贵州贵阳有色金属理论与应用

新型固体电解电容器及其制造方法 890     

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一种新型固体电解电容器及其制造方法,涉及一种电器元件、经六个工艺步骤制造出一种具有极低的等效串联电阻(ESR)和很高的体积效率,其阻抗频率特性好,ESR值可在10KHZ-1000KHZ范围内保持稳定,能够很好地满足现代电子设备高频化的要求的固体电解电容器,其中关键步骤4为阴极电解质层的制造方法,所述的阴极电解质层具有导电性高分子复合层,该导电性高分子复合层是由无机二氧化锰电解质层4B或化学聚合的导电性高分子层4B与电解聚合的导电性高分子聚合物4C层复合而成,并且采用底面电极引出的形式对电容器元件进行封装。

降低氧化铌电容器等效串联电阻的阴极制备工艺 1250     

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本发明公开了一种降低氧化铌电容器等效串联电阻的阴极制备工艺，该工艺步骤主要包括阳极芯块和介质膜的加工、阴极半导体的加工、阴极过渡层的加工及阴极引出层的加工；该工艺将形成介电层的阳极芯块浸渍、脱水、热分解低浓度和高浓度硝酸锰溶液，通过在阴极半导体层与阴极引出层间增加一层过渡层，消除了层间接触电阻，使电容器的等效串联电阻减小20％以上；该工艺由于在热分解硝酸锰溶液之前采用了脱水工艺，提高了二氧化锰对阳极芯块内部的填充率，而且取消了低浓度与高浓度硝酸锰的交替浸渍、热分解，使工艺操作更简单、效率更高，适合于工业化大批量生产。

铌电容器介质膜强化方法 981     

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本发明一种铌电容器介质膜强化方法，属电子元件制作技术领域，是将现有工艺电化学制造后有介质膜的阳极块进行强化处理，其处理方法是将阳极块在250℃～400℃的烘箱中干烘10～30min，再在0.1%～1%v/v、60℃～90℃的硝酸水溶液的电解槽中，以与阳极块连接的电极为正极对阳极块实施电化学氧化。由于对第一次制备的介质氧化膜采取了“干烘+形成”的工艺处理后，明显降低了阳极块的漏电流值，介质膜的晶粒更小，膜层更致密。

骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法 908     

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本发明涉及医疗机械技术领域，且公开了骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法，第一步：取镁合金Mg‑Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg‑Ca粉末与NaHCO3混合搅拌，得到第一混合物。该骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法，本发明的骨缺损植入器械梯度多孔材料由首先采用镁合金Mg‑Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg‑Ca粉末与NaHCO3混合制备的预制体，再对预制体进行多次处于，分别进行防腐蚀阻挡处理和构建氧化钛梯度层处理，最终制备获得耐腐蚀、使用寿命长、可有助于人体骨组织生产以及恢复的骨缺损植入器械梯度多孔材料，本发明的骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法不仅工艺简单、易操作，而且还绿色环保，不会对环境产生污染和危害，可满足企业的生产要求，适合推广。

铌电容器阴极制备方法 1154     

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本发明一种铌电容器阴极制备方法，涉及一种电解电容器阴极电解质的制备方法。本发明是将氧化铌粉压制成氧化铌电容器阳极芯块，按传统工艺经烧结，阳极形成，形成介电层后，将形成介电层的铌阳极芯块经浸渍低浓度硝酸锰溶液、高浓度硝酸锰溶液、乙酸水溶液中形成处理等7个步骤完成在含介电层的阳极块表面制备二氧化锰阴极层。由于本发明采用浸渍低浓度硝酸锰溶液与高浓度高硝酸锰溶液交替浸渍和热分解方式，使分解得到的二氧化锰颗粒能够渗透到阳极块的微孔中，并与阳极块紧密接触，从而实现电容量的完全引出，降低了二氧化锰阴极层的接触电阻，达到降低产品等效串联电阻ESR的目的。

高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法 1005     

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本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。

降低铌电容器高温电容量变化率的工艺方法 967     

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本发明一种降低铌电容器高温电容量变化率的工艺方法，涉及电解电容器辅助阴极层制备技术，是将氧化铌电容器阳极芯块按传统工艺完成阴极电解质二氧化锰层加工后得到的阴极电解质的阳极块经碳层制备和制备导电引出层后再按现工艺完成电容器的后面工序。由于本发明碳层的制备采用浸渍两次石墨水液，并在两次浸渍之间浸渍一次表面活化剂，完成碳层制备的阴极电解质阳极块又经导电浆料的处理，使碳层与阴极电解质层、导电引出层间的结合更紧密，有效的抑制了铌电容器在温度升高时的电容量增加。

改善烧结钽块内部孔隙度的方法 1153     

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本发明提供了一种改善烧结钽块内部孔隙度的方法，包括以下步骤：称量钽粉‑混粉‑自动成型‑脱樟‑烧结‑测试孔隙度。本发明了有益效果在于：通过对比不同粘合剂对烧结后钽块孔隙度的影响，根据不同粘合剂脱除后留下的孔隙大小、形貌、比例的区别，选出最合适的粘合剂及最佳添加比例来改善钽块的孔隙度，有助于更为深入的了解阳极钽块内孔隙的基本结构，此外，钽块内部合适的孔隙度可以提高后续阴极二氧化锰的被覆率，从而使电容量得到更大程度引出，其操作简单，效率高，无需复杂设备，投入成本低，对完善被膜工艺及容量引出改善效果明显。

具有高电导率的固体电解质电容器的制备方法 1196     

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本发明公开了具有高电导率的固体电解质电容器的制备方法，包含烧结、形成介质氧化膜、制作表面为导电高分子π-共轭聚合物层的阳极块、涂敷石墨层和银浆层、通过模压封装的步骤形成最终产品。本发明的有益效果是：通过具有交联结构聚阴离子基团的偶联剂在乙醇溶液中通过有机磺酸的作用，在100～150℃下一方面导电聚合物单体发生聚合反应形成透明及具有很高弹性的聚合物膜层，另一方面聚阴离子基团有机磺酸的作用下形成交联的骨架，从而生成具很高柔性的高分子导电复合物，在很大程度上缓解电解电容器制作过程中因模压树封时环氧树脂热收缩产生的热应力，大大降低了电容器的ESR，提高了电容器性能的稳定性。

高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法 1118     

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本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。

采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法 1213     

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本发明提供的一种采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，采用了钨电极作为电极引线制造玻璃钝化瞬态电压抑制二极管，大大提升了器件的瞬态峰值功率，相同封装外形尺寸可以提升80％以上的瞬态峰值功率。

钽电解电容器阳极钽块烧结成型方法 1094     

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一种钽电解电容器阳极钽块烧结成型方法，涉及电解电容器领域。所述成型方法是将纳米级粒径的钽粉置于设定形状和大小的容器内，采取分段等静压成型工艺，按压力从小到大、再从大到小的顺序分为若干段，在设定的条件下通过液体对置于容器内的预成型体施加各向均匀的压力，进行阳极钽块等静压成型，再进行高温烧结成型。解决了现有钽电解电容器阳极钽块烧结成型后容易变形、绝缘可靠性差、坯体密度不均匀的问题，以获得具有一定形状、密度、内部均匀的钽粉成型素坯。烧结后的压坯收缩形变量小，尺寸精度和表面光洁度均优于传统液压机干压成型工艺，为后续的装配工艺和规模化批量生产带来便捷，并有利于提升电容器的电参数、质量一致性和可靠性。

高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法 1248     

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本发明提供的一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，芯片分离采用正吹砂切割方式形成正斜角，大大降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中采用酸腐蚀去除芯片台面损伤层、腐蚀工艺去除粘附在芯片表面的重金属离子、热钝化方式中和碱金属离子并在芯片表面生长一层二氧化硅钝化保护层的工艺，最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的反向性能，提升产品的可靠性；采用主要成分为氧化锌、三氧化二硼、二氧化硅的钝化玻璃粉经过高温成型实现玻璃粉对芯片台面的钝化兼封装作用，产品组件中的电极与芯片和玻璃钝化层的热膨胀系数相当，提高了产品的抗温度冲击能力；产品采用专用焊料将电极片和轴向产品进行烧结，实现了表贴封装结构。

微型玻璃钝化封装整流二极管 842     

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本发明公开了一种微型玻璃钝化封装整流二极管，包括管芯、电极、引线和玻璃封装外壳。所述管芯为单晶硅制成的PN结，其P面和N面分别依次与电极和引线连接。所述管芯与电极通过金属薄膜层熔焊键合在一起，所述电极和引线通过铜焊片熔融焊接在一起。将玻璃钝化封装的整流二极管的外部直径做到1个毫米以下，实现了整流二极管的微型化；同时，玻璃钝化封装与塑料封装相比，二极管的高温反向漏电流更小、工作温度范围更宽、可靠性更高。

超低等效串联电阻的固体电解电容器及其制造方法 965     

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本发明涉及一种以固体导电高分子聚合物为电解质,以钽、铌、钛、铝等阀金属为阳极的固体电解电容器及其制备方法,本发明对阳极设计、赋能、化学氧化原位聚合、浸涂石墨银浆以及制作底面引出电极等工艺进行了充分的阐释,采用本发明的技术方案,能够使高分子聚合物层、石墨层、银浆层之间紧密结合,制造的电解电容器具有极低的等效串联电阻(ESR)和很高的体积效率,其阻抗频率特性好,ESR值可在10KHZ～1000KHZ范围内保持稳定,能够很好地满足现代电子设备频化的要求。

高可靠玻璃钝化表贴封装电压调整二极管及其制备方法 937     

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本发明公开了一种高可靠玻璃钝化表贴封装电压调整二极管及其制备方法，涉及二极管制造技术领域；包括管芯的制备、电极焊接、处理封装；本发明二极管采用U型玻璃钝化表贴封装结构，结合了玻璃钝化产品可靠性高、抗机械、温度冲击能力强特点，以及表贴封装器件尺寸小、易安装的特点，器件具有圆形引出端和方形引出端两种结构，满足用户对高可靠玻璃钝化表贴封装电压调整二极管的使用要求。

玻璃钝化表贴二极管及其制造方法 1231     

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本发明公开了一种玻璃钝化表贴二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该二极管包括管芯和两电极片，所述管芯位于两所述电极片之间，所述电极片通过蒸铝层与管芯连接，所述管芯、两电极片和蒸铝层均封装在钝化玻璃内，且所述电极片上远离管芯的一端沿管芯的径向延伸到钝化玻璃外。二极管的引出电极为钼片，钼片厚度为0.1mm～0.2mm，引出电极尺寸更小。二极管的引出电极沿管芯的径向延伸，管芯尺寸增大时，只需增大钼片的焊盘尺寸即可，二级管的厚度不会增加，可以制造出外形尺寸小，厚度非常薄的表贴器件。将台面腐蚀后的二极管放入灌注模具中，再向灌注模具中注入玻璃粉浆的方式涂覆玻璃浆，可以根据需要制造不同的封装外形。

提高非固体电解质钽电容器钽外壳内壁容量的方法 1016     

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本发明属于提高电容器外壳内壁容量技术领域，具体涉及一种提高非固体电解质钽电容器钽外壳内壁容量的方法；采用钽粉压制的阴极桶为多孔蜂窝结构，可以充当二氧化钌的附着对象，等效于增加钽外壳的内表面，增大二氧化钌的附着量，从而达到增加钽外壳内壁容量的目的。

玻璃钝化实体封装低压二极管及其制造方法 742     

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本发明公开了一种玻璃钝化实体封装低压二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该二极管包括硅片A和两个电极引线，所述硅片A位于两个所述电极引线之间，其中一个电极引线通过焊接金属A与硅片A连接，另一个电极引线通过焊接金属B与硅片A连接，所述硅片A、焊接金属A、焊接金属B和两电极引线均设于钝化玻璃内，且电极引线的一端延伸到钝化玻璃外。二极管的核心PN结是在电极引线与管芯的烧焊过程中同步获得的，避免了PN结因高温工艺进行了重新分布，最终导致二极管电压大幅提高的问题，避免了传统二极管因管芯PN结结深太浅，烧焊时焊接金属穿越PN结，导致PN结短路的问题，可以制造6V以下的玻璃钝化实体封装二极管。

免清洗混合集成电路焊接方法 1220     

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本发明公开了一种免清洗混合集成电路焊接方法，该方法是采用不含助焊剂的全固态预制合金焊料片取代原先的膏状焊料，在充满氮气且温度可控的环境下，采用两种不同熔点的合金焊料分步进行芯片、基片电路、基座的相互焊接，不会对基座、基片电路和芯片造成污染，产品焊接后可直接进行键合、封装，实现免清洗焊接。本方法产品焊接后可直接进行键合、封装，避免焊接后的清洗、清洗剂的使用和排放，节省时间提高效率。采用这种工艺焊接的产品，焊接强度较膏状焊料更高，产品能经受恒定加速度试验不脱落，远高于国家军用标准规定的要求；适用于焊接面为可焊金属介质的外壳、基片电路和带背面金属化半导体芯片、无源元件的混合集成电路的组装焊接。

超薄钽电容器阳极钽芯及其制造方法 1051     

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本发明提供了一种超薄钽电容器阳极钽芯，包括箔片和钽层，所述箔片为片状结构，所述箔片的至少一个侧面上设置有钽层，所述钽层与箔片连成一体。本发明采用箔片和钽层结合的结构使阳极钽芯可以做成任意形状的薄片状，采用印刷工艺制备阳极钽芯，大大减小了阳极钽芯的厚度，对阳极钽芯进行低温干燥处理、去粘合剂处理、高温烧结后使薄片状的阳极钽芯满足设计要求，阳极钽芯最小厚度可达到几十个微米，使最终制成的钽电容器的厚度大大缩小，更适合现代元器件对薄型化的需求。

炼钢粉尘综合利用回收锌的方法 872     

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本发明公开了一种炼钢粉尘综合利用回收锌的方法，是将炼钢粉尘与还原剂、添加剂进行混合后，压制成球团，送入真空碳管炉中进行真空焙烧，获得气态单质锌挥发物，其经过冷凝收集器后冷凝成固体，收集该固体获得高纯度锌锭。本申请方法促进了炼钢粉尘中锌的还原，实现了对炼钢粉尘的回收利用，获得了高品质锌锭，降低了炼钢粉尘处理过程中真空条件控制时的能耗，且工艺简单，操作简便，真空还原能够有效蒸发炼钢粉尘中的锌，达到冷凝收集单质锌的目的，使得炼钢粉尘中锌的回收率高达97.76％，并有效解决了现有技术中对含锌炼钢粉尘处理时存在的成本较高、污染重、能耗高、三废产出量大的问题，最终实现了废料循环利用的目的。

含锌钢铁冶金粉尘的综合回收方法 915     

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本发明公开了一种含锌钢铁冶金粉尘的综合回收方法，它是首先将各种含锌钢铁冶金粉尘磨细后与还原剂焦炭粉混合配料至混合物料中含锌达到10％以上，然后用纸浆或粘土作粘结剂将混合物料制成球团状或砖块状，最后将其加入带微波辐射的真空炉中进行真空还原冶炼，分别获得金属锌和主要含铁和炭的金属化球团或块状的蒸馏残余物。本发明方法以含锌钢铁冶金粉尘为原料，配合本发明工艺步骤综合回收锌、铁和炭，综合回收效果好、能耗低、效率高、工艺流程短、成本低，并且整个过程中无废渣、废液产生，对环境友好。

SMD-0.5陶贴封装产品烧结模具 1112     

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本实用新型提供了一种SMD‑0.5陶贴封装产品烧结模具，包括管座；有至少两条平行的侧挡和至少两个位于多条侧挡间的隔块构成平面腔体，管座置于该平面腔体中。本实用新型装架时只需将芯片轻轻放入即可，大大降低了装架难度，芯片及电极片定位准确，为拓展自动化烧结、压焊提供方案；使用方式简单、过程大大简化，生产效率提高50％；芯片表面无需受力，对芯片表面易损同时芯片表面质量要求很高的产品提高了高可靠性、高成品率的解决方案；配合真空烧结工艺可以有效解决芯片烧结空洞问题，将芯片烧结空洞面积降低至5％以下。

降低钽电容器损耗角正切值的阳极钽块的制备方法 1015     

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本发明提供了一种降低钽电容器损耗角正切值的阳极钽块的制备方法，包括以下步骤：(1)选择用于阳极钽块成型的钽粉；(2)设计阳极钽块的形成电压或下限压实密度，并设计其相应的规格参数；(3)使用步骤(1)所选择的钽粉，并按照步骤(2)中的相关参数压制形成阳极钽块；(4)将成型的阳极钽块进行真空烧结。本发明通过降低相应规格产品的实际密度或通过降低产品的烧结温度，增加钽粉颗粒之间的孔隙度，使得钽粉颗粒之间在高温下的相互作用降低，使得容量引出更好，从而有效降低了非固体钽电解电容器的损耗角正切值；增大了其耐纹波电流的能力，为市场对该类型产品高可靠性要求提供了生产制造保障。

电解电容器的制造方法 1203     

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本申请公开了一种电解电容器的制造方法，涉及电容器的技术领域，本申请的电解电容器的制造方法包括：将阀金属粉料经模压和真空烧结成为带有引线的阳极多孔烧结体；在所述阳极多孔烧结体的表面上形成介质氧化膜；在所述介质氧化膜上形成二氧化锰层；在所述二氧化锰层上涂敷石墨层；在所述石墨层上涂敷银浆层；将银浆层与引线框架粘接，形成中间产物；将钽丝焊接在所述中间产物的正极端上；在中间产物的表面上形成镍金属层；通过模压封装形成电解电容器故本申请能够大幅提升电解电容器耐外界环境应力的能力，具有性能稳定，抗击穿能力强的优点。

阳极钽块及其制备方法 1150     

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本发明涉及一种阳极钽块及其制备方法。该阳极钽块包括柱状的钽块本体，钽块本体的侧壁沿其径向等距间隔设有多个凹槽，每个凹槽贯穿钽块本体沿其轴线方向的两端，凹槽的深度为钽块本体半径的5％‑80％，其有效降低非固体电解质钽电容器ESR值。上述阳极钽块的制备方法，其包括：将钽粉压制形成上述阳极钽块的坯体，真空烧结。以制得上述有效降低非固体电解质钽电容器ESR值的阳极钽块，同时便于工业化生产。

电解电容器制造过程中介质氧化膜的处理方法 967     

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本发明涉及电解电容器制造过程中介质氧化膜的处理方法，特别涉及以在传统的以钽、铌、钛、铝等阀金属为阳极，以高分子导电聚合物为阴极电解质制造电解电容器过程中增加的对介质氧化膜的预处理的方法，其包括以下步骤：将阀金属粉料经模压和真空烧结成为带有引线的阳极多孔烧结体；在阳极多孔烧结体表面采用电化学的方法形成介质氧化膜；阳极芯块介质氧化膜预处理；在带有介质氧化膜的阳极多孔烧结体表面形成导电高分子聚合层；在导电高分子聚合物层外依次涂敷石墨层和银浆层；通过模压封装形成产成品。此方法制造的电解电容器具有等效串联电阻（ESR）低、漏电流小等优点。

降低钽电容器漏电流值的烧结方法 929     

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本发明公开一种降低钽电容器漏电流值的烧结方法，将熔点较低、且其本身或氧化物易与水或酸反应的金属作为脱氧剂和经过压制和烧结的钽块放在真空烧结炉中烧结。在烧结过程中，真空度始终大于2×10-3Torr，烧结温度介于700~1170℃之间，钽块与脱氧剂的重量比为1:0.001~1:0.08，达到烧结温度后的保温时间为1~9小时，采用镁作为脱氧剂。完成脱氧烧结并在真空状态下降至室温后，为清除钽块表面残留的金属脱氧剂以及该脱氧剂的氧化物，将钽块放入稀酸中浸泡30分钟，再用去离子水冲洗3～4次。本发明通过对钽块进行二次烧结，在较低温度烧结的情况下除去氧杂质，有效地提高钽块的纯度，产品的漏电流值减小30%以上。

微带滤波器3D打印制造方法 984     

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本发明公开了一种微带滤波器3D打印制造方法，包括以下步骤：S1：根据微带滤波器的电路图形设计基板打印图形和金属线路打印图形；S2：使用3D打印机按照所述基板打印图形，将低温共烧陶瓷浆料作为打印材料从喷嘴中挤出并沉积在工作台上形成低温共烧陶瓷基板；S3：使用红外加热方式对工作台上的低温共烧陶瓷基板进行固化；S4：使用3D打印机按照所述金属线路打印图形，将纳米银金属墨水作为打印材料喷印在固化的低温共烧陶瓷基板表面以形成金属线路；S5：使用真空烧结炉对已喷印金属线路的低温共烧陶瓷基板进行烧结。本方法简单易掌握，同时也能减少生产成本，为微带滤波器快速制造和个性化创造提供了解决方法。