福建有色金属冶金技术理论与应用

SO2浸出钴的方法和系统与流程 746     

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一种so浸出钴的方法和系统技术领域.本发明涉及湿法冶金技术领域，尤其涉及一种so浸出钴的方法和系统。背景技术.浸出-萃取-电积-除杂-沉钴的湿法工艺是处理氧化铜钴矿的常规工艺。氧化矿中的钴一般以水钴矿（coooh）形式存在，其中的co需在还原环境下才能用硫酸浸出。还原剂可采用so、naso和feso等，工业生产中常采用so气体作为还原剂进行钴浸出。.目前so气体介入的常规工艺是采用进气管直接将so气体导入浸出槽。该介入技术存在以下缺点：（）so气体不能充分溶于矿浆

矿热电炉、电解短流程联合冶炼精锡方法与流程 466     

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本发明属于锡冶炼技术领域，具体涉及一种矿热电炉、电解短流程冶炼精锡方法。背景技术目前锡行业大多采用的炼锡方法为锡精矿经电炉熔炉得到的粗锡进入电解得到焊锡，焊锡再经过铅锡分离得到精锡，由于铅锡分离过程包括结晶分离和真空分离等，工艺过于复杂，投入成本较高，工人劳动强度较大，因此，开发一种矿热电炉、电解短流程联合冶炼精锡方法是非常有必要的。发明内容本发明在于提供一种矿热电炉、电解短流程联合冶炼精锡方法。本发明的目的是这样实现的，一种矿热电炉、电解短流程联合冶炼精锡方法，包括配料、熔炼、制作阳极板、制作

高效太阳能电池用大产能炉管式ICP-CVD装置的制作方法 864     

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一种高效太阳能电池用大产能炉管式icp-cvd装置技术领域.本发明涉及太阳能电池生产设备，尤其涉及一种高效太阳能电池用大产能炉管式icp-cvd装置。背景技术.目前高效太阳能电池主要膜系材料为单质硅，晶体结构为非晶或微晶状态。而且希望的是更多的微晶状态的单质硅材料。目前主要的生长方式是采用平行平板式pecvd设备(ccp-cvd)，在一定真空度和温度下，使用硅烷气体分解得到，此方式由于产生的等离子体密度低，生成的单质硅薄膜主要是非晶状态且氢含量偏高。较好的方法是采用高密度等离子体放电技术比如

含钒废石油催化剂两级提取的资源化利用方法 977     

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.本发明属于冶金技术领域，具体涉及一种含钒废石油催化剂两级提取的资源化利用方法。背景技术.在现代工业生产中，催化剂的作用越来越重要，被广泛应用于炼油工业、化工行业、冶金工业。废催化剂全世界年产约～万吨，其中钒含量很高，部分催化剂中也含有一定量的钴、铝、镍、钼等，从资源利用和环境保护两方面来看，回收催化剂中的金属意义重大。.目前石油炼制和化学工业中广泛使用加氢脱硫(hds)催化剂，hds催化剂的组分主要包括：钼、钴以及载体氧化铝。在使用过程中，原料中金属钒和镍的沉积会使hds催化剂逐

高纯无氧铜生产工艺的制作方法 842     

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.本发明涉及高纯无氧铜生产技术领域，具体涉及一种高纯无氧铜生产工艺。背景技术.铜及其合金在熔炼过程中，铜液具有吸气性，这是铜及其合金熔炼的主要特性之一，也是生产高纯无氧铜的技术难点；同时铜液中氧和氢的关系为：当铜液中氧含量增加时，氢的含量减少；反之，当铜液中氢含量增加时，氧含量将减少；因此当高纯无氧铜在还原精炼时，随着铜液中氧的含量降低到一定极限时，铜液再次从熔炼气氛中吸收氢气，造成氢的含量会急剧增加，因此如何保证高纯无氧铜中同时具有极低的氢含量，则是高纯无氧铜生产的技术难点。.现有高纯无

采用溶剂置换结晶法从水溶液中结晶硫酸镍的方法与流程 1288     

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本发明涉及湿法冶金技术领域，特别是涉及一种采用溶剂置换结晶法从水溶液中结晶硫酸镍的方法。背景技术镍是导致铜电导率下降的最糟糕的元素之一，因为它与铜形成了固溶体。镍在铜阳极中的浓度范围为14至6700ppm，而在铜阴极中镍的最大允许浓度必须小于7ppm。大部分镍在电解过程中与铜一起溶解，并在电解液中以硫酸镍的形式积累，从除铜电解液中回收镍是杂质控制过程的最后一步。目前从硫酸铜电解液中除去硫酸镍的方法是蒸发法结晶，这种技术既困难又昂贵。蒸发结晶是指水的蒸发，直到h2so4浓度充分增加，以确保几乎完全

P204萃取除杂过程中减少硫酸钙沉积的方法与流程 1291     

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本发明属于湿法冶金技术领域，具体涉及一种p204萃取除杂过程中减少硫酸钙沉积的方法。背景技术随着电动汽车的快速发展，三元电池材料的研究与生产也得到了突飞猛进的提升，高纯度镍钴金属需求量大幅增加，为满足三元电池材料需求，钴、镍的萃取提纯技术被大力发展。现有的从富含钴镍的硫酸溶液中提纯富集钴、镍的工艺流程包括：首先通过针铁矿法除铁，然后用p204萃取除杂，反萃取等。在进行p204萃取除杂过程中，需要对萃取后的p204有机相进行洗涤。废水中的f-管控更加严格，基于此p204萃取除杂之前不能再用naf除

氢氧化镍钴制备硫酸镍的方法与流程 2470     

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本发明涉及湿法冶金技术领域，具体而言，涉及一种氢氧化镍钴制备硫酸镍的方法。背景技术目前红土镍矿湿法冶金产出大量mhp即氢氧化镍钴中间产品，为了得到最终产品硫酸镍，现有的工艺中后续往往要将氢氧化镍钴中间产品以此经过浸出—除杂—萃取除杂—镍钴分离等一系列处理工序，以除去其中的钴元素以及锰、铁、钪、铝和铬等杂质元素，得到硫酸镍溶液。然而，镍钴分离需要在溶液体系中，采用如p204分离锰等杂质，p507萃取剂萃取钴，镍剩余在萃余液中。这个过程，需要将含镍钴的全部液相经过萃取体系，体积量大，且由于锰、钴含量

制备硫化氢的方法以及装置与流程 495     

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.本发明涉及有色金属湿法冶金技术领域，特别涉及一种制备硫化氢的方法。背景技术.硫化氢是一种重要的化工原料，主要用于精细有机化学品和无机盐的合成，如医药、农药品的制造、金属的精制及各种工业试剂的制造。在涉及有色金属污酸和污水的处理过程中，硫化氢被广泛用作沉淀重金属的药剂，具有剧毒性。现在的有色金属冶炼厂有采用硫氢化钠/硫化钠与稀硫酸反应制取硫化氢，但采用该方法存在着弊端：将钠离子引入整个有色金属生产体系中，进而导致后期处理困难。.现有技术中为克服硫化钠或硫氢化钠和稀硫酸反应制取硫化氢过程中给

从含砷酸性溶液中选择性脱砷的方法与流程 462     

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.本发明涉及湿法冶金除砷技术领域，尤其是一种从含砷酸性溶液中选择性脱砷的方法。背景技术.砷在自然界及矿物原料中主要以三价砷和五价砷形式存在，湿法冶金用酸或碱浸出矿物时均能将物料中的砷浸出，而砷对冶金和环境的危害是众所周知的，必须使溶液中的砷转化为难溶砷酸盐加以脱除。.目前，除砷方法主要是氢氧化铁或氢氧化铝吸附法，而且只是物理吸附，且主要吸附三价砷离子，当遇酸或遇水时，砷离子容易被溶解洗脱，造成二次砷污染。迄今为止，还没有发现三价砷离子与铁、铝、锰、锌等金属离子生成难溶的亚砷酸盐。因此，要优

磷酸铁锂黑粉的浸出方法与流程 1537     

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本发明属于湿法冶金领域，具体涉及一种磷酸铁锂黑粉的浸出方法。背景技术锂离子电池由于自身所具有较高比电容、优良的循环性、轻质便携等优点，从而广泛应用于移动电话、笔记本电脑以及新能源汽车等诸多领域。随着新能源汽车的爆发式增长，锂离子电池的需求也在迅猛增长。步入2020年，首批新能源汽车电池也开始陆续进入退役期，报废的锂离子电池的数量将随着使用年限的增加日益增长，且电池中所包含的金属元素和电解液，如不采取科学合理的方式处理，将会对所放置地的安全性和环境造成极大的威胁和污染。将报废磷酸铁锂电池中的锂元素

硫酸锰溶液萃取脱氟净化中复合反萃剂的使用方法与流程 1136     

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.本发明涉及湿法冶金技术领域，具体为一种硫酸锰溶液萃取脱氟净化中复合反萃剂的使用方法。背景技术.硫酸锰是锰系动力锂电池正极材料最重要、最基础的锰源材料。有研究报告表明，电池用高纯硫酸锰的需求量将随着三元材料的爆发式增长而稳步增长。由于原材料中的钙、镁等杂质对锂离子电池的高温形貌及循环性能有重要影响，因此动力电池的发展对硫酸锰中杂质含量的要求相当苛刻。.目前，硫酸锰溶液钙、镁离子的去除主要通过添加氟化物形成氟化钙、氟化镁沉淀经压滤去除。然而在除钙镁阶段，由于钙镁离子很容易与氟离子形成络合物，

从镍钴镁混合溶液中萃取分离镍、钴、镁的方法与流程 920     

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本发明涉及电池技术领域，涉及一种从镍钴镁混合溶液中萃取分离镍、钴、镁的方法，具体地说主要是红土镍矿湿法冶金中间品混合氢氧化镍钴(mhp)经酸浸、水解除铁铝、吸附除硅、p204萃取除杂等步骤后，镍含量为50～100g/l、钴含量为5～20g/l、镁含量为3～15g/l的镍钴镁混合溶液萃取分离镍、钴、镁三种元素的方法。背景技术随着新能源汽车的高速发展，以及三元材料在动力领域安全性的逐步成熟和消费市场对于续航里程的提升需求，镍钴锰三元材料和镍钴铝三元材料将成为未来新能源汽车正极材料应用的主流。预计到2

生产电积钴的方法与流程 2157     

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.本发明涉及湿法冶金技术领域，具体涉及一种生产电积钴的方法。背景技术.目前，电积钴的生产以氯化体系为主，电积过程中会产生大量的cl，稍有不慎即会造成cl泄露，不仅会对环境造成重大污染，同时严重影响生产人员的身体健康，同时还会缩短生产电积钴设备的使用年限。与氯化体系生产电积钴相比，采用电积coso生产电积钴的方法不会产生cl，但存在钴板质量较差，电流效率较低的缺陷。.其中，专利cn公开了一种非盐酸电解质生产电积钴的方法，该专利制取的cocl溶液通过萃取转型、脱氯、

950度高温钛合金离子氮化炉的制作方法 412     

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.本实用新型属于氮化炉生产技术领域，具体为度高温钛合金离子氮化炉。背景技术.氮化处理是指一种在一定温度下一定介质中使氮原子渗入工件表层的化学热处理工艺。经氮化处理的制品具有优异的耐磨性、耐疲劳性、耐蚀性及耐高温的特性。往氮化炉内不锈钢真空密封罐中通入氨气，加热到℃，保持适当的时间；根据工件材质和渗层要求?小时不等，使渗氮工件表面获得含氮强化层，得到高硬度，高耐磨性，高疲劳极限和良好的耐磨性。.但是常见的氮化炉在加热时氮化炉的外壁温度非常高，氮化炉的外部缺少保护装置，从而使

金属氟氧化物的处理方法及清洁方法与流程 677     

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本发明涉及使金属氟氧化物mo(6-x)/2fx(0＜x＜6、m＝w或mo)与含氟气体进行化学反应而转换为mf6的处理方法及使用该处理方法去除金属氟氧化物(metaloxyfluorides)的沉积物等的清洁方法。背景技术作为化学气相沉积钨(w)及钨化合物、钼(mo)或钼化合物时的前体，已知有六氟化钨或六氟化钼。作为这些前体的工业制造方法，已知有如反应式(1-1)～(1-2)、反应式(2-1)～(2-2)所示，使金属钨与氟或三氟化氮、使金属钼与氟或三氟化氮接触的方法。w(s)+3f2(g)→wf6

钴系统新型除铁净化工艺方法与流程 701     

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.本发明涉及钴系统新型除铁净化工艺技术领域，具体为一种钴系统新型除铁净化工艺方法。背景技术.钴，元素符号co，银白色铁磁性金属，表面呈银白略带淡粉色，在周期表中位于第周期、第ⅷ族，原子序数，原子量.，密排六方晶体，常见化合价为、。钴是具有光泽的钢灰色金属，比较硬而脆，有铁磁性，加热到℃时磁性消失。在常温下不和水作用，在潮湿的空气中也很稳定。在空气中加热至℃以上时氧化生成coo，在白热时燃烧成coo。氢还原法制成的细金属钴粉在空气中能自燃生成氧化钴

碳化硅化学气相沉积炉的进气装置的制作方法 482     

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本发明涉及气相沉技术领域，特别涉及一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置。背景技术化学气相沉积(chemicalvapourdeposition，cvd)常用来生产各种高纯固体材料。化学气相沉积碳化硅是通过含有硅、碳元素的小分子前驱物在沉积室内一定条件下分解、反应生成的薄膜材料。一甲基三氯硅烷(mts)是一种工业上常用的化学气相沉积碳化硅液态前驱物，反应方程式如下：ch3sicl3→sic+3hcl，在制备过程中通常会用到氢气和氩气，其中氢气参与中间反应过程，作为反应气体使用，氩气经常作为稀释气体使

圆柱滚子的倒角加工方法与流程 1179     

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本发明涉及一种倒角加工方法，具体涉及一种圆柱滚子的倒角加工方法。背景技术圆柱滚子轴承在工况比较复杂，润滑条件差，转速高情况下运转时，如果滚子精度不高、不平衡量较大时，在工作会出现滚子运转不平稳、出现异常磨损和振动现象，这些因素都制约着轴承使用寿命的提高。轴承出现异常磨损的原因一部分是因为轴承滚子倒角跳动量偏大，滚子高速运转失稳，产生摆动，与内圈挡边异常接触磨损。因此要提高滚子倒角的加工精度，减小滚子倒角对滚子外径的跳动量，改善滚子倒角的加工形状。圆

预埋钎剂复合板及其制备方法和用途与流程 749     

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.本发明属于复合材料技术领域，涉及一种铝合金复合材料，具体涉及一种预埋钎剂复合板及其制备方法和用途。背景技术.铝合金复合钎焊材料被广泛的应用于汽车热交换器中，如汽车发动机冷却系统的中冷器、散热器，和空调系统的暖风、冷凝器等。各类热交换器产品一般都由多个零部件组成，如主板、管料和翅片等，各零部件之间通过高温钎焊最后形成金属接头连接。.铝合金复合板通常包含芯层和钎料层。钎料层在高温下会优先融化形成焊接接头，从而实现各零部件的金属连接。然而，由于铝合金表面有一层致密的氧化膜会阻碍钎料层的融化和流

靶材结构及其制作方法与流程 1028     

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.本发明涉及靶材加工领域，具体涉及一种靶材结构及其制作方法。背景技术.溅射镀膜靶材在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用，镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。.半导体工业中，靶材主要分为圆柱靶材和平面靶材，平面靶材多采用磁控溅射技术沉积；磁控溅射即pvd(physicalvapordeposition：物理气相沉积)是指在真空条件下，采用中电压、大电流的电弧放电技术

铸件浇口切割机的制作方法 822     

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本实用新型涉及切割机技术领域，具体领域为一种铸件浇口切割机。背景技术目前，我国铸造行业通常采用氧气加液化气的气切割，来对浇口和铸件进行分离。工人切割时需要手持铸件和切割装置，来对铸件进行切割。工人需要大力握紧铸件，手部和面部距离切割装置极近，危险系数高。使用氧气和液化气，有爆炸风险，十分不安全，会对工作人员造成危害，而且切割面不光滑，难以打磨，工人劳动强度大，工作效率低，依赖人工技能进行操作。另外，目前还会使用手工切割机来进行切割，但是手工切割质量差、尺寸误差大、材料浪费大、后续加工工作量大，同

高韧性高铬高碳铸钢及其热处理方法与流程 567     

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.本发明属于金属及其热处理技术领域，尤其涉及一种高铬高碳铸钢及其多阶段热处理方法。背景技术.高铬高碳铸钢具有许多吸引人的性能，如高强度、高硬度、抗合金元素溶解和碳化物析出引起的变形。常规成分采用常规的冶金路线加工这种钢特别困难。主要的挑战是，传统的静态铸锭铸造相对缓慢的冷却过程会形成粗大的网状共晶碳化物，这些连续的含铬的网状碳化物结构在大尺寸铸锭的热变形过程中会引起明显的裂纹。虽然高铬高碳钢也进行常规热处理，采用简单的淬火-回火处理，可以获得较高的硬度，但网状碳化物依然不能被消除，影响后续的

抑制稀土钢连铸过程中水口堵塞的方法及其装置 414     

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.本发明涉及钢铁冶金领域，特别是涉及一种抑制稀土钢浇铸过程水口结瘤的装置及方法。背景技术.稀土元素非常活泼，与氧、硫有很强的亲和力，加入钢液后可以置换钢中硫化锰、氧化铝等夹杂物中的氧和硫，形成稀土夹杂物，这些稀土夹杂物具有良好的形态，有利于减小对晶粒连续性的影响，从而提高机械性能。此外这些稀土夹杂物可以吸收铝酸盐复合夹杂中的部分al、ca元素形成铝酸盐稀土夹杂，其曲率半径较大，硬度、弹性模量与基体接近，承受疲劳载荷时与周围基体配合更加紧密，变形及传递应力的特性与基体接近，减少了应力的集中，并

超高温超高压孔道式换热器/蒸发器设计方案的制作方法 964     

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(一)技术领域：本发明是一种适用于极端高温或极端高压的新型换热器/蒸发器设计方案，利用换热单元模块内部设置的特制孔道进行换热，称作孔道式换热器/蒸发器。以传热材料热传导为主的小孔或微孔的孔道间热量交换，传热系数高，传热温差小，在极端高温或极端高压条件下孔道间可安全稳定传热，具有高效简易、安全可靠的特点，属于传热设备技术领域，主要应用领域为核电火电、石油化工、化工医药、冶金能源、食品电子等。(二)背景技术：核电蒸汽发生器(steamgenerator)是产生汽轮机所需蒸汽的换热设备，在核反应堆中，

向钢水中加入稀土的方法与流程 519     

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本发明属于钢铁冶金技术领域，具体涉及到一种向钢水中加入稀土的方法。背景技术连铸，即连续铸钢，是不断地将精炼后的钢水加入到结晶器中，并凝固成型后从结晶器下方拉出的钢水成型技术。相对传统模铸工艺，连铸工艺是一项重大的技术进步。适量稀土加入到钢中主要有三大作用：净化钢液、变质夹杂、微合金化，可提高钢的韧塑性特别是横向冲击韧性，改善钢材的各向异性；例如稀土可使高硬度的氧化铝夹杂转变成球状硫氧化物和铝酸稀土，显著提高钢的抗疲劳性能；稀土在晶界的偏聚能抑制磷硫和低熔点杂质铅、锡、砷、锑、铋在晶界的偏析或与这

底滤法水冲渣系统及工艺方法与流程 853     

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本发明属于废弃物环保处理技术领域，具体涉及一种水淬和渣水分离系统。背景技术国内的高炉炼铁炉渣水淬处理有机械法和底滤法两种方式。机械法存在过滤不干净，系统故障率高、检修维护工作量大，运行成本高，一次性投资高等缺点。而现有的底滤法水渣存在以下缺点：①熔渣水淬沟渠、过滤池上方蒸汽弥漫，对环境污染大；②滤层板结严重，更换难度大，影响高炉的生产节奏；③需要人工抓渣，自动化程度低；④池内液位检测不准，难以实现连锁控制，造成设备故障，系统瘫痪；⑤滤层厚度大，需要大量鹅卵石，建设及生产维护造成资源浪费。发明内容

高炉热风炉烟气/煤气/空气双预热器的制作方法 482     

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本实用新型属于锅炉设备领域，特别涉及一种高炉热风炉烟气/煤气/空气双预热器。背景技术目前，国内的高炉热风炉烟气/煤气/空气双预热器、或者是烟气/空气单预热器、烟气/煤气单预热器均采用以热管作为传热元件的热管式换热器。热管式换热器具有一定的优点，如流体流动阻力小、热侧和冷侧都可以加翅片扩展传热面等。但是，热管元件的材质一般均采用碳钢，热管内的工作介质采用水，这样做成的传热元件就是水-碳钢热管，在工程上使用极为普遍。在高温条件下，碳钢中的铁Fe和水会发生化学反应，生成Fe3O4、Fe2O3，同时释放

盖板硬质涂层镀膜工艺方法与流程 911     

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.本发明涉及光学薄膜，具体涉及一种盖板硬质涂层镀膜工艺方法，是一种超现有光学薄膜，实现超强力学特性（铅笔硬度＞h，莫氏硬度≥h，钢丝绒摩擦次后水滴角＞°），无膜厚限制和稳定的可靠性测试的镀膜工艺方法。背景技术.光学薄膜的应用无处不在，从眼镜镀膜到手机、电脑、电视的液晶显示再到led照明等等，它充斥著我们生活的方方面面，并使我们的生活更加丰富多彩。.查阅各种文献资料，结合国内外相关专利资料，磁控机镀制功能性涂层sin/sio循环结构膜层硬度最高是h，力学特性存在不稳

用于沉积氮化硅膜的组合物和方法与流程 1158     

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本申请要求于2015年7月31日提交的申请号62/199593的权益。申请号62/199593的公开内容通过引用并入本文。技术领域本文描述了用于使用环二硅氮烷前体沉积保形的、化学计量或非化学计量的氮化硅膜的方法和组合物。更特别地，本文描述了使用环二硅氮烷前体的沉积工艺，例如但不限于等离子体增强原子层沉积(“PEALD”)、等离子体增强循环化学气相沉积(“PECCVD”)，以及包含环二硅氮烷前体的用于沉积氮化硅膜的组合物。背景技术低压化学气相沉积(LPCVD)工艺是半导体工业使用的用于氮化硅膜沉积