权利要求
1.一种通过
异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S101：提供纯钛坯料作为轧制主体，不同于纯钛坯料的异质材料坯料作为焊接咬入端;
步骤S102：对纯钛坯料与异质材料坯料进行对接焊接;
步骤S103：焊接结束后进行热处理：对焊接后的坯料进行保温及梯度冷却处理;
步骤S104：对步骤S103处理后的坯料进行轧制：异质材料焊接端先进行咬入、轧制，当异质材料焊接端轧制完成后才进行后续轧制过程，得到纯钛盘圆;
步骤S105：轧后卷取，直接对轧制完成的盘圆进行卷取，焊接区经轧制延伸后融入轧制主体。
2.根据权利要求1所述的通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法，其特征在于，步骤S101中，纯钛坯料与异质材料坯料的横截面尺寸相同，异质材料坯料的硬度高于纯钛坯料的硬度。
3.根据权利要求2所述的通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法，其特征在于，纯钛坯料选自TA1、TA2或TA3;异质材料坯料选自TC4钛合金、TC6钛合金、TC11钛合金或Ti-6Al-6V-2Sn。
4.根据权利要求1所述的通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法，其特征在于，对接焊接采用真空电子束焊接，焊接时的真空度≤5×10-3Pa。
5.根据权利要求4所述的通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法，其特征在于，所述真空电子束焊接的参数为：焊接电压为55-65kV，焊接电流为80-90mA，聚焦电流为1200-1300mA，焊接熔池深度≥4mm。
6.根据权利要求4所述的通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法，其特征在于，进行所述真空电子束焊接时，将电子束流向异质材料坯料侧偏移0.2-0.5mm。
7.根据权利要求1所述的通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法，其特征在于，步骤S103的热处理过程包括：在820-880℃下保温30-60分钟，随后炉冷至300℃后空冷。
8.根据权利要求1所述的通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法，其特征在于，步骤S104中，异质材料焊接端进行咬入、轧制的过程包括：异质材料焊接端的首道次压下率设置在8-10%的范围内，异质材料焊接端的咬入角在28-30°的范围内，异质材料焊接端的轧制速度设置在1.2-1.4m/s的范围内。
9.根据权利要求3所述的通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法，其特征在于，纯钛坯料为纯钛TA1坯料;异质材料坯料为TC4钛合金坯料。
10.一种纯钛盘圆，其特征在于，采用根据权利要求1-9任一项所述的方法进行制备。
说明书
技术领域
[0001]本发明涉及
钛合金材料轧制领域，尤其涉及一种通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法以及采用该方法制备的纯钛盘圆。
背景技术
[0002]纯钛TA1盘圆作为α型钛合金典型代表，因良好机械性能、优异抗腐蚀性及低密度特性，在航空航天、医疗植入、化工及
海洋工程等高端领域应用广泛。随着市场需求增长，高速连轧技术因高效优势成为其主流生产方式，但高速连轧过程中的堆钢问题长期困扰行业，尚未找到简洁有效的改善方法，不仅降低生产效率、增加成本，还影响产品质量稳定性。
[0003]堆钢问题的核心诱因是纯钛TA1自身特性与高速连轧工艺的矛盾：纯钛TA1维氏硬度仅约150HV，抗变形能力较弱，首次咬入时易被轧辊压扁;进入高速轧制阶段后，头部变形缺陷加剧，受力不均导致偏离导卫，最终引发堆钢。堆钢会造成生产线停机数小时至十几小时，每年因堆钢及后续处理导致的钛材浪费超千吨，同时加剧轧机、导卫等设备磨损，增加维修成本，还存在人员安全隐患。为消除轧制头部变形缺陷，现有方案多在粗轧-中轧-精轧-减定径机组后切除头尾，进一步造成材料损失，且无法根本避免堆钢。
[0004]现有技术包括在锻造时将头部强化，但是需要增加工序且仍需要被切除，成本大幅提高;通过同种材料焊接，纯钛TA1焊接纯钛TA1，界面强度不足，在轧制过程中开裂率提高。
[0005]综上，现有技术无法兼顾堆钢预防与成材率提升，亟需一种无需额外增加过多工序、能强化轧制咬入性能且保障界面可靠性的创新技术，以解决纯钛TA1盘圆高速连轧的堆钢痛点并提高成材率。
发明内容
[0006]基于此，上述现有技术的不足，提供一种通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法。
[0007]为了实现上述目的，采用以下技术方案：
本发明提供一种通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法，所述方法包括以下步骤：
步骤S101：提供纯钛坯料作为轧制主体，不同于纯钛坯料的异质材料坯料作为焊接咬入端;
步骤S102：对纯钛坯料与异质材料坯料进行对接焊接;
步骤S103：焊接结束后进行热处理：对焊接后的坯料进行保温及梯度冷却处理;
步骤S104：对步骤S103处理后的坯料进行轧制：异质材料焊接端先进行咬入、轧制，当异质材料焊接端轧制完成后才进行后续轧制过程，得到纯钛盘圆;
步骤S105：轧后卷取，直接对轧制完成的盘圆进行卷取，焊接区经轧制延伸后融入轧制主体。
[0008]在一些实施例中，步骤S101中，纯钛坯料与异质材料坯料的横截面尺寸相同，异质材料坯料的硬度高于纯钛坯料的硬度。
[0009]在一些实施例中，纯钛坯料选自TA1、TA2或TA3;异质材料坯料选自TC4钛合金、TC6钛合金、TC11钛合金或Ti-6Al-6V-2Sn。
[0010]在一些实施例中，对接焊接采用真空电子束焊接，焊接时的真空度≤5×10-3Pa。
[0011]在一些实施例中，所述真空电子束焊接的参数为：焊接电压为55-65kV，焊接电流为80-90mA，聚焦电流为1200-1300mA，焊接熔池深度≥4mm。
[0012]在一些实施例中，进行所述真空电子束焊接时，将电子束流向异质材料坯料侧偏移0.2-0.5mm。
[0013]在一些实施例中，步骤S103的热处理过程包括：在820-880℃下保温30-60分钟，随后炉冷至300℃后空冷。
[0014]在一些实施例中，步骤S104中，异质材料焊接端进行咬入、轧制的过程包括：异质材料焊接端的首道次压下率设置在8-10%的范围内，异质材料焊接端的咬入角在28-30°的范围内，异质材料焊接端的轧制速度设置在1.2-1.4m/s的范围内。
[0015]在一些实施例中，纯钛坯料为纯钛TA1坯料;异质材料坯料为TC4钛合金坯料。
[0016]本发明还提供一种纯钛盘圆，采用根据如上所述的方法进行制备。
[0017]本发明具有以下有益技术效果：
本发明的通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法通过异质材料焊接-轧制变形-组织调控的全链条创新，可有效避免堆钢事故发生且提高成材率。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本发明的通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法的流程图;
图2为本发明的实施例的异质材料TC4钛合金与纯钛TA1材料焊接示意图;
图3为本发明的实施例的TA1盘圆形貌示意图，其中，(a)异质材料焊接的TA1盘圆形貌示意图，(b)无异质材料焊接的TA1盘圆形貌示意图。
具体实施方式
[0020]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明实施例进一步详细说明。
[0021]应当理解，在示例性实施例中所示的本发明的实施例仅是说明性的。虽然在本发明中仅对少数实施例进行了详细描述，但本领域技术人员很容易领会在未实质脱离本发明主题的教导情况下，多种修改是可行的。相应地，所有这样的修改都应当被包括在本发明的范围内。在不脱离本发明的主旨的情况下，可以对以下示例性实施例的设计、操作条件和参数等做出其他的替换、修改、变化和删减。
[0022]基于上述目的，本发明的实施例的第一个方面，提出了通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法。图1示出的是该方法的示意性流程图。
[0023]如图1中所示，该制备可以包括以下步骤：
步骤S101：提供纯钛坯料作为轧制主体，不同于纯钛坯料的异质材料坯料作为焊接咬入端;
步骤S102：对纯钛坯料与异质材料坯料进行对接焊接;
步骤S103：焊接结束后进行热处理：对焊接后的坯料进行保温及梯度冷却处理;
步骤S104：对步骤S103处理后的坯料进行轧制：异质材料焊接端先进行咬入、轧制，当异质材料焊接端轧制完成后才进行后续轧制过程，得到纯钛盘圆;
步骤S105：轧后卷取，直接对轧制完成的盘圆进行卷取，焊接区经轧制延伸后融入轧制主体。
[0024]通过“异质材料焊接咬入端 + 特定轧制顺序”，解决纯钛因强度低、塑性高导致的轧制初期“咬入困难”、“头部变形堆钢”问题，显著提高成材率(减少头部切除量，可提升成材率)。焊接后热处理与梯度冷却确保焊接区组织稳定，避免轧制时开裂;轧后卷取时焊接区随轧制延伸融入主体，不影响纯钛盘圆的整体性能。
[0025]在本发明的一个优选实施例中，步骤S101中，纯钛坯料与异质材料坯料的横截面尺寸相同，异质材料坯料的硬度高于纯钛坯料的硬度。相同横截面尺寸保证焊接对接精度，减少焊接应力集中。
[0026]在本发明的一个优选实施例中，纯钛坯料选自TA1、TA2或TA3;异质材料坯料选自TC4钛合金、TC6钛合金、TC11钛合金或Ti-6Al-6V-2Sn。
[0027]TC4钛合金为Ti-6Al-4V，其核心成分为Al:6%，V:4%，其余为Ti。TC6钛合金为Ti-6Al-2.5Mo-2Cr-0.5Fe-0.3Si，其核心成分为Al:6%，Mo:2.5%，Cr:2%，Fe:0.5%，Si:0.3%，其余为Ti。TC11钛合金为Ti-6.5Al-3.5Mo-1.5Zr-0.3Si，其核心成分为Al:6.5%，Mo:3.5%，Zr:1.5%，Si:0.3%，其余为Ti。Ti-6Al-6V-2Sn其核心成分为Al:6%，V:6%，Sn:2%，其余为Ti。
[0028]在一些实施例中，纯钛坯料为纯钛TA1坯料;异质材料坯料为TC4钛合金坯料。
[0029]如图2所示，以纯钛坯料为TA1以及异质材料坯料为TC4钛合金为优选实施例。纯钛TA1坯料的硬度为150HV。TC4钛合金坯料的硬度为350HV。纯钛TA1坯料的两端均焊接有TC4钛合金坯料。
[0030]轧制主体作为焊接母体材料是纯钛TA1方坯料，尺寸优选使用(140-150mm)×(140-150mm)×L(L为焊接母体材料的长度，可根据实际情况变化)，异质材料坯料作为焊接材料选用硬度比纯钛TA1高的TC4钛合金，其尺寸优选使用(140-150mm)×(140-150mm)×(160-200mm)。
[0031]在本发明的一个优选实施例中，对接焊接采用真空电子束焊接，焊接时的真空度≤5×10-3Pa。焊接设备选用真空电子束焊机，焊接时的真空度≤5×10-3Pa，可避免焊区被氧化。
[0032]在本发明的一个优选实施例中，所述真空电子束焊接的参数为：焊接电压控制在55-65kV，焊接电流控制在80-90mA，聚焦电流为1200-1300mA，焊接熔池深度≥4mm。
[0033]在本发明的一个优选实施例中，进行所述真空电子束焊接时，将电子束流向异质材料坯料侧偏移0.2-0.5mm。优选地，束流向选用TC4的异质材料坯料侧偏移0.2-0.5mm，以平衡TA1/TC4熔融温差。
[0034]在本发明的一个优选实施例中，步骤S103的热处理过程包括：在820-880℃下保温30-60分钟，随后炉冷至300℃后空冷，以达到消除残余应力并在异质材料坯料和纯钛坯料界面形成α+β过渡层的目的。α+β过渡层的硬度大于纯钛材料的硬度且小于异质材料的硬度。
[0035]优选地，异质材料TC4钛合金与纯钛TA1材料焊接示意图如图2所示，上述热处理步骤之后，已达到消除残余应力并在TC4和TA1界面形成α+β过渡层的目的。当纯钛TA1坯料的硬度为150HV以及TC4钛合金坯料的硬度为350HV时，α+β过渡层的硬度为280HV。
[0036]在本发明的一个优选实施例中，步骤S104中，异质材料焊接端进行咬入、轧制的过程包括：异质材料焊接端的首道次压下率设置在8-10%的范围内，异质材料焊接端的咬入角在28-30°的范围内，异质材料焊接端的轧制速度设置在1.2-1.4m/s的范围内。当异质材料焊接端(异质材料坯料以及与其连接的α+β过渡层)完全咬入后切换至正常轧制规程。上述参数适配异质材料的高强度特性，确保咬入端在较大轧制力下不发生弯曲或断裂，同时通过适度变形实现“头部定形”。
[0037]针对作为轧制主体的纯钛TA1坯料的首道次压下率一般极限设置为5%，一般TA1为防止堆钢，轧制速度设置为0.8m/s，一般TA1的咬入角需<22°。可见，异质材料焊接端进行咬入、轧制的过程的各项参数均有一定的提高。
[0038]在本发明的一个优选实施例中，步骤S105中，轧后盘圆直接卷取，焊接区经轧制延伸后融入本体，整个轧制过程无需切除头尾，可提高纯钛TA1盘圆的成材率。
[0039]“TA1软基体和TC4硬咬入”异质材料焊接形成梯度结构，突破TA1咬入角极限，可提高至28-30°，轧制速度提升50%，一方面可显著提高轧制成功率，避免堆钢;另一方面轧制速度的提升可提高轧制效率。
[0040]如图3所示，(a)为异质材料焊接的TA1盘圆形貌示意图，(b)为无异质材料焊接的TA1盘圆形貌示意图，可见本发明的实施例的异质材料焊接TA1盘圆头尾无显著变形与下压，无焊接TA1盘圆头尾明显下压与变形。本发明通过真空电子束焊接和热处理后缓冷工艺协同对截面精准调控，实现α+β过渡层，轧制变形中界面强度提升50%，激光焊接和热处理形成过渡层可避免头尾切除，显著提高TA1盘圆的成材率，降低工业成本。
[0041]本发明通过异质材料焊接-轧制变形-组织调控的全链条创新，系统性解决纯钛盘圆轧制的难点。
[0042]本发明的实施例的第二个方面，提出了一种纯钛盘圆，采用根据如上所述的方法进行制备。
[0043]以下通过实施例进一步说明本发明。
[0044]实施例1
(1)进行异质材料TC4钛合金与纯钛TA1材料的焊接，焊接设备选用真空电子束焊机，真空度保持≤5×10-3Pa。焊接母体材料采用纯钛TA1方坯料，尺寸为140mm ×140mm×L，焊接材料选用硬度比纯钛TA1高的TC4钛合金，其尺寸为140mm×140mm×160mm。
[0045](2)真空电子束的束流参数为：焊接电压控制在60kV，焊接电流控制在85mA，聚焦电流为1250mA，确保熔池深度≥4mm。束流向TC4侧偏移0.5mm，以平衡TA1/TC4熔融温差。
[0046](3)焊接结束后进行热处理，其热处理参数为在860℃下保温45min，随后通过炉冷到300℃后空冷，已达到消除残余应力并在TC4和TA1界面形成α+β过渡层的目的。
[0047](4)在咬入阶段，首道次压下率设置为8%，咬入角为30°，轧制速度设置为1.3m/s，当TC4焊接段完全咬入后切换至正常轧制规程，轧后盘圆直接卷取。
[0048](5)存在异质材料焊接时，TA1盘圆头尾无明显变形和下压，有利于提高轧制成功率，如图3所示。通过本发明的方法成功制备了高成功率的TA1盘圆，具体结果如表1所示，轧制成功率和成材率具有显著提升。
[0049]实施例2
(1)进行异质材料 TC4 钛合金与纯钛 TA1 材料的焊接，焊接设备选用真空电子束焊机，真空度保持≤5×10-3Pa。焊接母体材料采用纯纯钛 TA1 方坯料，尺寸为 140mm×140mm×L，焊接材料选用硬度比纯钛 TA1 高的 TC4 钛合金，其尺寸为 140mm×140mm×160mm。
[0050](2)真空电子束的束流参数为：焊接电压控制在55kV，焊接电流控制在80mA，聚焦电流为 1200mA，确保熔池深度≥4mm。束流向TC4侧偏移0.2mm，以平衡 TA1/TC4 熔融温差。
[0051](3)焊接结束后进行热处理，其热处理参数为在820℃下保温30min，随后通过炉冷到300℃后空冷，以达到消除残余应力并在TC4和TA1界面形成 α+β 过渡层的目的。
[0052](4)在咬入阶段，首道次压下率设置为9%，咬入角为28°，轧制速度设置为1.2m/s，当TC4焊接段完全咬入后切换至正常轧制规程，轧后盘圆直接卷取。
[0053](5)存在异质材料焊接时，TA1盘圆头尾无明显变形和下压，有利于提高轧制成功率。通过本发明的方法成功制备了高成功率的TA1盘圆，具体结果如表1所示，轧制成功率和成材率具有显著提升。
[0054]实施例3
(1)进行异质材料TC4钛合金与纯钛 TA1 材料的焊接，焊接设备选用真空电子束焊机，真空度保持≤5×10-3Pa。焊接母体材料采用纯钛 TA1 方坯料，尺寸为 140mm×140mm×L，焊接材料选用硬度比纯钛 TA1 高的 TC4 钛合金，其尺寸为 140mm×140mm×200mm。
[0055](2)真空电子束的束流参数为：焊接电压控制在65kV，焊接电流控制在90mA，聚焦电流为1300mA，确保熔池深度≥4mm。束流向TC4侧偏移0.5mm，以平衡TA1/TC4熔融温差。
[0056](3)焊接结束后进行热处理，其热处理参数为在880℃下保温60min，随后通过炉冷到300℃后空冷，以达到消除残余应力并在TC4和TA1界面形成α+β过渡层的目的。
[0057](4)在咬入阶段，首道次压下率设置为10%，咬入角为30°，轧制速度设置为1.4m/s，当TC4焊接段完全咬入后切换至正常轧制规程，轧后盘圆直接卷取。
[0058](5)存在异质材料焊接时，TA1盘圆头尾无明显变形和下压，有利于提高轧制成功率。通过本发明的方法成功制备了高成功率的TA1盘圆，具体结果如表1所示，轧制成功率和成材率具有显著提升。
[0059]实施例4
(1)进行异质材料TC11钛合金与纯钛TA2材料的焊接，焊接设备选用真空电子束焊机，真空度保持≤5×10-3Pa。焊接母体体材料采用纯钛TA2方坯料，尺寸为140mm×140mm×L，焊接材料选用硬度比纯钛TA2高的TC11钛合金，其尺寸为140mm×140mm×180mm。
[0060](2)真空电子束的束流参数为：焊接电压控制在62kV，焊接电流控制在88mA，聚焦电流为1280mA，确保熔池深度≥4.5mm。束流向TC11侧偏移0.3mm，以平衡TA2/TC11熔融温差。
[0061](3)焊接结束后进行热处理，其热处理参数为在840℃下保温50min，随后通过炉冷到300℃后空冷，以达到消除残余应力并在TC11和TA2界面形成α+β过渡层。
[0062](4)在咬入阶段，首道次压下率设置为9%，咬入角为29°，轧制速度设置为1.35m/s，当 TC11焊接段完全咬入后切换至正常轧制规程，轧后盘圆直接卷取。
[0063](5)存在异质材料焊接时，TA2盘圆头尾无明显变形和下压，有利于提高轧制成功率。通过本发明的方法成功制备了高成功率的TA2盘圆，具体结果如表1所示，轧制成功率和成材率具有显著提升。
[0064]实施例5
(1)进行异质材料Ti-6Al-6V-2Sn与纯钛TA3材料的焊接，焊接设备选用真空电子束焊机，真空度保持≤5×10-3Pa。焊接母体材料采用纯钛 TA3 方坯料，尺寸为 140mm×140mm×L，焊接材料选用硬度比纯钛TA3高的Ti-6Al-6V-2Sn，其尺寸为140mm×140mm×150mm。
[0065](2)真空电子束的束流参数为：焊接电压控制在58kV，焊接电流控制在82mA，聚焦电流为1220mA，确保熔池深度≥4mm。束流向Ti-6Al-6V-2Sn 侧偏移0.4mm，以平衡TA3与Ti-6Al-6V-2Sn的熔融温差。
[0066](3)焊接结束后进行热处理，其热处理参数为在870℃下保温35min，随后通过炉冷到300℃后空冷，以达到消除残余应力并在Ti-6Al-6V-2Sn和TA3界面形成α+β过渡层的目的。
[0067](4)在咬入阶段，首道次压下率设置为10%，咬入角为30°，轧制速度设置为1.4m/s，当Ti-6Al-6V-2Sn焊接段完全咬入后切换至正常轧制规程，轧后盘圆直接卷取。
[0068](5)存在异质材料焊接时，TA3盘圆头尾无明显变形和下压，有利于提高轧制成功率。通过本发明的方法成功制备了高成功率的TA3盘圆，具体结果如表1所示，轧制成功率和成材率具有显著提升。
[0069]对比例1
(1)纯钛TA1方坯料，尺寸为140mm×140mm×L进行连轧制备纯钛盘圆。
[0070](2)在咬入阶段，首道次压下率设置为6%，咬入角为22°，轧制速度设置为0.8m/s。无异质材料焊接时，TA1盘圆头尾被压扁，出现明显的变形和下压现象，如图3所示，导致产生堆钢现象，充分表明异质材料连接可提高TA1盘圆的轧制成功率。当无异质材料焊接时，TA1盘圆的轧制成功率明显下降，使得工业生产成本提高，具体结果如表1所示。
[0071]对比例2
(1)通过螺栓连接纯钛TA1材料和TC4钛合金材料，纯钛TA1方坯料的尺寸为140mm×140mm×L，TC4钛合金材料的尺寸为140mm×140mm×160mm。
[0072](2)在咬入阶段，首道次压下率设置为8%，咬入角为30°，轧制速度设置为1.3m/s，当TC4焊接段完全咬入后切换至正常轧制规程，轧后盘圆直接卷取。
[0073](3)该工艺在大变形量时连接处发生断裂，断口呈脆性断裂特征，需要切除连接部分，造成成材率的降低，证明了激光焊接的优异性，具体结果如表1所示。
[0074]表1示出了实施例1-5制备的TA1盘圆及对比例1-2制备的TA1盘圆的性能比较。
[0075]表1. 实施例1制备的TA1盘圆及对比例1-2制备的TA1盘圆的性能
[0076]从表1可见，本发明通过异质材料焊接的方法在提升纯钛盘圆轧制性能上效果显著。实施例1的轧制成功率达 98.8%，成材率为88.2%，头尾切除量为0mm/卷;而对比例1采用传统工艺，轧制成功率仅76.2%，成材率66.2%，头尾切除量达300mm/卷;对比例2虽然也采用两种材料但是没有焊接过程，其轧制成功率85.1%、成材率69.1%、头尾切除量400mm / 卷的表现仍远逊于实施例1-5。本发明的方法使纯钛TA1盘圆的轧制成功率从76.2%提升到98.8%，成材率从66.2%提升到88.2%，头尾切除量从300mm/卷减少到0mm/卷，轧制速度从0.8m/s提升到1.3m/s。对比可知，本发明的方法大幅提高了纯钛盘圆的轧制成功率和成材率，消除了头尾切除浪费，在保障产品性能的同时实现了显著的经济效益。
[0077]以上是本发明公开的示例性实施例，但是应当注意，在不背离权利要求限定的本发明实施例公开的范围的前提下，可以进行多种改变和修改。尽管本发明实施例公开的元素可以以个体形式描述或要求，但除非明确限制为单数，也可以理解为多个。
[0078]所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本发明实施例公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子;在本发明实施例的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，并存在如上本发明实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。因此，凡在本发明实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明实施例的保护范围之内。
说明书附图(3)
声明：
“通过异质材料焊接提高纯钛盘圆轧制成材率的方法及纯钛盘圆” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：北方有色网
来源：成都先进金属材料产业技术研究院股份有限公司
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