辽宁大连有色金属火法冶金技术理论与应用

电子束诱导定向凝固除杂的方法 609     

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本发明属于多晶硅提纯的技术领域，特别涉及一种利用电子束诱导技术进行定向凝固除杂的方法。该方法首先取铝、钙含量高的冶金级多晶硅，将其清洗烘干后置于坩埚内，抽取真空后启动电子枪，以400-700mA的束流轰击多晶硅，至全部熔化，形成熔池，持续熔炼30-60min；然后采用对数降束的方式降低电子束的束流，待电子束束流降低到100-150mA时，停止降束，熔体缓慢凝固形成铸锭，关闭束流，可得到低铝、低钙的多晶硅铸锭。本发明充分利用了杂质在硅中的蒸发效应和分凝效应，实现了电子束熔炼蒸发与定向凝固两种除杂方式的优势互补，保证了一次熔炼后杂质铝和钙可以被去除到满足太阳能电池性能要求的程度，减少了工艺环节，降低了能耗，有利于大规模推广应用。

电子束高效提纯多晶硅粉体的设备 1018     

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本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效提纯多晶硅粉体的设备,设备中由真空盖、炉壁和装粉盖组成真空设备,真空设备内腔是真空室;真空室内上部装有装粉桶,装粉桶顶部带有装粉盖,装粉盖位于真空炉壁上,装粉桶底部带有出料口,出料口装配有外驱式挡粉板,装粉桶出料口底部装有熔炼坩埚,熔炼坩埚底部通过支撑杆固定在真空室底部,熔炼坩埚出料口下方放置拉锭机构,电子枪安装在真空室上部,电子束流对准硅块。本实用新型设备简便、技术稳定、能源消耗少、成本低、整个设备同时应用电子束熔炼硅粉和定向凝固技术,从而实现除磷和除金属的双重效果,适合批量生产硅材料。

稀土钨电极材料的制备方法 930     

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本发明属于冶金熔炼技术领域，特别涉及一种熔炼制备钨电极材料的方法。该方法首先将钨粉和稀土氧化物粉充分混合得到混合粉，再通过热压成型对混合粉进行处理得到钨基块状混合物；然后采用电子束真空高温熔炼钨基块状混合物，凝固冷却后得到稀土钨合金锭；最后将稀土钨合金锭在真空下进行热处理，得到稀土钨电极材料。本发明利用电子束提供极高密度的能量熔炼稀土钨材料，熔炼后得到的稀土钨电极材料致密度较高，与热压烧结相比，电子束熔炼技术在制备难熔金属方面，具有明显的优势，取得的组织更优良，通过掺入一定量的稀土氧化物提高电极材料的性能，通过分析显微硬度的变化，可判定稀土氧化物的添加对电极的硬度会有一定程度的提高。

电子束高效提纯多晶硅粉体的方法及设备 731     

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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效提纯多晶硅粉体的方法,第一步备料:将低磷、低金属的高纯硅料放入底部带冷却的熔炼坩埚中,向装粉桶中加入需提纯的高磷、高金属硅粉;第二步预处理:对真空室进行抽真空;对熔炼坩埚及拉锭机构冷却至25-45℃;预热电子枪;第三步提纯:打开电子枪进行熔炼,去除挥发性杂质磷;熔炼后的低磷硅液以定向凝固方式凝固,金属杂质聚集于硅锭上部;关闭电子枪,继续抽真空15-30分钟,打开放气阀放气,打开真空盖,取出硅锭切去硅锭上部含金属杂质较多的部分即可。本发明同时实现电子束熔炼硅粉除磷和定向凝固除金属的双重效果,达到高效熔炼硅粉,快速除去杂质的目的。

粉体均匀下落的装置 638     

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本实用新型涉及冶金熔炼领域一种粉体均匀下落的装置,驱动机构安装于炉壁外壁之上,炉壁内腔即为炉室,装粉桶安装于炉室内壁上,转动主轴上端通过轴承安装于炉壁上,其下端通过轴承安装于装粉桶中心,装粉桶桶底开设有若干个落粉通孔,连接杆固定安装于转动主轴底端,连接杆自上到下固定套装旋转片和蒸汽档板,旋转片和蒸汽档板上分别开设若干个落粉通孔。本实用新型结构紧凑,通过驱动机构在炉外驱动旋转片转动,实现粉体周期下落,搅动器和装粉桶的倾斜侧壁可实现粉体的顺利下落,分散分布的落粉通孔实现粉体均匀下落,实现粉体的周期性、均匀性、可控性的下落,达到冶金熔炼快速除杂的目的,具有结构简单,精确控制,操作方便的优点。

采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法 1025     

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本发明采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束进行电子注入,从而去除多晶硅中杂质硼的方法。该方法首先利用高温加热炉加热硅粉,然后将其置于电子束熔炼炉中,低束流电子束轰击硅粉,最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉。本发明的显著效果是采用了电子束释放电子显负电的电效应,结合硅材料本身的特点,增强了硅料自身的微电场,在温度的驱动下使硼扩散到界面进而进入到二氧化硅层中,最后酸洗去除含有硼的二氧化硅膜,从而达到去除杂质硼的目的,以满足太阳能级硅的使用要求,其提纯效果好,稳定性好,能耗小,成本低,工艺简单,周期短,生产效率较高。

多晶硅定向凝固设备 574     

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本发明一种多晶硅定向凝固设备属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种用定向凝固方法熔炼多晶硅的设备。该设备外壳的内腔为真空室,真空室内由上耐热纤维保温套、方形侧耐热纤维保温套、下耐热纤维保温套构成封闭的保温区间;在下耐热纤维保温套中部开有一个锥形孔,与拉杆固定相连的耐热纤维散热屏插入其中;多晶硅定向凝固设备有一个支撑台,它由框架形支架和安装在框架形支架上的左、右滑动拉杆构成;设备外壳固定在框架形支架上。该设备有效控制液态多晶硅的散热方式,保证温度梯度始终保持一个方向,使液态多晶硅沿底部单一方向散热,完成多晶硅的定向凝固。具有能耗低、侧境污染小的特点。

原位颗粒增强镁基复合材料的电磁/超声制备方法 832     

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一种原位颗粒增强镁基复合材料的电磁/超声制备方法,属于冶金技术领域,公开一种用电磁连铸技术制备镁基复合材料的方法。其特征是熔炼添加微合金化元素CA、稀土Y、稀土CE的镁基熔体;选择AL-TI-C或AL-TI-B增强体系,采用自蔓延高温合成法原位合成含增强颗粒的镁基复合材料熔体,对镁基复合材料熔体施加电磁/超声复合搅拌;最后采用连铸工艺将镁基复合材料熔体连铸成型,并且在结晶器范围内施加电磁场和超声场,获得多相增强镁基复合材料连铸坯。本发明的效果和益处是将复合材料自蔓延反应法与电磁连续铸造技术、超声波技术有机地结合,得到表面光洁、颗粒增强相在基体中均匀分布、增强体与基体结合良好的镁基复合材料连铸坯,制备工艺简单。

增强合金化分凝提纯多晶硅的方法 920     

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本发明属于冶金提纯技术领域，特别涉及一种增强合金化分凝提纯多晶硅的方法。该方法首先对工业硅和原铝进行清洗预处理，然后在氩气保护下使原铝完全熔化，之后向熔融的铝液中加入工业硅，升温至1100-1200℃进行合金化熔炼，完全熔化后加入金属或金属氧化物，保温之后缓慢冷却，硼化物和初晶硅先后析出并沉积在坩埚底部，将坩埚上部铝硅熔体倾倒并贮存，最后对初晶硅进行无机酸处理，去除残余金属及硼化物，之后进行烘干处理，即可得到硼含量低的多晶硅。本发明在Si-Al合金提纯的基础上加入Fe、Ti、TiO2等微量金属或金属氧化物，从而达到去除硅中硼杂质，使硼含量达到满足太阳能级硅的要求，实用性强，工业生产周期短，节能降耗环保，技术稳定，生产效率高。

基于固/气共晶定向凝固制备多孔材料的方法 720     

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一种固/气定向共晶凝固制备多孔材料的方法。利用本发明的设备和工艺,通过提高工作压力、增加和控制冷却速度、降低非金属杂质含量,使熔炼速度比现有技术提高2～10倍,并可直接监测金属熔化及浇铸的全过程。制备的多孔材料,孔隙均匀(无论铸件径向上还是轴向上),材料内部孔隙尺寸可以相同,也可以不同,还可以形成变截面的锥形孔腔。可应用于冶金机械、石油化工、能源环保、国防军工、核技术和生物制药等工业过程中的流体渗透与过滤控制、高效燃烧、强化传质传热、阻燃防爆、人工骨骼、辐射吸收和消音控制等,是实现各种技术突破的关键技术。

高铬含钒原料的提纯方法 840     

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本发明提供一种高铬含钒原料的提纯方法，包括以下步骤：一次焙烧：高铬含钒原料在400～600℃焙烧得到钒氧化物；碱浸：用碱液及氧化剂将冶金级的钒氧化物溶解，通空气氧化、并加入第一沉淀剂得到含钒浸出液；保持含钒浸出液温度不低于40℃，先调节溶液的pH到中性，再添加第二沉淀剂深度除硅，经压滤得含钒浸出液；加入第三沉淀剂浸出沉钒，水洗、抽滤得到偏钒酸铵；所述第三沉淀剂为含铵溶液和/或铵盐；将偏钒酸铵烘干；500～600℃焙烧成品偏钒酸铵，制备高纯V₂O₅。本发明提纯方法能避免钒铬分离过程引入的其他还原性杂质，提高了产品质量以及V₂O₅纯度。

电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法及设备 677     

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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法,先通过电子束在低磷、低金属的高纯硅锭的顶部形成稳定熔池,后将需提纯的硅粉落入熔池熔炼,实现粉体的快速熔化去除硅粉中的挥发性杂质磷,同时进行定向拉锭使低磷多晶硅进行定向凝固生长,通过分凝效应去除多晶硅中金属杂质。本发明的显著效果是同时采取电子束熔炼粉体硅料和定向凝固的方式,用电子束快速去除杂质磷,用定向凝固将分凝系数较小的金属杂质去除,有效提高了多晶硅的纯度,达到了太阳能级硅的使用要求。本发明提纯效果好,技术稳定,工艺简单,生产效率高,节约能源,成本低,适合批量生产。

硅合金造渣提纯多晶硅的方法 596     

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本发明属于冶金提纯技术领域，特别涉及一种多晶硅提纯的方法。该方法采用金属与冶金硅进行合金化熔炼得到硅合金；后以硅合金为原料，加入碱性渣剂，进行造渣熔炼提纯；最后将熔体保温、冷却后依据密度差分离得到高纯硅、渣剂和硅合金，渣剂和硅合金回收重复利用。本发明通过向冶金硅中添加少量的金属元素，使其与硅形成合金熔体，有效降低了造渣提纯过程的熔炼温度，降低坩埚损耗，冷却过程中，杂质在硅与合金熔体之间具有分凝作用，有效降低了初晶硅中硼杂质的含量，提高提纯效果，最后利用硅、合金、渣剂之间的密度差，实现三相的分离，获得高纯度的多晶硅，保证硅合金和渣剂的重复利用，并避免了后续酸洗提纯的试剂消耗以及合金元素的损失。?

去除工业硅中硼的方法 1014     

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本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9%以上的石英环中,在电子束作用下熔炼,利用高真空度将氧化硼去除。先将工业硅料放入石英环中;再将石英环放入水冷铜坩埚中,关闭真空装置盖。其所采用装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶内腔即为真空室。可以将分凝系数较大的硼用电子束熔炼去除,有效提高了多晶硅的纯度,具有效率高、装置简单、节约能源的优点。

去除多晶硅中杂质磷的方法及装置 693     

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本发明一种去除多晶硅中杂质磷的方法及装置属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质磷去除的方法及装置。该方法中采用双电子束,用旋转水冷铜坩埚的方式使电子束可以充分对多晶硅进行熔炼,可以在熔炼过程中加料实现连续作业,去除多晶硅中杂质磷。将多晶硅料装入水冷铜坩埚中,关闭真空装置盖;然后抽真空,给左、右电子枪预热。所用的装置由真空装置盖与真空圆桶构成装置外壳,真空圆桶内腔即为真空室。多晶硅中有害的杂质磷用电子束熔炼去除,充分完全,有效提高了多晶硅的纯度,实现连续作业。方法效率高、装置简单、节约能源。

定向凝固造渣精炼提纯多晶硅的方法 969     

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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种定向凝固造渣精炼提纯多晶硅的方法,首先将多晶硅料及酸性造渣剂均匀混合形成混合料,然后将混合料放于定向凝固炉的熔炼坩埚中,在熔炼坩埚中进行造渣熔炼,同时进行定向凝固使金属杂质和废渣聚集在硅锭的顶部,去除硼和金属杂质,最后切去硅锭的顶部,得到低硼、低金属的多晶硅锭。本发明的显著效果是同时使用酸性造渣剂造渣熔炼和定向凝固的方法,通过酸性造渣剂造渣精炼去除多晶硅中的杂质硼,同时通过定向凝固技术去除多晶硅中分凝系数较小的金属杂质,提高多晶硅材料的纯度,使其达到太阳能级多晶硅材料的使用要求。

局部蒸发去除多晶硅中硼的方法及装置 670     

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本发明局部蒸发去除多晶硅中硼的方法及装置属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质硼去除的方法和装置。该方法用电子束对石墨坩埚中的多晶硅进行局部熔炼,将液态硅蒸发到石墨坩埚上方的沉积板上,收集沉积在沉积板上多晶硅的方法;该装置由真空盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶的内腔即为真空室,真空室内装有熔炼系统,熔炼系统由电子枪、石墨坩埚、水冷铜托盘组成。该方法工艺简单,能耗低,环境污染小,提纯精度高;技术稳定,有利于大规模生产。

去除多晶硅中杂质磷和金属杂质的方法及装置 705     

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本发明一种去除多晶硅中杂质磷和金属杂质的方法及装置,属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质磷和金属杂质去除的方法。用电子束熔炼和感应加热相互配合的方式,完成对多晶硅的熔炼和凝固过程。用高纯硅粉平铺在水冷铜底座填满石英坩埚的镂空空间;将多晶硅料装入石英坩埚中,关闭真空装置盖;抽真空过程,先用机械泵、罗兹泵将真空室抽到低真空,再用扩散泵将真空抽到高真空;所用的装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶内腔即为真空室,真空室内装有熔炼系统。本发明有效提高了多晶硅的纯度,具有效率高、装置简单、节约能源的优点。

冶金法快速制备硼母合金的方法 642     

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本发明涉及一种冶金法快速制备硼母合金的方法，属于硼母合金制备领域。一种制备硼母合金的方法，包括下述工艺步骤：①原料选择：选择与目标硼母合金中硼元素浓度相同的工业硅原料，且该工业硅中原料中金属元素浓度的总和不高于1000ppmw；②磷杂质去除：利用电子束熔炼法去除步骤①所述物料中的磷；③硼母合金锭制备：以步骤②所得物料为原料，利用铸锭方法制备硼母合金锭。本发明根据换算公式，选择合适硼浓度和金属浓度的工业硅，直接利用硅中的硼元素制备硼母合金，而无需掺杂高纯硼粉。

有色金属冶金、冶炼行业用三相异步电动机 989     

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本实用新型公开了一种电动机,特别是一种有色金属冶金、冶炼行业用三相异步电动机。它包括机壳(21)内的定子(1)、转轴(3)、转轴(3)上的转子(2),其特征在于:在机壳(21)和转轴(3)之间设有励磁制动器。工作时,励磁制动器可随电动机同步动作,电动机停止转动时,励磁制动器可同时制动,使电动机驱动的电解熔炼设备的阳极提升装置及时定位,避免了现有技术中欠定位或过定位现象,保证了阴、阳极之间的距离,更不可能出现阴、阳极之间短路的情形,提高了安全性。

以冶金法去除多晶硅造渣剂中硼元素的方法及制备的再生造渣剂 827     

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一种以冶金法去除多晶硅造渣剂中硼元素的方法，将废弃的多晶硅造渣剂与高纯硅料混合后，于中频感应炉中熔炼，1800～2200℃下搅拌并保温15～60min，使硼反扩散至硅中，后静置5～10min，将熔体倾倒至耐火容器中，冷却，切除硅料的一端，其余部分即为去除硼元素的多晶硅造渣剂。本发明的方法可有效去除多晶硅中的杂质硼元素，使其降低至0.5～2ppmw，可以达到造渣剂的水平，造渣剂的再生利用可降低整条生产线的成本5％以上，并能节约造渣剂成本10％以上。

冶金法制备硼母合金的方法 651     

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本发明涉及一种冶金法制备硼母合金的方法，属于硼母合金制备领域。一种冶金法制备硼母合金的方法，包括下述工艺步骤：①原料选择：选择与目标硼母合金中硼元素浓度相同的工业硅原料；②杂质去除：利用定向凝固方法去除硅原料中的金属杂质；③磷杂质去除：利用电子束熔炼法去除步骤②所得物料中的磷；④硼母合金制备：利用铸锭方法制备硼母合金锭。本发明中制备硼母合金的方法，无需选用6N级高纯硅原料以及高纯硼粉进行掺杂，制造成本节约30％以上。

冶金法制备低金属硼母合金的方法 1018     

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本发明涉及一种冶金法制备低金属硼母合金的方法，属于硼母合金制备领域。一种冶金法制备低金属硼母合金的方法，包括下述工艺步骤：①原料选择：选择与目标硼母合金中硼元素浓度相同的工业硅原料；②酸洗：将工业硅原料破碎至60～120目的粉体，将粉体及无机酸溶液置于反应釜中，20～70℃下处理5～10h，水洗、分离、干燥，其中，所述无机酸溶液的浓度为20～70％；③磷杂质去除：利用电子束熔炼法去除步骤②所得物料中的磷；④硼母合金锭制备：以步骤③所得物料为原料，利用铸锭方法制备硼母合金锭。本发明中制备硼母合金的方法，无需选用6N级高纯硅原料以及高纯硼粉进行掺杂，制造成本节约30％以上。

环轨冶金葫芦自动吊运系统 587     

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一种环轨冶金葫芦自动吊运系统，冶金葫芦运行轨道为环形，环形轨道依次经过熔炼上料区、维修区、浇注a区、浇注b区及自动回车段。在所述熔炼上料区、浇注a区、浇注b区内分别设有一遥控发射器，在环形轨道上运行的冶金葫芦上设有分别对应于遥控发射器的遥控接收器，遥控接收器与状态转换开关连接。PLC控制系统通过控制位于所述环形轨道上滑线的通断电来对冶金葫芦实现自动运行控制，冶金葫芦通过变频器实现对冶金葫芦运行的变频调速控制。本实用新型采用环形轨道设计，并通过PLC控制有效提高了系统的自动化程度，大大提高了工作效率。同时冶金葫芦的运行采用了变频调速，有效克服传统转子串电阻调速中存在的稳定性差，安全性不高的缺陷。

冶金法去除工业硅中杂质硼的方法 918     

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本发明属于冶金法提纯工业硅的技术领域。一种利用冶金法去除工业硅中杂质硼的方法,先熔化工业硅,向工业硅熔体中添加少量的金属,熔炼后得到改性硅熔体,将改性硅熔体冷却、破碎得到改性硅粉;然后将低硼二氧化硅和改性硅粉均匀混合、酸洗除杂、干燥、预成型,后进行真空熔炼-气相冷凝,得到高纯一氧化硅;最后进行一氧化硅的歧化熔炼,冷却、分离后得到高纯硅和二氧化硅,并将得到的二氧化硅返回利用。该发明方法能有效去除工业硅中的杂质硼,从而满足太阳能电池用硅材料的使用要求,工艺简单,生产周期短,节能降耗,提纯效果好,技术稳定,生产效率高,环保效益高。

双开拉板式散热的感应熔炼多晶硅铸锭炉 885     

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本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种双开拉板式散热的感应熔炼多晶硅铸锭炉,感应线圈的内部安装上保温套筒,上保温套筒的上面安装保温套盖,保温套盖通过保温盖连杆连接到炉盖上,保温套筒的里面安装石墨套筒,保温套筒和石墨套筒共同固定在支架上,炉底部分水冷铜托盘通过底座支架连接在炉底盖上,石墨支架直接支撑在水冷铜托盘上,石墨支架上支撑安装石墨托盘,石墨托盘上面是石墨坩埚,石墨坩埚里套装石英坩埚,水冷铜托盘与石墨托盘之间有下保温套筒,下保温套筒上安装有上隔热板和下隔热板,隔热板采用块可分别四个方向拉动的隔热板。本实用新型使用双开拉板的散热方式,精确控制能量转移,增加能量的利用率,降低成本。

低稀土高强度连续铸铁管技术 1034     

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一种冶金铸造中低稀土高强度连续铸铁管技术， 是在克服普通灰铸铁连续铸管技术中存在的抗拉强 度低，耐水压性能差，易渗漏等问题而提出来的。本 发明通过增加铸件的含Mn量，并采用“出铁槽内阻 流法”，加入稀土合金从而改善铸件的石墨形态，去渣 除气，提高铸件组织的致密性和珠光体的含量，同时 采用炉前的孕育工艺，从而消除铸管外表皮的自由渗 碳体和组织敏感性，得到组织致密，强度高，耐水压性 能好的铸铁管，使经济效益提高80元/吨。

高出成率的感应熔炼提纯多晶硅粉体的设备 965     

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本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种高出成率的感应熔炼提纯多晶硅粉体的设备,涉及石英坩埚及坩埚底部拉锭机构,石英坩埚安装在保温套筒中,保温套筒固定安装在支架上,且保温套筒外壁缠绕感应线圈,石英坩埚上部安装有料斗,料斗通过料斗支架安装在支架上,坩埚底部的拉锭机构安装在支架内。本实用新型结构简单,提高坩埚的利用率,增加硅锭高度,在坩埚的上方设置一个加料的装置,当温度升高后,石英坩埚内的硅粉熔化,料斗内的硅粉落入坩埚内继续熔化。料斗的装入增加初始硅粉的质量,抵消因孔隙率过大造成的质量损失。本实用新型可使得感应熔炼中坩埚的利用率达到80%,增加了坩埚的利用率,降低了成本,提高了生产效率。

合金熔炼装置捞取式扒渣装置 925     

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本实用新型合金熔炼装置捞取式扒渣装置，涉及冶金熔炼辅助设备技术领域，尤其涉及可自动调节高度、角度，自由选择方向，清除金属熔渣的装置。本实用新型包括：走行结构、升降结构、连接结构、伸缩臂、捞渣勺；升降结构装于走行结构的上部，可随走行结构自由移动；伸缩臂的后端通过连接结构装于升降结构上，并可在升降结构上上下移动；捞渣勺装于伸缩臂的前端。本实用新型的技术方案解决了现有技术中的现有：夹式扒渣，由于夹齿间隙交大，高温合金渣溅落易人员伤害；耙式扒渣，由于耙齿粗大、造成扒渣不彻底、不能保证合金液纯净；且二者都属于复杂机械、设备体积大、重量沉、不易搬动等问题。

电子束浅熔池熔炼用水冷装置 949     

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本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束浅熔池熔炼用水冷装置,支撑底座内安装有水冷支撑杆,石墨块安装于水冷支撑杆的上方,支撑底座上一侧固定两根水冷连通轴,水冷铜套环采用相对成圆形的两瓣式结构,每瓣套环的一侧有套孔,套孔与水冷连通轴套装,每瓣套环可围绕水冷连通轴转动,套环的另一侧设有开闭装置,每瓣套环中开有冷却水通道,套环开闭装置一侧的支撑底座上安装有结晶器。本实用新型装置结构紧凑,构思独特,在硅锭的外壁套上多层铜套环,在铜套环中形成浅层熔池,熔炼后去除磷杂质,此装置使得熔化提纯时间减少,整体提纯时间减少,能耗降低,效率提高,去除效果良好,适合大规模工业化生产。