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磷化钕铁硼磁体的后处理方法及应用与流程

960   编辑:中冶有色技术网   来源:大地熊(包头)永磁科技有限公司  
2023-09-19 15:30:56

磷化钕铁硼磁体的后处理方法及应用与流程

1.本发明属于钕铁硼磁体表面处理技术领域,具体涉及一种磷化钕铁硼磁体的后处理方法,还涉及该后处理方法在制备钕铁硼磁体中的应用。

背景技术:

2.钕铁硼作为一种磁性材料被广泛运用于航天、医疗、军事等各个领域。钕铁硼是一种多元素粉末合金材料,在其生产过程中因为添加了多种稀土元素而变得极易氧化,为了防止磁体氧化、延长其使用寿命,我们一般都会对其进行表面处理,电镀、喷涂、磷化等多种表面处理方法被广泛运用于该领域。

3.磷化作为钕铁硼磁体常规的表面处理方法,且优点是成本低、操作简单,缺点是防腐性能差,往往仅用于短时间的防腐,解决磁体在包装和运输过程中不被氧化,后续在通过喷漆、注塑等方法提高防腐能力。

4.由于磁体本身易氧化和磷化膜防腐能力差的特点,磁体在磷化后干燥的过程中受温度、和氧气的影响,使得磷化后钕铁硼磁体的耐腐蚀性能较差,容易生锈,所以干燥过程很多时候是通过小批量、手工进行,通过缩短干燥时间来减少生锈不合格的比例;如图1所示的,在水洗过后利用热空气对其进行干燥,此外,干燥过程中,需要对磁体进行不断的翻转已实现受热均匀的目的,但翻转过程中,相互摩擦容易对磷化膜的致密性产生负面影响。

技术实现要素:

5.有鉴于此,本发明有必要提供一种磷化钕铁硼磁体的后处理方法,磷化后的钕铁硼磁体在相对静止的状态下即可完成干燥,干燥时间短,能耗低,且干燥后的钕铁硼磁体耐蚀性能得到显著提高。

6.为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:

7.本发明提供了一种磷化钕铁硼磁体的后处理方法,包括下列步骤:

8.将钕铁硼磁体进行磷化,获得磷化钕铁硼磁体;

9.水洗所述磷化钕铁硼磁体;

10.将水洗后的磷化钕铁硼磁体置于惰性气体中干燥。

11.进一步方案,所述干燥的步骤,具体为:

12.向干燥设备内通入惰性气体排空其中的空气,并使得干燥设备内充满惰性气体;

13.将水洗后的钕铁硼磁体置于所述干燥设备内进行干燥。

14.进一步方案,所述干燥的过程中,所述干燥设备内始终充满所述惰性气体。

15.进一步方案,所述干燥的温度在60℃-90℃,时间在3-8min。

16.进一步方案,所述惰性气体选自0族稀有气体或氮气。

17.本发明进一步提供了如前述任一项所述的后处理方法在制备钕铁硼磁体中的应用。

18.与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:

19.本发明中的后处理方法,可以使得磷化后钕铁硼磁体在相对静置的状态下完成干燥,操作简单,干燥时间短,干燥温度低,可降低后处理过程中的能耗。最为重要的是通过本发明中的后处理方法干燥后的钕铁硼磁体耐蚀性能显著提高。

20.该后处理方法可提高生产效率和正品率。

附图说明

21.图1为现有的磷化后钕铁硼磁体的后处理工艺流程;

22.图2为本发明一较佳实施例中磷化后钕铁硼磁体的后处理工艺流程。

具体实施方式

23.为了便于理解本发明,下面将结合具体的实施例对本发明进行更全面的描述。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

24.除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本发明。

25.本发明第一方面提供了一种磷化钕铁硼磁体的后处理方法,如图2中所示的,包括下列步骤:

26.将钕铁硼磁体进行磷化,获得磷化钕铁硼磁体;

27.水洗所述磷化钕铁硼磁体;

28.将水洗后的磷化钕铁硼磁体置于惰性气体中干燥。

29.在原有工艺的基础上,将水洗后的磷化钕铁硼置于惰性气氛中干燥,一方面操作简单,干燥时间短,能够显著的降低能耗;另一方面,干燥后能够明显提高磷化钕铁硼的耐腐蚀能力,提高钕铁硼磁体的正品率。

30.可以理解的是,本文中所述的磷化、水洗等均为本领域中常规的钕铁硼生产处理工艺,没有特别的限定,故这里不再具体阐述。

31.根据本发明的实施例,所述干燥的步骤,具体为:向干燥设备内通入惰性气体排空其中的空气,并使得干燥设备内充满惰性气体;将水洗后的钕铁硼磁体置于所述干燥设备内进行干燥;优选的,在所述干燥的过程中,所述干燥设备内始终充满所述惰性气体。可以理解的是,这里的干燥设备没有特别的限定,可在现有的干燥设备的基础上进行,需要注意的是,要保证足够的密封性,此外,还可以对干燥设备内的惰性气体进行监控,如不满足阈值要求,则及时进行惰性气体的补充,保证整个干燥过程中,干燥设备内始终充满惰性气体。这种干燥方式相较于传统的热空气干燥效果更好,且无需在不断翻转磁体,可在相对静止的条件下短时间内迅速干燥;相较于真空干燥,由于传统的烧结炉抽真空到0.1pa用时都会在30min以上,耗时长且加热过程耗时多,能耗高,且效率低下。

32.根据本发明的实施例,所述干燥的温度在60℃-90℃,时间在3-8min。

33.本文中所述的惰性气体没有特别的限定,所述惰性气体选自0族稀有气体(如氦气、氩气等)或氮气。

34.本发明第二方面提供了如本发明第一方面所述的后处理方法在制备钕铁硼磁体

中的应用,在任意钕铁硼制备的工艺中,引入该后处理方法可有效提高钕铁硼磁体的耐腐蚀能力。

35.下面通过具体实施例对本发明进行说明,需要说明的是,下面的具体实施例仅仅是用于说明的目的,而不以任何方式限制本发明的范围,另外,如无特别说明,未具体记载条件或者步骤的方法均为常规方法,所采用的试剂和材料均可从商业途径获得。

36.以下实施例和对比例中的测试项目具体如下:

37.湿热实验:温度85℃

±

3℃、湿度100%rh;

38.盐水浸泡实验:3%的氯化钠溶液;

39.外观检测:目视。

40.对比例1

41.取5kg钕铁硼磁体,于35℃低温磷化15min后,水洗2min,然后采用吹风机热风对磷化钕铁硼干燥5min,其中,干燥温度为75℃,干燥过程中对钕铁硼磁体不断的翻转。

42.随机取干燥后的钕铁硼磁体,分别进行湿热实验、盐水浸泡实验和外观检测,结果如表1和表2中所示的。

43.表1湿热实验和盐水浸泡实验结果

44.类别数量(片)10h12h15h湿热实验10没有变化没有变化4片生锈浸泡实验10没有变化没有变化全数生锈

45.表2全检200片磁体外观检测结果

46.类别数量(片)轻微腐蚀(片)不合格率合格率外观检验20021%99%

47.实施例1

48.采用同对比例1相同的实施方式,不同之处在于:将水洗后的磷化钕铁硼置于充满氮气的干燥设备中干燥5min,干燥温度为75℃。

49.随机取干燥后的钕铁硼磁体,分别进行湿热实验、盐水浸泡实验和外观检测,结果如表3和表4中所示的。

50.表3湿热实验和盐水浸泡实验结果

51.类别数量(片)10h12h15h湿热实验10没有变化没有变化没有变化浸泡实验10没有变化没有变化没有变化

52.表4全检200片磁体外观检测结果

53.类别数量(片)轻微腐蚀(片)不合格率合格率外观检验20000100%

54.实施例2

55.采用同对比例1相同的实施方式,不同之处在于:将水洗后的磷化钕铁硼置于充满氦气的干燥设备中干燥8min,干燥温度为60℃。

56.实施例3

57.采用同对比例1相同的实施方式,不同之处在于:将水洗后的磷化钕铁硼置于充满

氩气的干燥设备中干燥3min,干燥温度为90℃。

58.将实施例2和实施例3中干燥后的钕铁硼磁体进行与实施例1中相同的湿热和盐水浸泡实验,结果与实施例1相同,湿热15h及盐水浸泡15h后,钕铁硼磁体没有变化,磁体外观合格率可达100%。

59.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。

60.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。技术特征:

1.一种磷化钕铁硼磁体的后处理方法,其特征在于,包括下列步骤:将钕铁硼磁体进行磷化,获得磷化钕铁硼磁体;水洗所述磷化钕铁硼磁体;将水洗后的磷化钕铁硼磁体置于惰性气体中干燥。2.如权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述干燥的步骤,具体为:向干燥设备内通入惰性气体排空其中的空气,并使得干燥设备内充满惰性气体;将水洗后的钕铁硼磁体置于所述干燥设备内进行干燥。3.如权利要求2所述的后处理方法,其特征在于,所述干燥的过程中,所述干燥设备内始终充满所述惰性气体。4.如权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述干燥的温度在60℃-90℃,时间在3-8min。5.如权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述惰性气体选自0族稀有气体或氮气。6.如权利要求1-5任一项所述的后处理方法在制备钕铁硼磁体中的应用。

技术总结

本发明公开了一种磷化钕铁硼磁体的后处理方法及应用,主要步骤有:将钕铁硼磁体进行磷化,获得磷化钕铁硼磁体;水洗所述磷化钕铁硼磁体;将水洗后的磷化钕铁硼磁体置于惰性气体中干燥。该后处理方法可将磷化后的钕铁硼磁体在相对静止的状态下即可完成干燥,干燥时间短,能耗低,且干燥后的钕铁硼磁体耐蚀性能得到显著提高,具有明显的进步。具有明显的进步。具有明显的进步。

技术研发人员:时宗华 刘明辉 曹林峰 赵占中 陈静武

受保护的技术使用者:大地熊(包头)永磁科技有限公司

技术研发日:2022.01.12

技术公布日:2022/5/17
声明:
“磷化钕铁硼磁体的后处理方法及应用与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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