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高质量CuI晶体的生长方法

956   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 15:03:02
本发明提供了一种CuI晶体的生长方法,属于光电功能材料技术中的晶体生长领域。该方法使用NH4Cl、NH4Br、NH4I等为助溶剂,片作为还原剂,生长温区70-40℃,采用水溶液温差法生长晶体。本发明采用的温差法生长技术具有生长设备简单、成本低廉、生长温度低以及晶体生长不受溶解度限制等优点,所生长的CuI晶体纯度高、均匀性好、尺寸较大,因此作为新一代的超快闪烁晶体,有望在未来超高计数率电子、γ射线和X射线测量中发挥重要作用,同时还作为一种半导体材料用作太阳能电池材料超导材料和光催化材料。
声明:
“高质量CuI晶体的生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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