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p型单晶硅片的表面处理方法

586   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:04:01
一种p型单晶硅片的表面处理方法,用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括p型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备p型多孔单晶硅片,然后对p型多孔单晶硅片进行后处理,得到具有发光强度高且在空气中长期存放发光不衰减,峰位不蓝移的p型多孔单晶硅片。
声明:
“p型单晶硅片的表面处理方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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