浙江有色金属理论与应用

含铈量高的低成本N35钕铁硼磁体及其烧结方法 838     

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一种含铈量高的低成本N35钕铁硼磁体及其烧结方法，属于粉末冶金技术领域，按重量百分比wt%称取以下原材料通过烧结工艺制备而成：镨钕﹙Pr‑Nd﹚：12~27，铈﹙Ce﹚：7~15，铌﹙Nb﹚：0~0.5，铝﹙Al﹚：0~1，铜﹙Cu﹚：0~1，硼﹙B﹚：0.9~1.1，钴(Co)：0~1.2，锆(Zr)：0~0.5，钆(Gd)：0~3，其余为铁﹙Fe﹚。本方案，用铈﹙Ce﹚代替部分镨钕（Pr‑Nd），磁性能指标达到N35牌号烧结钕铁硼国家标准，生产每公斤相应牌号磁体可以节约材料成本15~25元。

电磁阀用不锈钢芯铁及其制备方法 956     

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本发明公开了一种电磁阀用软磁不锈钢芯铁材料。化学成分满足(重量):C含量小于0.08%,Si含量为0.8～2.5%,Cr含量为16～20%,Mn含量为0.2～0.8%,Mo含量为0.5～1.5%,S含量为0.2～0.4%,Ti含量为0.2～0.6%,Ni含量小于0.20%,稀土Re含量小于0.1%,其余为铁。满足上述成分要求的合金能采用传统的铸造方法获得钢坯,然后再经锻造、热轧或冷轧获得所需形状的型材,或采用粉末冶金成型的方法。型材最后经800℃以上的高温退火。这种软磁材料具有很高的耐腐蚀能力,易于切削,还具有良好的软磁性能。

水雾化硼铁合金粉末及其制备方法 884     

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本发明公开了一种水雾化硼铁合金粉末及其制备方法，涉及粉末冶金技术领域，一种水雾化硼铁合金粉末，所述合金粉末按照质量百分比计包括：C：≤0.05％，O≤0.5％，B：0.9‑1.2％，Mn≤0.4％，Si:≤0.25％，P≤0.015％，S≤0.015％，余量为Fe。本发明的一种水雾化硼铁合金粉末及其制备方法，有效解决了现有技术中生产周期长、生产效率低且粉末的氧含量高，硼的收得率低及易波动等问题，降低了生产成本，提高了生产效率，且制备得到的硼铁合金粉末硼收得率高且稳定、氧含量低，能够作为生产药芯焊丝的原材料。

废杂铜连铸生产铜合金的方法 889     

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本发明公开了一种废杂铜连铸生产铜合金的方法，属于冶金技术领域，具体包括表面除垢、粉碎、精炼、铜含量调整、保温、成型和拉丝的步骤，其能够直接利用废杂铜生产铜合金棒材，降低了现有的铜合金棒材生产成本较高的问题，提高了资源的利用率；在此基础上，其所制得的铜合金棒材还具有杂质含量低、耐腐蚀性和抗拉强度优良的特点。

Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺 784     

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本发明涉及一种Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于该Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体是由CuInTe2中的部分Cu和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素，所述Zn元素在所述Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体中的摩尔分数为0.01～0.05，所述Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体的化学式为Cu1-xIn1-xZn2xTe2，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Zn等摩尔替换CuInTe2中Cu和In元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。

废杂铜生产铜合金棒材的方法 747     

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本发明公开了一种废杂铜生产铜合金棒材的方法，属于冶金技术领域，具体包括表面除垢、粉碎、精炼、铜含量调整、保温、成型和拉丝的步骤，其能够直接利用废杂铜生产铜合金棒材，降低了现有的铜合金棒材生产成本较高的问题，提高了资源的利用率；在此基础上，其所制得的铜合金棒材还具有杂质含量低、耐腐蚀性和抗拉强度优良的特点。

高速列车齿轮传动系统用铝合金及其制造方法 949     

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本发明提供了一种铸造铝合金及其制备方法和应用，属于材料冶金技术领域。本发明制备的铸造铝合金表面质量优良，无缩孔缩松现象，内部组织符合探伤检测要求且机械性能更优，产品达到国际领先水平，成功应用于我国高铁动车组，满足我国高速列车大跨域、高速、复杂环境对齿轮传动系统用铝合金铸件的性能要求。

合金粉体材料的制备方法 823     

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本发明涉及一种合金粉体材料的制备方法。利用合金凝固组织中包含基体相与惰性弥散颗粒相的特点，通过酸溶液将基体相反应去除，从而使得弥散颗粒相分离出来，得到合金粉体材料。该方法工艺简单，可以制备包括纳米级、亚微米级、微米级以及毫米级的不同形貌的多种合金粉体材料，在包括催化、粉末冶金、3D打印等领域具有很好的应用前景。

含铈量高的低成本N40钕铁硼磁体及其烧结方法 733     

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一种含铈量高的低成本N40钕铁硼磁体及其烧结方法，属于粉末冶金技术领域，按重量百分比wt%称取以下原材料通过烧结工艺制备而成：镨钕﹙Pr‑Nd﹚：16~27，铈﹙Ce﹚：6~10，铌﹙Nb﹚：0.2~0.5，铝﹙Al﹚：0.5~1，铜﹙Cu﹚：0.15~1，硼﹙B﹚：0.9~1.1，钴(Co)：0~1.2，锆(Zr)：0~0.5，其余为铁﹙Fe﹚。本申请方案用铈﹙Ce﹚代替部分镨钕（Pr‑Nd），各项磁性能指标均能达到N40牌号烧结钕铁硼国家标准，生产每公斤相应牌号产品可以节约材料成本13~19元，降低材料成本，同时降低生产过程中的能源消耗。

利用含铬废水废液制备含铬耐高温材料的方法 1149     

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本发明公开了一种利用含铬废水废液制备含铬耐高温材料的方法，包括：（1）向含铬废水废液中加入还原剂，使六价铬还原为三价铬；加入镁化合物调节pH后沉淀、压滤。（2）将压滤干的固体与铁化合物、镁化合物混合，得到前驱体；（3）高温烧结或熔融后得到产品。本发明利用含铬废水废液生产有害离子含量低的含铬耐高温材料，从源头上解决了铬污泥二次污染难题，实现了废物的资源利用；采用镁化合物进行中和，减少了回收过程中清洗废水的产生量，减少二次污染,降低废水处理成本；污泥中残留的镁盐和镁化合物可高温烧结分解，不影响产品品质。本发明工艺简单，操作方便，减少环境污染，制备的产品可用于耐火材料、冶金及铸造用途，有较高的环境效益和经济效益。

太阳能多晶硅的制备方法 973     

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本发明主要公开了一种太阳能级多晶硅的制备方法，采用冶金级硅作为原料，经破磨后得粒度为50目以上的硅粉物料，硅粉物料分别用浓度为1‑6mol/l的盐酸、浓度为0.5‑6mol/l的硝酸和浓度为1‑5mol/l的氢氟酸进行酸浸处理，酸浸后加入真空炉内进行真空精炼处理，真空精炼分两阶段，第一阶段为真空氧化精炼，控制炉内温度为1430‑1500℃，真空度为90000‑1000Pa，第二阶段，即真空蒸馏精炼和真空脱气阶段，控制炉子真空度10‑2‑10‑5Pa，温度1430‑1500℃，最后经定向凝固及切头处理，获得太阳能级多晶硅产品。其硅的纯度为99.9999％以上，比电阻超过0.4Ω.cm，以满足太阳能电池行业所需硅原料的要求。

银基电接触材料的制备方法 1128     

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本发明公开一种银基电接触材料的制备方法,采用固相粉末与液相金属共喷射雾化的方法获得包覆有金属的增强相复合粉末,并对复合粉末采用后续烧结热压挤压制备手段致密成形;所述电接触材料,其中增强相形态为颗粒形态,增强相平均粒度在0.1-100μm之间,电接触材料中增强相重量含量小于或者等于20%。采用本发明制备的电接触材料具有耐电弧烧蚀能力优良,导电率高,力学性能优良的优点,其耐电弧能力、导电率、强度分别比传统粉末冶金方法制备的同体系材料均有提高。

电磁阀用封头材料及其制备方法 931     

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本发明公开了一种电磁阀用封头材料。其成分满足(重量百分比):C含量小于0.08%,Si含量为0.8～2.5%,Cr含量为12～16%,Mn含量为0.2～0.6%,S含量为0.2～0.4%,Ti含量为0.2～0.6%,稀土Re含量为0～0.1%,余为铁。满足上述成分要求的合金能采用传统的铸造方法获得钢坯,然后再经锻造、热轧或冷轧获得所需形状的型材,或采用粉末冶金成型的方法。型材最后经800℃以上的高温退火。这种材料除具有成本较低,耐蚀性好,易切削优点外,还具有良好的软磁性能。

共产炉及其综合利用 826     

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本发明是冶金、化工、电气、建材的综合技术。采 取氧气底吹，必要时将燃料和矿粉同时喷入“共产 炉”内，由其反应的热量造成高温(≈1600℃)，熔化 为液体状态，进行氧化反应和还原反应。从而： (1)其有色黑色金属，去进一步加工； (2)其高温用于余热锅炉发电； (3)其气体转制化工产品或其他用户； (4)其炉渣作建筑材料。

Ag-In-Zn-Se四元热电半导体及其制备工艺 811     

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本发明涉及热电材料领域，是一种Ag-In-Zn-Se四元热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的部分Ag和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素，所述Zn元素在所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的摩尔分数为0.0125～0.05，Ag和In元素在所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25。所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体的化学式为Ag1-xIn1-xZn2xSe2，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Zn等摩尔替换Ag-In-Zn-Se四元热电合金中Ag和In元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。

中温用金属硒化物热电材料及制备工艺 976     

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本发明涉及热电材料领域的中温用金属硒化物热电材料及制备工艺。其设计要点在于该热电材料的化学式为InxAgySe3,其中x+y=2,0.05≤y≤0.25。其制备工艺是将单质元素In、Ag、Se置于真空石英管内,经1000～1100℃合成20～28小时后,将InxAgySe3铸锭随炉冷却至600～650℃立即在水中淬火,淬火后的InxAgySe3经铸锭粉碎、球磨,再经放电等离子火花烧结制成块体,烧结温度为550～650℃,烧结压力40～60MPa,保温时间8～12分钟,烧结后的块体材料表面用硅酸钠浓溶液涂覆处理,待干燥后在真空石英管内退火20～28小时,退火温度180～200℃。本发明采用常规的粉末冶金法制备,工艺简单;采用过渡金属元素Ag等摩尔替换In2Se3热电合金中In元素,成本较低;材料具有环保特性,无噪音,适合作为一种绿色能源材料使用。

减震器 829     

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本发明涉及减震器，具体涉及粉末冶金减震器及其制备工艺，属于粉末冶金技术领域。减震器包括减震器本体和本体表面的镀层，减震器本体由如下成分及其质量百分比的铝合金组成：Zr：0.07‑0.13％、C：0.05‑0.09％、Si：0.1‑0.2％、Cd：0.09‑0.15％、Cr：0.04‑0.08％、Cu：0.02‑0.06％、余量为Al和杂质。原材料中加入锆，是强有力的脱氧和脱氮元素，是除去氧、氮、硫、磷的净化剂，在铝合金改善铝的低温韧性，作用远优于传统铝合金中的钒。并以碳源化合物中的碳进行表面微碳化。而减震器镀层由多元合金相构成，而多元合金相由钯、金、银、钴、铂、铑中的多种形成。最后以电火花处理工艺进行上镀获得性能良好的产品。

激光组合制造专用合金粉末及其在硬密封球阀中的应用 1011     

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本发明公开了一种激光组合制造专用合金粉末及其在硬密封球阀中的应用，所述合金粉末由如下质量配比的原料组成：碳1.8～2.0％，铬28～31％，钨8～10％，钼2?3％，镍3～4％，铁3～5％，硅1～2％，锰1～2％，硼0.1～1％，钴余量；采用本发明所述激光合金混合物，在球体密封面整体车削进行激光熔覆，可以获得与基体呈冶金结合、组织均匀、表面形貌良好的涂层；在实际使用中球阀不需加热，在硬度、耐磨、韧性、耐冲击方面的性能上比基材SS316有很大的提升；该熔覆层具有较高的硬度、耐磨性、韧性和抗冲击性能，综合性能优异；熔覆工艺适应性宽，重复性一致，操作性强。

电渣钢残余铝的控制方法 819     

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本发明涉及一种电渣重熔技术，尤其是涉及一种电渣钢中残余铝的控制方法，旨在克服现有的电渣重熔技术的重熔渣系稳定性差，重熔过程中金属熔池易发生增铝，电渣钢中残余铝难以控制，电渣钢质量差的不足，该电渣钢残余铝的控制方法，以现有的电渣炉和电渣重熔工艺进行熔炼，重熔渣由下列组元按重量百分比组成：CaO28~40%，Al2O310~15%，MnO0.2~0.5%，CaF215~25%，余量为Al2(SiO3)3，重熔过程中，通过重熔渣脱氧控制重熔渣中FeO的含量不大于0.5%。本发明具有重熔渣系稳定性好，金属熔池不易增铝，电渣钢中残余铝易于控制，电渣钢质量好的优点。

操作方便的电池回收方法 831     

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本发明公开了一种操作方便的电池回收方法，其特征在于：包括以下步骤：集中放置、去壳、中高温熔炼、金属分离、精炼，去壳拆解机构包括传送带、第一切割装置、转向装置、第二切割装置、去壳装置，通过第一切割装置完成对两面的切割，转向装置把电池转动再通过第二切割装置对另外两个面切割，最后经过去壳装置把电池外壳去掉，解决了一个设备同时去除不同大小的电池外壳，减少设备磨损。

钢顶铝活塞及其制备方法 697     

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本发明涉及一种钢顶铝活塞及其制备方法，其包括活塞顶和铝基体，其特征在于：所述活塞顶是由钢顶与多层互相成一定角度的过渡丝网组成，所述过滤丝网经真空扩散焊接在钢顶与铝基体的连接面上，所述活塞顶与铝基体是通过使铝液渗入过渡丝网中形成机械和冶金结合来连接的。活塞的钢顶采用厚度0.5～0.6mm的耐热不锈钢，使得活塞重量减轻，过渡丝网则使活塞顶与铝基体之间的结合强度增加，并通过在过渡丝网上形成陶瓷隔热层这一技术措施，又保证了活塞的耐热能力，因此，本发明的活塞其重量减轻，耐热性相当，活塞在使用过程中的可靠性增加。另外，本发明中所述活塞采用挤压铸造工艺成型，这种工艺不仅简单，还可有效提高铝合金的材料性能，从而使该活塞的整体性能比较高。

用于太阳能电池的高纯多晶硅提纯装置 1151     

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本实用新型属于半导体材料制备领域，具体涉及一种用于太阳能电池的高纯多晶硅提纯装置，包括：熔炼造渣装置、阶梯除磷装置、分步氧化装置和精炼凝固装置。本实用新型将硅液经造渣除杂后，进入阶梯除磷装置，当硅液从硅液流槽口流出时，用电子枪的高能电子束轰击从槽口流出的硅液，从而快速的除去硅液中的磷杂质。在分步氧化装置内用不同的精练气体分步作用，除去硅液中的杂质硼、碳、金属等杂质，再通过脱气精练、定向凝固后，切除硅锭的高杂质部分，得到高纯度的太阳能级多晶硅产品，实现高纯多晶硅的连续工业化生产。

具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺 963     

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本发明涉及热电材料领域，是一种具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的部分Cu元素等摩尔替换为Sb元素，所述Sb元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0～0.025，Cu元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25。所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体的化学式为Cu1-xGaSbxTe2，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Sb等摩尔替换Cu-Ga-Sb-Te四元热电合金中Cu元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。

粉体制备与混粉一体化装置及其应用 1187     

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本发明公开一种粉体制备与混粉一体化装置及其应用，包括中频熔炼炉、保温炉、上喷盘、下喷盘、收集桶、喷粉装置。其中中频熔炼炉为定点浇铸炉，浇铸中心与保温炉中心对应；收集桶上端接口放置下喷盘与上喷盘，其中下喷盘连接高压水管道，上喷盘连接喷粉装置，保温炉安装在上喷盘顶部，保温炉底部设有漏嘴，漏嘴中心与喷盘中心对应。收集桶下端与压滤桶连接，收集桶与压滤桶之间设有蝶阀。本发明在一台设备上实现了金属粉体制备和混合两个动作，操作简单方便，生产效率高，劳动强度低，而且提高了弥散强化相或高熔点相颗粒在基体材料中的分布均匀性和结合强度，工艺路线简单，加工流程短，适合大批量生产。

Ni-Mn-Ti基多元合金靶材及其制备方法和薄膜 931     

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本发明涉及一种Ni‑Mn‑Ti基多元合金靶材及其制备方法和薄膜。首先电弧熔炼制备合金锭子，提高了合金的纯度，致密性，使多种元素得到充分的合金化；后续通过熔体快淬以一定轮速甩出薄带，降低了材料内部的孔隙率，简化了后续热处理工艺，并细化晶粒，使元素分布更趋于均匀；然后将薄带研磨成合金粉末，有效解决了单个元素熔点过低或过高导致的成分不均，在保证原有磁性下，拓宽了相变温跨；最后通过热压制备四元合金靶材。本发明集电弧熔炼与高温热压制备优点为一体，并结合熔体快淬，从而能够制备成分均匀，空隙率低，纯度高，晶粒尺寸小，相变温区跨度宽的靶材；本发明的靶材采用NiMnTi基合金，制备的薄膜具有良好的机械性能，方便后续应力调控，获得多功能薄膜。

电池回收方法 928     

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本发明公开了一种电池回收方法，其特征在于：包括以下步骤：集中放置、去壳、中高温熔炼、金属分离、精炼，去壳拆解机构包括传送带、第一切割装置、转向装置、第二切割装置、去壳装置，通过第一切割装置完成对两面的切割，转向装置把电池转动再通过第二切割装置对另外两个面切割，最后经过去壳装置把电池外壳去掉，解决了一个设备同时去除不同大小的电池外壳，减少设备磨损。

用水雾化干粉还原制备低松比铜粉的方法 1007     

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本发明是一种用水雾化干粉还原制备低松比铜粉的方法。现有不经氧化直接进行还原的方法,铜粉所需的还原时间长,炉温的温度较高,所需的能耗大,成本仍较高;劳动强度大,工序效率低,运送成本高;不能用于生产高性能的粉末冶金制品。本发明用水雾化干粉还原制备低松比铜粉的方法,其特征在于采用环形多焦点喷射水流对铜液进行雾化,然后直接将雾化后的铜粉烘干成干粉,经还原烧结、破碎、筛分处理,得到细颗粒团聚状的不规则铜粉。本发明采用多焦点水雾化后经烘干得到的干粉直接进行还原烧结,取得了缩短还原时间、用较低的温度即可实现还原烧结、大大降低能耗和制造成本的有益效果;劳动强度小,工效高;能用于制造高性能的粉末冶金制品。

高性能减震器 718     

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本发明涉及高性能减震器，具体涉及粉末冶金高性能减震器及其制备工艺，属于粉末冶金技术领域。减震器包括减震器本体和本体表面的保护层，减震器本体由如下成分及其质量百分比的铝合金组成：Zr：0.06‑0.12％、C：0.04‑0.08％、Si：0.2‑0.3％、Cd：0.08‑0.14％、Cr：0.05‑0.09％、RE：0.03‑0.05％、余量为Al和杂质。原材料中加入锆并配合稀土元素，是强有力的脱氧和脱氮成分，是除去氧、氮、硫、磷的净化剂，在铝合金中改善铝的低温韧性。保护层不仅能保护本体不受外界侵蚀，且能转变本体表层合金相组成，增强其综合性能，延长使用寿命。而高速高冷的气体流射入合金液中，将合金液破碎成极细颗粒的液流，利用温度的差异，使得液流急冷后形成微粒，无需经机械进行磨制处理即可进行粉末冶金工艺。

无氨化金属钴粉制备工艺 853     

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本发明公开了一种无氨化金属钴粉制备工艺，采用碳酸盐作为沉钴原料与高纯度的钴溶液反应来合成碳酸钴盐，进一步再通过还原焙烧上述碳酸钴盐来制得金属钴粉。本发明沉钴工艺生产的碳酸钴盐具备稳定的物理性能和化学性能，进而可以改善和提高成品金属钴粉的质量稳定性；同时，在沉钴工艺中无需引入铵根离子，不会产生污染环境的废气和固废，废水中也不含有氨氮类物质，降低了废水的后期处理流程和处理成本，改善了作业环境，兼备良好的经济效益和环保效益。

石墨印章制作方法 888     

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本发明涉及石墨印章加工技术领域，具体为一种石墨印章制作方法，包括一次加料、一次压制、二次加料、翻转、二次压制、出料、浸渍、焙烧、石墨化处理及树脂包覆，通过在一次加料与一次压制步骤中，利用成型装置配合第一压制装置形成致密的用于雕刻的底层印章坯料，之后利用二次加料与二次压制步骤，在底层印章坯料的基础上通过第二压制装置，压制形成上层的由含氟化盐的石墨原料混合物形成的印章主体，并在印章主体内形成料道，之后在石墨化过程中，氟化盐分解，在印章主体内形成孔道，最后在料道内加入树脂颗粒，加热使树脂颗粒沿孔道在石墨印章坯料的表层形成保护层，解决石墨印章粉状颗粒物脱离的技术问题。