上海上海有色金属设备

真空摩擦学系统 340     

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真空摩擦学系统是一种用于研究超高真空或大气环境下两个表面之间摩擦性质的设备。它适用于1到10N的负载范围，能够测量0.001到2的摩擦系数，并具备负载的闭环控制功能。系统配备2轴操纵器（带加热）用于摩擦球夹具，以及1轴操纵器（带加热和冷却）用于平面样品夹具。其压力范围从10⁻⁹ mbar到1bar，可在氧气、氢气、水蒸气和简单碳氢化合物等气氛中使用。该系统采用模块化设计，可连接多种沉积模块（如MBE、PLD、溅射）和分析模块（如XPS、UPS、ARPES、IR等），并拥有专利号FR 15 55388，专利名称为“用于测量摩擦力的高精度装置”。

红外光晶圆键合检测装置 230     

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检查装置配备有红外光源和准直器光学器件，该准直器光学器件用具有均匀强度的光束照射晶片。红外感应摄像头通过USB接口在您的计算机上显示被检查基板的图像。相机的视野和放大倍数可以手动调整。

芯片到芯片键合机 217     

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在MEMS制造中，构建三维结构或封装通常需要两个单芯片的精确对准和键合。使用芯片到芯片键合器（CCB），可以手动对齐两个芯片。然后可以使芯片接触，以进行阳极键合或各种胶合过程。单芯片对准级包括三个线性轴和三个旋转轴，为大多数对准应用提供了足够的自由度。下芯片夹在基板上，上芯片由针固定。两个真空保持器都可以单独调节和切换。为了执行阳极键合过程，提供了加热板和高压源。在控制器单元上调节键合电压，该控制器单元监测电压和键合电流。加热板的温度也在控制器单元上进行调节。

金属焊缝超声波探伤仪 105     

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亚测（上海）仪器科技有限公司推出的EPOCH 650金属焊缝超声波探伤仪，是一款集高性能超声检测与智能化分析功能于一体的便携式无损检测设备，专为工业焊缝、铸件及压力容器的内部缺陷检测设计，广泛应用于石油化工、船舶制造、电力工程及轨道交通领域。

红外晶圆检测显微镜 163     

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红外光晶片检测显微镜 硅对红外光是透明的。我们的红外光晶片检测显微镜从背面照亮硅基板，并捕获渗透到基板中的光。因此，可以检查硅基板内部的现象，这些现象在传统显微镜下是不可见的。 显微镜配备了一个长工作距离物镜。三步变焦允许用户选择正确的视野和放大倍数。红外感应摄像头通过USB在您的计算机上显示被检查设备的图像。5倍物镜的分辨率优于3µm。 此外，还提供顶部照明。这允许在传统模式下使用显微镜并检查晶片的顶面。 红外显微镜配备了一个xy工作台，可容纳8英寸或更小的晶片。该工作台由电机驱动，可以用操纵杆控制。

薄膜电阻及厚度测试仪 228     

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薄膜电阻及厚度测试仪采用涡流检测技术，可按照需求配置单个或多个针对不同样品的高敏感探头进行测量，并通过显示模块输出。检测最终输出结果可显示为薄膜电阻（Ohms/sq），薄膜电导(Mhos/sq），厚度(单位：um）等。

超高真空开尔文探针 227     

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开尔文探针是一种非接触、非破坏性振动电容装置用于导电材料的功函或半导体或绝缘体材料表面的表面电势，表面功函由材料表面最顶部的1-3层原子或分子决定，因而开尔文探针是一种非常灵敏的表面分析技术，KP Technology公司目前可提供具有1-3 meV业界最高分辨率的测试系统。

扫描开尔文探针 340     

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扫描开尔文探针是一种非接触、非破坏性振动电容装置,用于测试导电材料的功函或半导体材料表面的表面电势，表面功函。由材料表面最顶部的1-3层原子或分子决定，因而开尔文探针是一种非常灵敏的表面分析技术。KP Technology公司目前可提供具有1-3 meV业界最高分辨率的测试系统。

深能级瞬态谱仪 341     

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深能级瞬态谱（Deep Level Transient Spectroscopy）是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有极高检测灵敏度(检测灵敏度通常为半导体材料中掺杂济浓度的万分之一)的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。

狭缝挤出型涂布机 338     

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(Slot Die Coater)可以用于可复制重复性测试。归功于桌面小型化的设计。它也可以大幅降低材料损耗。客户通过快速的多样化测试来获得更多客观结果。

等离子体增强化学气相沉积系统 341     

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等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）是一种用于薄膜半导体材料制备的高性能设备，能够在较低温度下借助等离子体的高活性促进化学反应，沉积出高质量的薄膜。该系统可沉积SiO₂、Si₃N₄、类金刚石薄膜、硬质薄膜和光学薄膜等，最大沉积尺寸达12英寸。系统配备射频淋浴源、空心阴极高密度等离子体源、感应耦合等离子体源或微波等离子体源，支持最高800°C的加热温度，均匀性优于±3%，并具备预抽真空室和自动晶片装卸功能，实现全自动控制。

等离子体增强原子层沉积系统 342     

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等离子体增强原子层沉积（Plasma Enhance Atomic Layer Deposition，PEALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。

多功能镀膜系统 340     

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这款美国制造的多功能镀膜系统专为研究所和研发部门设计，具备小容量、快速重复工作流程的特点，活性沉积区域最大直径可达200mm（8英寸），适应多种衬底。系统可配备最多4个溅射源，支持连续沉积和联合沉积模式，具备不同工作气体控制功能。其磁控溅射源直径有50mm、75mm和100mm可选，内置阴极角倾斜和挡板设计，配备直流、脉冲、高频（HF或MF）电源，衬底可加热、冷却或加载RF/DC偏压，还可添加预抽室，具有超高性价比，占用空间小，能够满足客户对真空薄膜沉积的高性能要求。

快速退火炉 340     

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REAL RTP100型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款4寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。

反应离子刻蚀系统 345     

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反应离子刻蚀系统（RIE）及深反应离子刻蚀系统（DRIE）是专为薄膜半导体材料制备和微纳加工设计的高性能设备。RIE通过高频电压产生离子层，利用离子撞击完成化学反应蚀刻，适用于高精度、高垂直度的刻蚀需求。DRIE系列则配备低温晶片冷却、偏置压盘和2kW ICP源，能够在10⁻³ Torr压力下高效运行，支持深硅刻蚀等复杂工艺。系统具备铝制或不锈钢腔体、射频源、高真空度、双刻蚀容量、气动升降盖、手动/全自动装卸样品等功能，还可选配高密度等离子源、ICP源、低温冷却、终点探测等模块。

大屏便携式超声波探伤仪 104     

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钧一检测技术(上海)有限公司推出的大屏便携式超声波探伤仪USM 36，是一款集专业检测性能、大屏交互体验与工业级耐用性于一体的高端无损检测设备，专为复杂工件的高精度缺陷检测与数据管理需求设计。

电子束蒸发镀膜系统 341     

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电子束蒸发镀膜系统（E-Beam Evaporator System）是由美国专业制造商生产的高性能薄膜制备设备，适用于薄膜半导体材料的制备。该系统具备电子束蒸发、热阻蒸发、离子束辅助蒸发镀膜（IBAD）和泻流源等多种功能模式。其技术参数包括304不锈钢圆柱形腔体（标准直径18英寸和24英寸）、分子泵或冷凝泵真空系统、手动或自动传片的Load Lock（适合200mm以下样品）、PC/PLC自动控制界面、QCM和光学膜厚监控、RGA残余气体分析、多种衬底夹具（单片、多片、行星式）以及可加热、冷却、偏压和旋转的衬底支架。

金属有机化合物化学气相沉积 339     

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我们提供了一套完整的MOCVD，主要产品包括台式研发型、中试型和生产型。其反应器的设计可以根据工艺的需要很容易提升到满足大直径晶片生产的需要。我们也能为客户设计以满足客户特殊工艺和应用的需要。系统部件包括：反应器、气体传输系统、电气控制系统和尾气处理系统.

超高真空多腔室物理气相沉积系统（PVD） 340     

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超高真空多腔室物理气相沉积系统（PVD）是一款专为薄膜半导体材料制备设计的高端设备。它由全球领先的沉积设备制造商生产，具备多种沉积方式，包括磁控溅射、电子束蒸发和热蒸发，且预留了多种功能接口，高度灵活，非常适合科研用途。该系统在机械泵和分子泵的配合下，极限真空可达5×10⁻¹⁰ Torr（经过24小时烘烤冷却后），镀膜均匀度小于3%。它支持多种样品尺寸（1”至12”），配备石英晶体微天平和椭偏仪进行膜厚监控，样品台可旋转、加热并加载偏压。

超高真空磁控溅射系统 341     

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PVD公司生产的超高真空磁控溅射系统是一款专为薄膜半导体材料制备设计的高性能设备，支持最大300mm衬底，具备RF、DC和脉冲DC等多种溅射技术，靶材尺寸从1英寸到8英寸可选。系统配备可加热至850°C的衬底支架、高真空腔体（304不锈钢材质）、分子泵或冷凝泵真空系统，以及QCM膜厚监控和RGA残余气体分析等原位监控功能。此外，还可根据客户需求扩展RHEED、椭偏仪等功能，广泛适用于半导体薄膜的研发与生产。

纳米颗粒和薄膜的模块化PVD系统 340     

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纳米颗粒和薄膜的模块化PVD系统 是一种多功能的 PVD 系统，能够生成纳米颗粒和薄膜，非常适合工业和学术研究。NL-FLEX 能够容纳任何类型的基材，包括卷对卷、非平面和粉末涂料。服务于广泛的应用，包括催化、光子学、储能、传感器和生命科学。这种模块化 PVD 沉积系统可以与分析工具集成，为您的研究需求提供完全定制的解决方案。

纳米颗粒和薄膜UHV沉积系统 338     

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纳米颗粒和薄膜UHV沉积系统是一种超高真空 PVD 系统，能够产生纳米颗粒和薄膜，非常适合工业和学术研究。 服务于广泛的应用，包括催化、光子学、储能、传感器和生命科学。该UHV 沉积系统可以与分析工具集成，为您的研究需求提供完全定制的解决方案。

台式纳米颗粒沉积系统（纳米团簇） 337     

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该系统是一种台式真空系统，可将超纯非团聚纳米颗粒直接沉积到直径达 50 毫米的任何表面上。专为共享研究或教学实验室而设计，学生和研究人员可以在各种纳米技术项目中并行使用，而不必担心交叉污染。应用包括催化、光子学、储能、传感器和生命科学。

脉冲激光沉积系统 337     

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这是一款美国原产的高性能脉冲激光沉积系统（PLD），用于制备高质量薄膜和研发新材料。系统通过高密度脉冲激光照射靶材，形成等离子体并沉积到对面的基板上，可获得热力学准稳定状态的薄膜。设备配备6个1-2英寸靶位，可自动旋转并由步进电机控制靶材选择；基板采用2英寸铂金加热片，加热温度可达1200℃，温差小于3%，可在氧气环境中旋转工作。成膜室和样品搬运室均为SUS304材质，本底真空度分别小于5×10⁻⁸ Pa和5×10⁻⁵ Pa，配备分子泵和机械泵，以及超高真空阀门和真空计。

脉冲激光分子束外延系统 227     

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PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统（PLD MBE）凭借其优异性能，在国内外拥有众多用户，广泛应用于薄膜外延制备。作为美国主要制造商，PVD专注于设计和制造超高真空薄膜沉积系统，涵盖分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积等领域。其产品主要面向小型研发系统，适用于多种材料的外延生长，如半导体材料、ZnO、GaN、SiGe、金属/氧化物、磁性薄膜、超导薄膜、氧化物和陶瓷材料等。系统配置包括主腔室、样品传输腔、1100度加热系统、样品旋转、PLD靶材操控器及光路、K-cell热蒸发源、电子束蒸发源和射频RF离子源等。

磁控溅射仪 340     

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这是一款高性能的磁控溅射仪，适用于4英寸和6英寸衬底，具备4个靶位，靶材尺寸为3英寸，可溅射磁性材料。设备极限真空度低于6.6×10⁻⁶ Pa，膜厚均匀性控制在±5%以内。靶与样品距离可调，并可在30度内摆头。配备load-lock系统，可放置5片6英寸样品，电动马达在高真空状态下顺序传送并溅射样品。样品台可加热至750℃并支持旋转，配备全自动真空控制模块。气路支持Ar、O₂、N₂，提供2个600W射频电源和2个1000W直流电源，满足多种薄膜制备需求。

掌上超声波探伤仪 107     

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钧一检测技术(上海)有限公司推出的掌上超声波探伤仪USM GO+，是一款专为现场快速检测设计的轻量化、高集成度无损检测设备，将专业级探伤功能与便携性完美结合，适用于工业巡检、野外作业及高空场景下的高效缺陷筛查。

相控阵探伤仪 107     

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上海仪鸣科学仪器有限公司推出的相控阵探伤仪OmniScan X3，是一款集全聚焦成像（TFM）、多模式扫描与智能化分析于一体的高端无损检测设备，专为工业领域复杂构件的高精度缺陷检测与三维可视化评估设计。

便携式超声波相控阵探伤仪 104     

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钧一检测技术(上海)有限公司推出的便携式超声波相控阵探伤仪OmniScan SX，是一款集高精度相控阵技术、智能化操作与工业级防护于一体的无损检测设备，专为复杂结构材料的缺陷检测与三维成像分析设计。

触摸屏便携式超声波探伤仪 106     

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钧一检测技术(上海)有限公司推出的触摸屏便携式超声波探伤仪USM100，是一款集高灵敏度检测、智能触控操作与工业级耐用性于一体的无损检测设备，专为金属、复合材料及非金属构件的现场快速缺陷筛查与量化评估设计。