功率组件厚膜基板通过焊接柱与输入功率组件PCB板连接，罩壳与继电器部分的底座连接，输出功率组件厚膜基板上设置的光伏二极管阵列中心距为3.5～5.5mm，输入功率组件PCB板反面上设置的发光二极管中心距为3.5～5.5mm，输出功率组件厚膜基板上设置的导体区域宽度为0.45～0.65mm。该圆形封装形式的固体继电器，具有体积小，接收光效率高、装配合格率高、装配效率高、负载电流大和功耗小的优点，实现了大电压输入，大电压、大电流输出的目标。

从湿法炼锌的铜镉渣中回收锌、铜、镉的方法 1065     

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本发明属于湿法冶金技术领域，尤其是一种从湿法炼锌的铜镉渣中回收锌、铜、镉的方法，通过氧压浸出、中和除铁、电解、真空蒸馏、分离、铜富渣处理、电解残液处理共七个步骤来完成锌、铜、镉金属的回收，整个工艺流程短、废渣和废水少，环境污染小、生产成本低。

净化磷酸装置的磷氟污水回收利用工艺 845     

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本发明公开了一种净化磷酸装置的磷氟污水回收利用工艺。该工艺是在换热器中通入蒸汽将原料稀磷酸从45%提升到56%，蒸发器内含磷、氟的混合蒸汽经循环水吸收后回到循环水站的回水池中；来自后处理最终浓缩单元、脱氟单元的磷、氟混合蒸汽经清洁循环水间接换热冷却得到的二次冷凝液经泵输送到预处理循环水站回水池中与来自预处理浓缩的磷、氟混合蒸汽冷凝液汇合形成了酸性循环水。酸性循环水站含高磷、氟的酸性水经管线输送到湿法磷酸装置反应工序闪蒸冷却单元的热水密封槽内，之后用泵送到过滤机上作为磷石膏滤饼的洗涤水进入稀磷酸中。本发明既解决了净化磷酸装置无法处理的磷、氟污水难题，又实现了“磷资源、氟资源”回收利用。

液体压差式真空动密封机构 1084     

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本发明涉及真空动密封技术领域，且公开了一种液体压差式真空动密封机构，包括载液槽和密封罩，所述载液槽的内部设有堵液塞，所述堵液塞位于密封流体的上部且位于密封罩的内部，所述载液槽的内壁且位于堵液塞的上方固定连接有限位环，所述限位环用于对堵液塞形成上行限位效果。本发明通过在载液槽的内圈设堵液塞，并配合固定于载液槽内壁的限位环，当平衡真空腔内气压变大时，液柱会顶升堵液塞，使得堵液塞紧压于限位环的底部，可保障堵液塞与限位环的密封性能，防止密封流体排入密封罩内。

小型真空感应炉一炉多浇装置及其使用方法 651     

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本发明公开了一种小型真空感应炉一炉多浇装置及其使用方法，包括炉体，坩埚，滑轨，滑动座，支撑杆，缓流漏斗，电机A，转盘，模具，滑轨与电机A分别设置在炉体底部，滑动座与滑轨滑动连接，支撑杆竖直设置在滑动座上，支撑杆上设置有缓流漏斗，转盘与电机A连接，模具设置在转盘上。本发明适用于生产2195铝合金、GH4169高温合金等多种合金铸件50公斤及以下的小型化铸造，模具通过插杆与转盘连接的方式，方便了将不同数量、种类的模具任意放置在转盘上，滑动座与滑轨的设置，也进一步的适配不同高度、宽度的模具。

新型TiC钢结硬质合金及其制备方法 728     

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本发明公开了一种新型TiC钢结硬质合金，其中，新型TiC钢结硬质合金，其包括如下成分：TiC、Cr₃C₂、Mo₂C、Fe、C。本发明提供了一种新型TiC钢结硬质合金，制得的合金在结构上较为紧密，具备良好的硬度。

低功耗超快恢复整流二极管的制造方法 612     

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本发明提供的一种低功耗超快恢复整流二极管的制造方法，采用高电导P型单晶硅片和N型单晶硅片经过硼扩散后高温键合，再将形成PN结的硅片进行减薄，可间接减薄二极管芯片厚度，有效地降低二极管器件的正向压降，达到器件低功耗高频率的目的。

高可靠合金型玻璃钝化二极管及其制作工艺 849     

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本发明提供的一种高可靠合金型玻璃钝化二极管及其制作工艺，包括管芯，管芯的两面均通过蒸铝层和钼电极与铜引线连接，所述管芯、蒸铝层、钼电极、保护环封装在玻璃外壳内，所述管芯的边缘制作有保护环。本发明在管芯边缘形成高压扩散PN结环内部嵌套低压合金结的结构，使得产品加上反偏电压时，首先在中间合金PN结处发生击穿，这样的结构可以避免合金PN结边缘的电场集中，降低了边缘电场强度，可以有效降低产品在常温及高温时的反向漏电流，提升产品的合格率及可靠性。

高压快恢复整流二极管的制作方法 675     

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本发明涉及二极管制作技术领域，尤其是一种高压快恢复整流二极管的制作方法，通过选择合理阻值的N型单晶硅片，设计、测试管芯的厚度与结深，以及采用硼酸与硝酸铝合理配比的硼扩散源，制备得到高压快恢复整流二极管。此方法制备的高压快恢复整流二极管，可以很好的兼容反向工作电压、反向恢复时间、正向压降这三个电性参数，满足反向工作电压1500V以上、反向恢复时间100ns以下、正向压降3V以下的工作要求。

提高片式固体电解质电容器耐应力的方法 1016     

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本发明属电子元器技术领域，尤其涉及提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，包括阳极设计和阴极被膜强化处理；所述阳极设计是将阳极钽块高度方向棱边进行倒角处理，直角棱边变成圆弧状；所述阴极被膜强化处理是将形成介质层的阳极钽块通过多次浸渍分解硝酸锰溶液和强化处理形成二氧化锰层。本发明提供的方法，能在钽阳极表面能形成厚度均匀、致密度高的二氧化锰层，消除钽阳极加工过程中出现的应力集中和局域薄弱现象。本发明所制的钽阳极能提高片式固体电解质钽电容器耐热应力、机械应力等应力冲击能力，提高其焊接性能；可用于制造出耐应力能力强、可靠性高的片式固体电解质钽电容产品，扩大了电容器的应用范围。

高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法 814     

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本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。

钽电容器固体电解质及其制备方法、钽电容器和用电器 697     

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本发明公开了钽电容器固体电解质及其制备方法、钽电容器和用电器，涉及电容器的阴极电解质制备技术领域。制备方法，包括：采用浆料包覆法在第一中间体的表面进行至少一次浆料包覆，得到第二中间体，浆料包覆法为：在被包覆物表面包覆含有β‑MnO₂粉末的硝酸锰浆料，然后干燥；将得到的第二中间体通过热分解使其中所含的硝酸锰分解为二氧化锰得到第三中间体；第一中间体为表面覆盖有介质氧化层且微孔被二氧化锰填满的多孔钽烧结体；在第三中间体的表面再次包覆二氧化锰，以填满第二中间体表面β‑MnO₂微粒间的间隙。用电器，包括上述的钽电容器。该方法可减小被覆过程中对介质氧化膜的破坏，使电容器漏电稳定性好。

含钛的铜基粉末冶金摩擦材料及其制备方法 981     

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本发明属于粉末冶金摩擦材料技术领域，公开了一种含钛的铜基粉末冶金摩擦材料及其制备方法，所述含钛的铜基粉末冶金摩擦材料按质量份数计，由电解铜粉30~45份、还原铁粉20~35份、钛粉15~25份、二硫化钼10~22份、二氧化硅8~15份、鳞片石墨粉6~14份、金属碳化物5~8份和铜纤维3~5份组成。本发明采用铜粉、铁粉和钛粉为原料，科学地设计材料的各种成分组成及配比，经过配料、球磨、干燥、制粒、成形、烧结等工艺成功制备了具有优异力学性能的含钛的铜基粉末冶金摩擦材料。同时，本发明根据实际工况需要，合理选择金属碳化物与其他原料进行搭配，发挥了该陶瓷摩擦组元的优势，提高了材料的综合摩擦磨损性能。

新型固体电解电容器及其制造方法 687     

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一种新型固体电解电容器及其制造方法,涉及一种电器元件、经六个工艺步骤制造出一种具有极低的等效串联电阻(ESR)和很高的体积效率,其阻抗频率特性好,ESR值可在10KHZ-1000KHZ范围内保持稳定,能够很好地满足现代电子设备高频化的要求的固体电解电容器,其中关键步骤4为阴极电解质层的制造方法,所述的阴极电解质层具有导电性高分子复合层,该导电性高分子复合层是由无机二氧化锰电解质层4B或化学聚合的导电性高分子层4B与电解聚合的导电性高分子聚合物4C层复合而成,并且采用底面电极引出的形式对电容器元件进行封装。

降低氧化铌电容器等效串联电阻的阴极制备工艺 1058     

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本发明公开了一种降低氧化铌电容器等效串联电阻的阴极制备工艺，该工艺步骤主要包括阳极芯块和介质膜的加工、阴极半导体的加工、阴极过渡层的加工及阴极引出层的加工；该工艺将形成介电层的阳极芯块浸渍、脱水、热分解低浓度和高浓度硝酸锰溶液，通过在阴极半导体层与阴极引出层间增加一层过渡层，消除了层间接触电阻，使电容器的等效串联电阻减小20％以上；该工艺由于在热分解硝酸锰溶液之前采用了脱水工艺，提高了二氧化锰对阳极芯块内部的填充率，而且取消了低浓度与高浓度硝酸锰的交替浸渍、热分解，使工艺操作更简单、效率更高，适合于工业化大批量生产。

铌电容器介质膜强化方法 707     

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本发明一种铌电容器介质膜强化方法，属电子元件制作技术领域，是将现有工艺电化学制造后有介质膜的阳极块进行强化处理，其处理方法是将阳极块在250℃～400℃的烘箱中干烘10～30min，再在0.1%～1%v/v、60℃～90℃的硝酸水溶液的电解槽中，以与阳极块连接的电极为正极对阳极块实施电化学氧化。由于对第一次制备的介质氧化膜采取了“干烘+形成”的工艺处理后，明显降低了阳极块的漏电流值，介质膜的晶粒更小，膜层更致密。

骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法 667     

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本发明涉及医疗机械技术领域，且公开了骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法，第一步：取镁合金Mg‑Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg‑Ca粉末与NaHCO3混合搅拌，得到第一混合物。该骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法，本发明的骨缺损植入器械梯度多孔材料由首先采用镁合金Mg‑Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg‑Ca粉末与NaHCO3混合制备的预制体，再对预制体进行多次处于，分别进行防腐蚀阻挡处理和构建氧化钛梯度层处理，最终制备获得耐腐蚀、使用寿命长、可有助于人体骨组织生产以及恢复的骨缺损植入器械梯度多孔材料，本发明的骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法不仅工艺简单、易操作，而且还绿色环保，不会对环境产生污染和危害，可满足企业的生产要求，适合推广。

铌电容器阴极制备方法 902     

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本发明一种铌电容器阴极制备方法，涉及一种电解电容器阴极电解质的制备方法。本发明是将氧化铌粉压制成氧化铌电容器阳极芯块，按传统工艺经烧结，阳极形成，形成介电层后，将形成介电层的铌阳极芯块经浸渍低浓度硝酸锰溶液、高浓度硝酸锰溶液、乙酸水溶液中形成处理等7个步骤完成在含介电层的阳极块表面制备二氧化锰阴极层。由于本发明采用浸渍低浓度硝酸锰溶液与高浓度高硝酸锰溶液交替浸渍和热分解方式，使分解得到的二氧化锰颗粒能够渗透到阳极块的微孔中，并与阳极块紧密接触，从而实现电容量的完全引出，降低了二氧化锰阴极层的接触电阻，达到降低产品等效串联电阻ESR的目的。

超大功率白光LED光源模组及封装方法 1053     

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本发明公开了一种超大功率白光LED光源模组及封装方法，属于LED光源模组及封装技术领域，包括基板、蓝光LED芯片组、独立散热支架、固态荧光片和绝缘导热透明垫块，所述蓝光LED芯片组固定在基板上并实现电气连接；所述独立散热支架固定在基板上并对蓝光LED芯片组形成围坝，所述围坝内沿设有台阶；所述固态荧光片固定在所述台阶上，并位于蓝光LED芯片组正上方；所述绝缘导热透明垫块安装在固态荧光片与蓝光LED芯片组之间；所述绝缘导热透明垫块通过共晶焊固定设于蓝光LED芯片组的间隙之间；绝缘导热透明垫块高度高于蓝光LED芯片组高度,其顶部与固态荧光片底部实现有效接触；本发明有效解决了现有荧光陶瓷片粘接封装存在热阻大，影响LED光源封装可靠性的问题。

高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法 827     

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本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。

降低铌电容器高温电容量变化率的工艺方法 777     

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本发明一种降低铌电容器高温电容量变化率的工艺方法，涉及电解电容器辅助阴极层制备技术，是将氧化铌电容器阳极芯块按传统工艺完成阴极电解质二氧化锰层加工后得到的阴极电解质的阳极块经碳层制备和制备导电引出层后再按现工艺完成电容器的后面工序。由于本发明碳层的制备采用浸渍两次石墨水液，并在两次浸渍之间浸渍一次表面活化剂，完成碳层制备的阴极电解质阳极块又经导电浆料的处理，使碳层与阴极电解质层、导电引出层间的结合更紧密，有效的抑制了铌电容器在温度升高时的电容量增加。

改善烧结钽块内部孔隙度的方法 957     

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本发明提供了一种改善烧结钽块内部孔隙度的方法，包括以下步骤：称量钽粉‑混粉‑自动成型‑脱樟‑烧结‑测试孔隙度。本发明了有益效果在于：通过对比不同粘合剂对烧结后钽块孔隙度的影响，根据不同粘合剂脱除后留下的孔隙大小、形貌、比例的区别，选出最合适的粘合剂及最佳添加比例来改善钽块的孔隙度，有助于更为深入的了解阳极钽块内孔隙的基本结构，此外，钽块内部合适的孔隙度可以提高后续阴极二氧化锰的被覆率，从而使电容量得到更大程度引出，其操作简单，效率高，无需复杂设备，投入成本低，对完善被膜工艺及容量引出改善效果明显。

具有高电导率的固体电解质电容器的制备方法 946     

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本发明公开了具有高电导率的固体电解质电容器的制备方法，包含烧结、形成介质氧化膜、制作表面为导电高分子π-共轭聚合物层的阳极块、涂敷石墨层和银浆层、通过模压封装的步骤形成最终产品。本发明的有益效果是：通过具有交联结构聚阴离子基团的偶联剂在乙醇溶液中通过有机磺酸的作用，在100～150℃下一方面导电聚合物单体发生聚合反应形成透明及具有很高弹性的聚合物膜层，另一方面聚阴离子基团有机磺酸的作用下形成交联的骨架，从而生成具很高柔性的高分子导电复合物，在很大程度上缓解电解电容器制作过程中因模压树封时环氧树脂热收缩产生的热应力，大大降低了电容器的ESR，提高了电容器性能的稳定性。

高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法 925     

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本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。

采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法 1027     

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本发明提供的一种采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，采用了钨电极作为电极引线制造玻璃钝化瞬态电压抑制二极管，大大提升了器件的瞬态峰值功率，相同封装外形尺寸可以提升80％以上的瞬态峰值功率。

钽电解电容器阳极钽块烧结成型方法 870     

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一种钽电解电容器阳极钽块烧结成型方法，涉及电解电容器领域。所述成型方法是将纳米级粒径的钽粉置于设定形状和大小的容器内，采取分段等静压成型工艺，按压力从小到大、再从大到小的顺序分为若干段，在设定的条件下通过液体对置于容器内的预成型体施加各向均匀的压力，进行阳极钽块等静压成型，再进行高温烧结成型。解决了现有钽电解电容器阳极钽块烧结成型后容易变形、绝缘可靠性差、坯体密度不均匀的问题，以获得具有一定形状、密度、内部均匀的钽粉成型素坯。烧结后的压坯收缩形变量小，尺寸精度和表面光洁度均优于传统液压机干压成型工艺，为后续的装配工艺和规模化批量生产带来便捷，并有利于提升电容器的电参数、质量一致性和可靠性。