本发明公开了一种玄武岩纤维保温装饰一体板及其制备方法,属于建筑材料技术领域。本发明以碳纤维、玄武岩纤维为骨架结构材料,改性SiO2气凝胶为隔热保温功能材料,再结合无机填料、胶黏剂和助剂,形成玄武岩纤维保温装饰一体板。本发明的玄武岩纤维保温装饰一体板可以在650℃以下使用,其导热系数为0.02W/(m·K)左右,是传统无机保温材料的三到五倍,可以大大提高保温隔热效果以及耐高温隔热性。
本发明涉及石墨烯纳米粒子复合气凝胶微球及其制备方法,属于功能材料领域,由以下原料按照重量份数组成:去离子水100份,氧化石墨0.05-1.5份,纳米粒子0.1-5份。原料混合后经1600W超声辐照60-180min制备成氧化石墨烯纳米粒子分散液,通过喷雾法将氧化石墨烯纳米粒子水分散液雾化成氧化石墨烯纳米粒子液滴微球,并置于冷却浴中的接收液收集,过滤得到氧化石墨烯纳米粒子冰微球,冷冻干燥后获得氧化石墨烯纳米粒子复合气凝胶微球;再通过热还原法或化学还原法得到石墨烯纳米粒子复合气凝胶微球。产品大小较为均一,具有多孔网络结构,同时均匀地负载了金属/无机纳米粒子,质量轻密度小。同时制备方法容易操作,简单高效。
本发明属于功能材料合成领域,具体涉及一种基于氧化钒(VO2)薄膜的柔性呼吸传感器及其制备方法,克服了VO2纳米线传感器测量误差大、制备工艺复杂以及应用难度大的缺陷。本发明基于VO2薄膜的柔性呼吸传感器,包括聚酰亚胺薄膜、设置于聚酰亚胺薄膜上的平行金电极、覆盖于平行金电极上的VO2薄膜、以及覆盖于VO2薄膜上的聚二甲基硅氧烷;该呼吸传感器基于VO2薄膜实现,其结构简单、制备工艺简单、制备成本低,对呼吸频率、呼吸深度具有良好的监测,测量误差小;同时,本发明还提供该呼吸传感器的制备方法,该制备方法工艺简单、成本低廉,具有良好的工艺可控性和重复性,有利于大规模批量化生产。
本发明提供一种大块稀土钆基复合非晶材料及其制备方法,属于金属材料技术领域。本发明所述大块稀土钆基复合非晶材料的化学通式为:Gd55Co15Al30-xGex,其中,0<x≤10。其主体材料为由Gd、Co、Al和Ge熔融而成的大块非晶合金体,另含有Gd5Ge3晶体初生相。其制备方法为:将配料先通过电弧熔炼获得Gd55Co15Al30-xGex的母合金,然后采用铜模吸铸法获得吸铸成型,获得最大直径为10毫米的以大块非晶为基体的复合材料。本发明提供的大块稀土钆基复合非晶材料具有良好的热稳定性,在磁致冷功能材料及结构材料方面具有应用前景。该方法具有工艺简单、材料结构易控制等优点。
一种电致变色器件及其制备方法,属于功能材料及器件技术领域。本发明提供的电致变色器件包括四层结构,从上往下依次是透明上电极(1)、电致变色薄膜(2)、吸附了电解液的多孔薄膜材料(3)和透明下电极(4);其中电致变色薄膜(2)为一层不依托衬底而单独存在的导电聚合物电致变色膜。本发明提供的电致变色器件,其中电致变色薄膜和电解液吸附层不依附衬底而单独存在;整个器件的制备过程十分简单,可以有效降低电致变色器件制备工艺的复杂程度、降低制造成本,并且有望制备大面积电致变色器件。
本发明涉及一种Gd-Co-Al-Y块体金属玻璃及其制备方法。该合金以钆为主要组元,其组成可用公式表示为:GdaCobAlcYd,其中51.0≤a≤53.2、17.0≤b≤18.5、25.0≤c≤29.0、1.0≤d≤4.0,且a+b+c+d=100。该合金是将纯度均不低于99.5%(质量百分比)的Gd、Co、Al、Y按规定原子百分比配料,在钛吸附的氩气氛电弧熔中将合金反复熔化至成分均匀,获得母合金铸锭,然后采用水冷铜模吸铸法获得最大直径为8毫米的块体金属玻璃。本发明提供的Gd-Co-Al-Y块体金属玻璃,具有很高的非晶形成能力和热稳定性,在磁致冷功能材料及结构材料方面有广阔的应用前景。
本发明涉及一种Bi5O7I/煅烧水滑石复合材料及其制备方法,属于化学化工与功能材料技术领域。Bi5O7I/煅烧水滑石复合材料为在煅烧水滑石基底上负载Bi5O7I;其中煅烧水滑石为锌铝铋煅烧水滑石(ZnAlBi‑LDO),其中Zn:Al:Bi的摩尔比为3:1‑x:x,0.01≤x≤0.1;复合材料中,Bi5O7I与锌铝铋水滑石(ZnAlBi‑LDHs)的质量比为1:5~1:15。本发明借助水滑石的“记忆效应”,当混合金属氧化物在水溶液中恢复层状结构时,可大幅提高对Cr(Ⅵ)的吸附,同时负载的Bi5O7I会扩宽复合材料的光吸收范围,使复合材料在可见光下具有光催化降解Cr(Ⅵ)的效果,使Cr(Ⅵ)被还原为无毒的Cr(Ⅲ)。本发明制备的Bi5O7I/煅烧水滑石复合型吸附催化材料,可实现产品性能更高、工艺简单,彻底解决变价重金属环境污染问题。
本发明名称为“透明导电膜的等离子体增强化学气相沉积设备”,属于光电功能材料的规模化生产设备。本发明为实施特殊金属氧化物薄膜的制造技术,着重解决大面积薄膜的性能优良,厚度均匀及废气排放等问题。其特点在于设置了特殊的均压喷口,用接地电极对射频电极进行充分的屏蔽、安装冷阱捕集反应废气。本发明适用于多种氧化物薄膜的大面积制造。
一种纳米晶钛酸锶钡薄膜的制备方法,属于功能材料技术领域,涉及纳米晶BST薄膜的制备方法。本发明对常规溶胶-凝胶方法制备BST薄膜过程的“冷却”和“晶化”步骤之间添加“预晶化”处理步骤。本发明可在大气环境下类外延生长纳米晶BST薄膜,所得薄膜光滑致密、无裂纹、无缩孔。本发明可大幅度提高纳米晶BST薄膜的综合介电调谐性能,所得纳米晶BST薄膜电容58~1840pF、介电调谐率大于20.0%、介电损耗小于3.0%、K因子大于15.0、介电强度高,频率特性和温度特性稳定。采用本发明所制备的纳米晶BST薄膜可以替代铁氧体和半导体用于制备微波调谐器件(如移相器),从而显著降低微波调谐器件的制造成本;另外,本发明所制备的纳米晶BST薄膜还可用于磁记录、热释电焦平面阵列等。
带有活性反应侧基/离子型反应侧基的线型聚芳硫醚及制备方法。带有活性反应侧基的线型聚芳硫醚结构如式(Ⅰ)所示,重均分子量50000~80000,熔融指数10~480/10min。式中m1 : m2摩尔比为(1~50) : (99~50);Z选自-OH,-COOH,-CHO,-COX,-SO3H;X为卤元素;Ar选自苯基、喹啉基、蒽基、联苯基、二苯醚基、二苯酮基、二苯砜基、二苯甲烷基、二苯硅烷基、二苯磷脂基、二苯酰胺基、二苯酰亚胺基、吡咯基、呋喃基或噻吩基等直链型基团。通过进一步与过渡元素等金属离子反应可形成离子型聚芳硫醚,使玻璃化温度至少提高40℃,具有抗菌性、热稳定性高和一定导电性能,是一种新型功能材料。
一种可调谐的平板电磁波吸收材料,属于电磁功能材料技术领域。包括金属反射层、介质层、氧化钒相变材料层和超颖材料层;介质层位于金属反射层和氧化钒相变材料层之间,氧化钒相变材料层位于介质层和超颖材料层之间。本发明在三层式电磁波吸收材料的超颖材料层和介质层之间,插入氧化钒相变薄膜,利用热、电或光触发相变过程来控制电磁波吸收材料的吸收效率和吸收频率。本发明结构简单、易于制备;具有吸收幅度和吸收频率可调的特性,调制深度可以达到70%以上;且调制手段多样的特点,可以借助于热或电或者激光等多种手段来实现太赫兹波吸收的调制;可用于微波、太赫兹波以及光波段的电磁保护、隐身技术、波谱探测以及热辐射等。
本发明的具有导电性和磁性的纳米高分子微球及制备方法属于功能材料领域,公开了一种磁性高分子纳米微球及其制备方法。微球的结构为核壳式,核由磁性物质组成,壳层为聚苯胺类、交联聚苯胺类、聚吡咯类、聚噻吩类中的任意一类及它们与其它带有反应性官能团的单体的共聚物组成。其制备方法为首先是在磁流体、引发剂存在下,聚合得到核壳式磁性高分子纳米微球,随后微球进行掺杂反应,使得该高分子磁性纳米微球具有导电性。本发明提供的高分子微球,利用其高的电导性,可用作为新一代的导电材料、电极材料、高性能电池阳极材料等。利用其磁性能,可用于控释药物载体、磁分离。利用其同时具有导电性和磁性能,有望成为新型高效的隐身吸波材料。
一种二元交替掺杂BST薄膜的制备方法,属于功能材料技术领域,涉及纳米晶BST薄膜的制备方法。本发明采用Mn、Y二元掺杂,即对即对奇数层薄膜进行Mn或Y掺杂,对偶数层薄膜进行Y或Mn掺杂;同时在“冷却”和“晶化”步骤之间增加“预晶化”处理步骤。本发明所制备的薄膜光滑致密、无裂纹、无缩孔,可大幅度提高纳米晶BST薄膜的综合介电调谐性能,所得纳米晶BST薄膜介电调谐率大于30.0%、介电损耗小于2.0%、K因子大于15.0、介电强度高,频率特性和温度特性稳定。采用本发明所制备的纳米晶BST薄膜可以替代铁氧体和半导体用于制备微波调谐器件(如移相器),从而显著降低微波调谐器件的制造成本;另外,本发明所制备的纳米晶BST薄膜还可用于磁记录、热释电焦平面阵列等。
本发明属功能材料及器件制造技术领域,具体涉及一种PMN-PT/PVDF复合柔性纳米发电机。本发明通过采用成分位于准同型相界(MPB)的PMN-PT单晶纳米线与高分子压电材料PVDF为原料,调整PMN-PT单晶纳米线与PVDF的配比,采用类似流延法的薄膜成型方法,制备PMN-PT/PVDF复合柔性纳米发电机。本发明方法制备的柔性纳米发电机可用于收集机械振动能量,为纳米器件或纳米系统提供能源,开发纳米无源器件。同时,本发明PMN-PT/PVDF纳米发电机制备工艺简单,性能优越,原料造价低廉,生产成本低,应用范围广。
一种太赫兹波平面吸收材料,属于电磁功能材料技术领域,涉及电磁波吸收材料。包括衬底、金属反射层、介质层和人工电磁媒质层;其中,所述金属反射层为连续金属薄膜,且位于衬底表面;所述介质层位于金属反射层和人工电磁媒质层之间;所述人工电磁媒质层由周期性排列的人工电磁媒质单元构成;每个单元为一个线宽为t的金属薄膜线条形成的中心对称图形,包括中间由两个单开口金属环相向连接的电开口环共振器;还包括两个与电开口环共振器两侧长边背向连接的单开口金属环。本发明所提出的太赫兹波平面吸收材料具有两个强吸收频段,可以提供不同频段的选择性吸收和探测。同时可以吸收更大频谱范围的太赫兹辐射,提高了太赫兹波平面吸收材料的性能和效率。
本发明公开了一种难降解有机废水的处理方法,收集难降解有机废水,废水中加入铝‑碳纳米管‑四氧化三铁复合物颗粒,调节废水的pH值至酸性,在通入氧气的条件下搅拌发生反应,反应完成后调节混合溶液的pH值至6~9,固液分离,上清液即为处理后的水。本发明方法是在常温常压下进行,反应条件温和;工艺简单,既不需要外加过H2O2和催化剂,也不需要外加投药设备,投入小;添加的功能材料环境友好,不产生二次污染;废水处理时间短,处理效果好,适用于工业化大规模生产。
本发明属于属于高分子功能材料技术领域,提供了一种多层组装微米级单分散聚苯乙烯磁性复合微球的制备方法,本发明的聚苯乙烯磁性复合微球的制备方法采用分散聚合制备单分散的表面富含负电荷的磺酸基或羧基聚苯乙烯微球,然后利用其与强阳离子聚电解质、柠檬酸钠修饰的Fe3O4纳米粒子之间的静电作用,最终制备得到微米级单分散聚苯乙烯磁性微球。通过本发明的制备方法能够获得粒径高度均匀的、粒径处于微米级的单分散聚苯乙烯磁性微球,可满足化学发光免疫、细胞分离及蛋白纯化等领域的应用需求,本发明的制备方法还具有操作简便、节能减耗的优点,适于产业化推广应用。
本实用新型公开了一种板材,板材包括:板材至少包括第一板子和第二板子;当第一板子和第二板子的尺寸相同时,第一板子和第二板子错落堆叠,且第一板子和第二板子仅有一条边对齐;当第一板子和第二板子的尺寸相异时,第一板子设置在第二板子上,且有至少两条边分别与第二板子的至少两条边对齐,或者,第一板子设置在第二板子正中间,第一板子的边缘与第二板子的边缘映射在平面上形成一个多边形的环,或者第一板子与第二板子错落堆叠,且第一板子和第二板子仅有一条边对齐;第一板子和第二板子上设有功能材料,功能材料用于增强板材的阻隔性能和或吸收性能和或强度,增强了板材的阻隔性能和或吸收性能和或强度。
本发明提供一种具有良好非晶形成能力和热稳定性的稀土钆基GD-CO-AL-ZR大块金属玻璃及其制备方法,属于金属材料科学与技术领域。本发明钆基大块金属玻璃包含组分及其原子百分比为:52.5~53.8%钆、16.5~20.5%钴、25.0~30.0%铝、1.0~3.0%锆。本发明还提供了GD-CO-AL-ZR大块金属玻璃的制备方法,具体为:将金属钆、钴、铝、锆按规定原子百分比配料,通过电弧熔炼的方法直至合金熔化均匀,获得GD-CO-AL-ZR的母合金铸锭,然后采用铜模吸铸法获得最大直径为8毫米的大块金属玻璃。本发明提供的GD-CO-AL-ZR大块金属玻璃,具有很高的非晶形成能力和热稳定性,在磁致冷功能材料及结构材料方面有广阔的应用前景。
针对常规BST薄膜居里温度(Tc)范围窄导致铁电相或顺电相单相结构,从而导致BST薄膜综合介电性能难以提高的技术问题,本发明提供了一种二元梯度掺杂BST薄膜的制备方法,属于功能材料技术领域。通过对(Ba+Sr)/Ti摩尔比,掺杂元素、浓度、梯度与方向以及薄膜设计、预热处理与膜厚(或层数)的控制,制备Tc范围拓宽的二元梯度掺杂BST薄膜,具有铁电相和顺电相复合结构,获得介电常数小于240、调谐率大于25%、介电损耗小于0.63%及介温系数小于0.0024/K的优异综合性能。该方法方便、快捷、廉价、高效,制备的二元梯度掺杂BST薄膜能实现在微波调谐器件中的应用。
高抗电强度无铅储能介质陶瓷材料及其制备方法,属于电子信息功能材料与器件技术领域,本发明的高抗电强度无铅储能介质陶瓷材料,其特征在于,其组成通式为:(Sr0.7Ba0.3)aR6‑aX2+aY8‑aO30,其中X为Nb5+或Ta5+,Y为Ti4+或Zr4+,R为3价稀土元素,a的值为4或5。本发明在达到高抗电强度的同时实现了较高的储能效率,节约了能源成本,应用前景广泛。
本发明公开了一种利用高温超高压制备片状二硒化铂的方法,属于功能材料制备技术领域。本发明直接以单质铂和硒粉为原料,无需任何反应助剂,在高温高压下合成;本发明可通过控制合成温度和压力来调整产品的纯度,并制备出纯相、结晶性能良好、大晶粒尺寸的块体状二硒化铂(PtSe2);本发明主要包括样品处理、样品组装、高温高压反应和退火去硒这四个步骤,制备方法简单、制备同期短,制得的二硒化铂(PtSe2)结晶性好、晶粒大,适合工业化大规模生产;本发明发展了新型的二维半导体制备方法,为二硒化铂等过渡金属硫族化合物的可控制备,以及相关二维材料在光电子器件和催化剂方面的潜在应用提供了可靠的制备手段,具有广阔的应用前景。
本实用新型涉及一种OLED图像源。所述OLED图像源采用一个高亮度OLED显示器件,所述高亮度OLED显示器件不带偏光片,包括玻璃基板、位于玻璃基板之上的透明阳极、位于透明阳极之上的至少一组有机功能材料层及发光层、位于有机功能材料层及发光层之上的金属阴极。本实用新型的有益效果是:由于本实用新型的投影系统采用高亮度的OLED显示器件,不需要额外的照明系统,同时本实用新型采用的OLED显示器件,也不必采用偏光片来消除环境光,这样,不但简化了投影系统简单,而且提高了OLED的亮度,有效的降低了投影显示产品的成本。
本发明提供的一种应用于乙醇传感器的VSe2单晶薄膜的制备方法,属于功能材料制备技术领域。首先将V和Se粉体放置于石英管底部,将石英管抽真空并进行封管;然后将封装好的石英管竖直放入立式炉中,通过设定立式炉的升降温及保温程序,精确控制炉内温度以满足晶体的加热、长晶过程,V和Se粉体在温度与重力场的协同作用下,变成蒸汽并在台阶处的基片上生长得到VSe2单晶薄膜。本发明方法中,晶体的生长是在真空石英管中完成的,不涉及气体的通入及废气的处理过程;且方法简单,成本低廉,得到的单晶薄膜纯度高,品质好,可作为高纯度本征单晶半导体材料,应用于乙醇传感器等气体传感器中。
一种钨青铜结构的无铅储能介质陶瓷材料,属于电子信息功能材料与器件技术领域。该陶瓷材料由(Sr0.7Ba0.3)5RX7Y3O30相和(Bi0.5Na0.5)TiO3相构成,(Sr0.7Ba0.3)5RX7Y3O30相的含量为60wt%~90wt%,(Bi0.5Na0.5)TiO3相的含量为10wt%~40wt%,X为Nb5+或Ta5+,Y为Ti4+或Zr4+,R为3价稀土。本发明在稀土掺杂改性的SrO‑BaO‑X2O5系陶瓷材料的基础上,加入不同半径及电价的低熔点离子氧化物,有效降低了材料的铁电响应,提高材料的弛豫性,同时通过降低烧结温度改善材料微观结构,得到的陶瓷材料具有优异的储能性能。
本发明涉及一种纳米棒状结构的氧化铟(In2O3)气敏材料的制备方法,属于无机纳米功能材料制备技术领域。本发明以四水合三氯化铟为铟源,采用十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,在氢氧化钠碱性条件下水热反应制备氢氧化铟,最后进行热焙烧处理得到纳米棒状结构的氧化铟气敏材料。最终制备的氧化铟为立方相In2O3纳米棒状结构,对二氧化氮气体和硫化氢气体都具有很好的传感检测性能,而且对其他气体(一氧化碳、乙醇、氨气、氢气、甲醛等)不敏感;并且工作温度低、响应恢复迅速、灵敏度很高、检测限极低、选择性高、稳定性高。此外,这种氧化铟气敏材料还可以用于催化剂、电池材料、光电材料等领域。
一种光敏聚酰亚胺及其制备方法,属于感光耐热 高分子功能材料。所述PSPI的主要成份的重复结构单元结构 式为:(见图)其中,聚合度n=1-200; Ar1为芳香酮化合物; Ar2为苯环或萘环;R为邻位上含 烷基、烷氧基或甲硫基的苯环;R′为α、β不饱和酮基或取 代α、β不饱和酮基。以苯环邻位上含烷基、烷氧基或甲硫基 的光敏性二胺和含丙烯酰基的光敏性二胺为原料,将四羧酸二 酐有机溶液缓慢滴入光敏性二胺混合溶液进行聚合,再通过化 学亚胺化得到所述PSPI。该类聚合物是一种结构型与自增感型 结合的PSPI,分子结构中含有两种能够发生光交联反应的光敏 活性基团,具有更高的光敏性和分辨率,优异的热稳定性和溶 解性,光刻成形后膜的收缩率极小,在光刻工艺中有着广泛的 应用前景。
本发明提供了一种常压化学气相沉积法可控制备不同形貌的二氧化锡微纳米材料的方法,将碳质材料与溶剂混合,研磨成糊状,均匀的涂覆在电阻圈上,经煅烧后,作为沉积材料的基底;将电阻圈放入反应腔中,先通入保护气,后将氯化亚锡溶液与硼氢化钾溶液混合产生锡化氢,并由载气带入反应腔,加热到设定温度沉积一段时间后停止反应。持续通保护气至电阻圈冷却,将电阻圈放入马弗炉中煅烧,在基底上得到了白色的二氧化锡材料。本发明通过改变沉积的温度、时间和基底,实现了对二氧化锡材料的可控合成。该发明所用仪器简单,在常压下沉积,成本低,没有外加催化剂,易操作,有望成为一种普遍的方法来制备结晶度好,形貌特殊的多功能材料。
本发明公开了一种非掺杂的、具有超薄结构的有机电致发光器件,包括导电基板或者衬底、阳极层和阴极层,其中一种电极位于衬底或者导电基板表面,所述阳极层和阴极层之间设置有机功能层,它至少包括发光层,该发光层具有超薄结构材料层,在外加电源的驱动下发光,其特征在于:超薄结构材料层厚度在5NM以内,是非掺杂结构的薄层;超薄结构材料层是蓝色系、绿色系和红色系的有机电致发光材料;采用常规的性能优良的发光材料,作为有机层中的功能材料,通过改变器件的结构、功能层的组份及厚度,制备高性能的、彩色的有机电致发光器件,满足信息显示、照明的需求。
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